Электростаический элемент памяти

(10 533987 Союз Совптскив Социалистических Республик) Приорите Государственныи комитет Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий Опубликовано 30,10.76, Бюллете Дата опубликования описания 2 УДК 681.377(088.8) 0.10.7 72) Авторы изобретен лов, В, В, Коняшкин, А. И. Мишин и Б. С. Потапов Инстит атематики Сибирского отделения АН СС(54) ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕ 1 тТ ПАМЯТИ 2 Функцияключается30 У, когда Изобретение предназначено дл ания в области автоматики, в йтехники, оптоэлектроники,Известен электростатический элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку,на одной из плоскостей которой закреплен управляющий электрод, а на противоположнойплоскости - Ш-образная пластина, закрепленная по двум крайним выступам и основанию,Недостатком таких элементов является низкая надежность хранения информации, таккак запоминание основано на хранении заряда в изоляционном слое. Последнее обуславливает большой разброс и нестабильность времени запоминания вследствие значительныхстатистических разбросов параметров изоляционного слоя. Это ограничивает область применения элемента.С целью расширения области применения надиэлектрической подложке предложенногоэлемента под средним выступом Ш-образнойпластины установлен тонкопленочный резистор с блокирующим электродом, а тонкопленочный резистор выполнен из фотопроводящего материала, например полуизолирующегоарсенида галлия.Область применения предлагаемогота расширяется за счет возможности уния переключением элемента под дем светового луча, для чего тонкопленочный резистор (лиоо целиком изолирующее основание) выполнен из фотопроводящего материала.На фиг, 1 показан предложенный элемент;5 на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.Элемент содержит Ш-образную пластину 1средний выступ 2 Ш-образной пластины, диэлектрическую подложку 3, крайний выступ 4 Ш-образной пластины, блокирующий электрод 10 5; тонкопленочный резистор б; неподвижнуюпластину 7.Принцип работы элемента заключается вследующем,При приложении разности потенциалов Уп 15 к пластинам 1, 7 средний выступ Ш-образнойпластины притянется к поверхности диэлектрической подложки 3.Если требуется, чтобы элемент хранил данное состояние, необходимо подать на блоки рующий электрод 5 потенциал У относительно пластины 1 (либо 7). Действие напряжения У, становится эффективным только тогда, когда средний выступ 2 под действием напряжения Уп притянут к поверхности изо лирующего основания. После приложения Унапряжение Уп можно установить равным нулю.тонкопленочного резистора б за.в уменьшении влияния напряжения средний выступ 2 находится в сво533987 4 Формула изобретения Составитель Т. Кирюхинаедактор В. Левятов Техред 3. Тараиенко Корректор Н Изд,1694 Тираж 723 ИИП 1 Л Государственного комитета Совета Министров по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.36, Раушская наб., д. 416писно аказ 2268 Типография, пр. Сапунова, 2 ем исходом состояи 1 (зазорпом 2 и резистором максимален). Действительно, пусть на источнике, задающем разность потенциалов между пластинами 1 и 7, установлено напряжение, равное нулю, При приложении У к блокирующему электроду 5 относительно пластины 1 (либо 7) происходит падение потенциала на резисторе 6, и, следовательно, уменьшается сила электростатического притяжения. Л когда под действием на- пРЯжениЯ "и зазоР междУ пластиной 1 и электродом 5 достигнет критической величины, то напряжение Ь становится достаточным для удержания среднего выступа пластины во включенном состоянии.Если тонкопленочный резистор б или диэлектрическую подложку 3 выполнить из фотопроводящего материала, то для управления процессом выключения (или включения) элемента можно использовать световой луч, Действие светового потока на величину У, осуществляется посредством модуляции сопротивления участка фотопроводника, расположенного, например, между средним выводом и блокирующим электродом 5. Величина напряжения (Ьу) элемента во включенном состоянии в рассматриваемом примере максимальна при низкой интенсивности светового потока и минимальна при его высокой интенсивности.Действительно, при высокой освещенности учас гка фотопровод 1 Нк 1 мс 5 кду сред 11 им выступом 111-образно 1 пласти 11 ы и блокируОщим электродом 5 его электрическое сопротивление минимально, падение напр 51 жиия на этом о участке также минимально, При этом большаячасть напряжения суу падает на участке, расположенном под Ш-образным средним выступом пластины, что и приводит к уменьшению напряжения удержания. Таким образом, ма нипулируя величинами напряжения Ь, и интенсивности светового луча, можно управлять процессом включения и выключения элемента. 1, Электростатический элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на одной из плоскостей которой закреплен управляющий электрод, а на противоположной20 плоскости Ш-образная пластина, закрепленная по двум крайним выступам и основанию,отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, на диэлектрической подложке под средним вь 1 ступом Ш-образ 25 ной пласт шы установлен тонкопленочный резистор с блокирующим электродом.2. Элемент по п, 1, отлич а ющийся тем,что тонкопленочный резистор выполнен из фотопроводящего материала, например полуизо 30 лиру 1 ОГИЕгО арсЕНила Галлия,