Патенты с меткой «малодислокационных»

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....