Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля

Номер патента: 459192

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Аничхин, Примак

МПК: A01G 9/24

Метки: выращивания, искусственных, камера, растений, условиях

...перфорированных поверхностей и5 имеющим постоянные термодинамические пар а метры.На фиг. 1 изображена предлагаемая камера; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1;на фиг. 3 - варианты присоединения патруб 10 ков стеллажей,к приточным воздуховодам; нафиг. 4 - перфорации боковых поверхностейстеллажей (а - типа Унифлор, б - перфорированный лист),Камера 1 состоит из ограждающих конст 15 рукций 2, в которых расположены приточные3, вытяжные 4 воздуховоды и источник 5света, воздухоприготовительного агрегата б,источника 7 искусственного холода и подвижных стеллажей 8 в виде плоского короба с20 патрубками 9. Большие поверхности 10 короба перфорированы.Патрубки 9 могут быть, присоединены кприточным воздуховодам 3 с возможностьюперемещения:...

Номер патента: 248637

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Либин, Носоновский, Пищик

МПК: B01J 29/16, C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...

Номер патента: 324781

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры

...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...

Номер патента: 1820925

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом

...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...

Номер патента: 485763

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Вишневский, Лавров, Цицугин

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...тем, что,ния диаь 25 подсветк ло расту монохрокИзобретение относится к способам автоматического управления процессом выращивания малоконтрастных монокристаллов методом Чохральского и может быть применено для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов.Известен способ автоматического управления процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского путем измерения диаметра растущего оптического монокристалла с низкой контрастностью зоны расплав-кристалл телевизионным автоматом.Однако такой способ при малой контрастности зоны расплав-кристалл не позволяет с уверенностью управлять процессом роста по диаметру.С целью повышения точности измерения диаметра монокристалла по предлагаемому способу осуществляют подсветку...