Шайович

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 445887

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Холодницкий, Чернобережский, Шайович, Янклович

МПК: G01N 13/00

Метки: краевых, углов

...до,0,1 .Б предметном стлике 1 имеется окно 15 для возвратно-поступательного движения образца,закрепленного в автономном погружающемустройстве. В случае измерения статических краевых углов на предметном столике может быть установлено съемное приспособление 16 длязакрепления обрмж, а на нижнейчасти подставки закреплено съемное поворотное основание 17,на ко-,торое можно установить ванночку18 с исследуемой жидкостью,При измерении статических краевых угловна образцах закрепленных в приспособлении 16, настройка на вершину згла (точку соприкосновенияФаз 1 производится путем перемещейия окуляра 10 в пределах вертикальной плоскости поворотной призмы 9 посредством двух микрометрических винтов (на чертеже не ука- фзаны).Продолжением окуляра на...