Ячейка памяти

ОПИСАНИЕ ИЗОЬЕЕТ ЕНИЯ р 537388 Союз Советскис Соцналистнческнк Республик(51) М, Кл.б 11 С 11/40 Государственный комитет Совета Министров СССР(088.8) по делам нзобретеннй н открытий(54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам,Известна ячейка памяти, используемая в запоминающих устройствах динамического типа, выполненная на биполярных и МДП-транзисторах. Однако эта ячейка имеет довольно низкое быстродействие в режиме считывания.Известна также ячейка памяти, наиболее близкая по технической сущности к изобретению, содержащая МДП-транзистор записи, исток которого соединен с разрядной шиной, затвор - с числовой шиной записи, сток - с затвором транзистора считывания, сток которого подключен к базе буферного биполярного транзистора, числовую шину считывания.Данная ячейка памяти обладает малым быстродействием, так как ток считывания мал, кроме того, при записи О требуется вывести из насыщения биполярный транзистор.Цель изобретения - повышение быстродействия ячейки,Это достигается тем, что исток МДП-транзистора считывания подключен к числовой шине считывания, коллектор буферного биполярного транзистора соединяется с подложкой МДП-транзистора считывания, а эмиттер - с разрядной шиной. В результате этого ток считывания, протекающий через МДП-транзистор считывания, усиливается биполярным транзистором, а также отсутствует насыщение бипслярного транзистора, что повышает быстрсдействие.На чертеже представлена электрическая 5 схема ячейки памяти.Ячейка памяти содержит МДП-транзистор1 записи, МДП-транзистор 2 считывания, буферный биполярный транзистор 3, Величина емкости 4 определяется суммой емкостей за твора МДП-транзистора считывания и стокаМДП-транзистора записи. Коллектор буферного биполярного транзистора 3 соединен с подложкой 5, исток МДП-транзистора 1 записи и эмиттер буферного биполярного тран зистора 3 соединены с разрядной шиной б, затвор транзистора 1 - с числовой шиной 7 записи, а исток МДП-транзистора 2 считывания - с числовой шиной 8 считывания,В режиме хранения напряжение на число вой шине 7 записи равно нулю. На разряднуюшину 6 и числовую шину 8 считывания подается отрицательное напряжение, которое больше по величине порогового напряжения МДП- транзисторов, на подложку 5 - небольшое 25 постоянное положительное напряжение смещения. В результате этого все транзисторы ячейки закрыты. Для записи информации в ячейку памяти, на числовую шину 7 записи поступает отрицательное напряжение, При 30 этом для записи О напряжение на разряд537388 мяти вместо ячейки на трех МДП-транзисторах позволит повысить ее быстродействие при тех же размерах кристалла и сравнительно простой технологии,5 Ячейка памяти, содержащая МДП-транзистор записи, исток которого соединен с раз рядной шиной, затвор - с числовой шинойзаписи, сток - с затвором МДП-транзистора считывания, сток которого подключен к базе буферного биполярного транзистора, и числовую шину считывания, отличающаяся Гб тем, что, с целью повышения быстродействияячейки, исток МДП-транзистора считывания подключен к числовой шине считывания, коллектор буферного биполярного транзистора соединен с подложкой МДП-транзистора счи тывания, а эмиттер - с разрядной шиной. Составитель В. Фр ехред М. Семенов ов ректор Т. Добровольск Редакто узова Тираж 723Совета Министрови открытийая наб., д, 4/5 каз 2590/18 Изд.1830 ЦНИИПИ Государственного комите по делам изобретении 113035, Москва, Ж.35, РаушПодписноеСР Типография, пр. Сапунова, 2 ной шине 6 равно нулю, а при записи 1 на ней образуется высокий отрицательный уровень напряжения.Емкость 4 перезаряжается до напряжения на разрядной шине 6 через открытый МДП- транзистор записи.В режиме считывания на числовой шине 8 считывания устанавливается нулевое напряжение. При хранении на емкости 4 высокого отрицательного потенциала (1) МДП-транзистор считывания открывается, вследствие чего открывается и биполярный буферный транзистор 3. При этом напряжение на разрядной шине 6 становится близким к нулю.Если же емкость 4 была заряжена незначительно (т. е, хранила О), то МДП-транзистор считывания не открывается и напряжение на разрядной шине 6 не изменяется.Применение в интегральном динамическом запоминающем устройстве данной ячейки паФормула изобретения