Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Номер патента: 1775497

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Шапурко

МПК: C25B 1/24

Метки: брома

...цезия диаметром 16 мм и длиной 15 мм. Монокристалл помещали в устройство и нагревали до 600 С. После нагрева монокристалла осуществляли его электролиз, пропуская ток 10 мА, Выделяющийся в ходе электролиза бром удаляли через отверстие в крышке, Бром после удаления из устройства конденсировали в четыреххлористом углероде. Определение брома в четыреххлористом углероде осуществляли спектрофотометрически по полосе поглощения с максимумом 415 нм, Как показали ог,ыты оптимальной температурой электролиза является температура на 20-40 С ниже температуры плавления монокристалла,П р и м е р 2. Для реализации способа был взят монокристалл КВг размером 10 х 10 х 15 мм. Получение брома проводили аналогично примеру 1 при температуре 700 С, Определение...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1623947

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Адамян, Гелетий, Захаров

МПК: C01B 7/00, C01B 7/09

Метки: брома

...при содержании воды в растворе от 2 до 10 мас.%, для обеспечения полного растворения реагентов. Изобретение позволяет обеспечить возможность получения брома с выходом до 97%. 1 э.п.ф-лы, 2 ил 1 табл Образовавшийся Вг 2 идентифицируют в конце опыта по спектру поглощения пробы раствора Концентрацию определяют измерением оптической плотности на длине волны 400 нм. Через 40 мин после окисления, когда было поглощено 0,0342 моль/л и дальнейшее погощение кислорода практически прекращалось (см. табл,), концентрация Вг 2 составила 0,068 моль/л, что составляет 97% от теоретически возможного, т е. выход 97%.На фиг, 1 приведен график зависимости выхода продукта от температуры процесса; на фиг, 2 - график зависимости выхода продукта от...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...