Симун

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 445462

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кристаллов

...устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный...