Надгорный

Номер патента: 1726573

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Береснев, Карлов, Мелентьев, Надгорный, Осипян, Пересада, Понятовский, Прохоров, Сисакян, Трушин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, упрочнения, щелочно-галоидных

...к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р - максимальное давление обжатия образцов.Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е, до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т,е. происходит1726573 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор А.Огар Заказ 1252 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 279216

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гингис, Институт, Морозов, Надгорный, Станковский, Электроники

МПК: B06B 1/06

Метки: звукопроводы, ультразвуковых, устройств

...кальция и фторида бария САГ и ВаГг) в качестве звукопроводов в ультразвуковых линиях задержки, Предлагаемые материалы обладают сравнительно небольшими коэффициентами поглощения ультразвука,Небольшое значение коэффициента поглощения до частот 300 - 400 мгц позволяет особенно эффективно использовать звукопроводы СаГ, и ВаРа в широкополосных ультразвуковых линиях задержки в указанной области частот,На чертеже, для примера, представлены частотные зависимости вносимых потерь в ультразвуковых линиях задержки, собранных из монокристаллических звукопроводов СаГ и ВаГ, а также с применением широкополосных пьезополупроводниковых преобразователей с диффузионным слоем в Сс 15.Кривая 1 - преобразователи с поверхностьюизлучения 5;(6 лл 2,...

Номер патента: 168262

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Надгорный, Степанов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...