Патенты с меткой «пространственно-распределенный»

Номер патента: 442742

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G11C 11/42

Метки: пространственно-распределенный, фотоприемник

...на поверхности областей 3, адресными шинами - контакты 5 и 6, расположенные на краях области 3. Разряд" ные и адресные шины взаимно ортогональны,Изоляция элементарных ячеек друг от друга достигается за счет того, что область 1 обладает повышенным удельным сопротивлением,) и малым временем жизни. Повышение удельного сопротивления базовой области в случае использования кремния може" б,ыть достигнуто, например, за счет, компен сации примесей, даюших мелкие уровни, зо лотом до величины = 4.10 ом см, Вы 5бор толщины исходной пластины монокристалла и глубин диффузии при формировании р-ипереходов, а также выбор удельного сопротивления базовой области диктуется требованием, чтобы динамическое падение напряжении на - и переходах...

Номер патента: 452285

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Суханов

МПК: G11C 11/42

Метки: выборкой, пространственно-распределенный, прямой, слова, фотоприемник

...В каждом участке сформированы две области 3 и 4 р(И )-типа проводимости, симметрично расположенные относительно разделяющей их базовой области5, которой служит материал этого же изолированного участка, Области 3 электрически соединены с адресными шинами 6, а области 4 - с разрядными шинами 7, Шины 6и 7 электрически изолироьаны одна от другой на площадках ь. Расстояние междур( п )-областями 3 и 4, т, е, ширина базовой области 5, не превышает длины диффузионного смещения нсосновных носителейтока, созданных светом в базовой области,Лгпиа диффузионного смещения зависит отчистоты материала, составляющего участки 2и может быть выбрана в случае использования кремния от десятых долей микрона досотен микрон.11 исходном состоянии на матрицу...