Запоминающая матрица
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е,БЗ 21 ЗЗИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реслтолин(22) Заявлено 22.05.75 (21) 2136444/24 51) М. Кл. О 11 С 11(1 вкис присоединением осударственнын комитет авета Министров СССР ао делам нзсоретений(54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТР повышение исываемой Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств.Известны запоминающие матрицы, содержащие цилиндрические магнитные пленки (ЦМП), управляющие обмотки и кипер. Одна из известных запоминающих матриц содержит ЦМП, которые вставлены в каналы набора адресных обмоток возбуждения, заключенных в сомкнутые с двух сторон крышки 11. На внутреннюю поверхность крышек нанесен ферромагнитный слой, который является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Однако нанесение ферромагнитного слоя увеличивает индуктивность адресных обмоток, что отрицательно сказывается на быстродействии матрицы. Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, которая содержит, как и предложенная, ЦМП, охваченные адресными обмотками, и кипер 21, Однако применение магнитного кипера с целью уменьшения влияния потоков возбуждения соседних запоминающих элементов на информацию в выбранном элементе и повышения плотности записи информации также увеличивает индуктивность адресных обмоток, что приводит к снижению быстродействия матрицы,Целью изобретения явлеятсяплотности записи информации. В оп запоминающеи матрице это достигается тем,что в ней кипер выполнен из изоляционныхшайб, расположенных на ЦМП, торцы шайбпокрыты ферромагнитной пленкой с немаг 5 нитным зазором,На фиг. 1 показана описываемая матрица;на фиг. 2 - кипер.Описываемая матрица содержит ЦМП 1,разрядные шины 2, на которые нанесены0 ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающиеЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенныхмежду адресными обмотками. Шайба выполнена из изоляционного материала с отверстием, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохождения ЦМП, Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшенияиндуктивности разрядных шин. Шайбы могут0 быть получены прессованием из слоеного материала (пермаллой-диэлектрик-пермаллой).Толщина диэлектрика определяется минимально-допустимым расстоянием между адресными шинами. Наружный диаметр шайб25 превышает диаметр витка адресной обмотки.Пленочное покрытие торца шайб составляетслой пермаллоя и является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Схемазамыкания потока рассеяния от соседних адре 0 сов показана на фиг,1 пунктирной линией б.532133 Описываемая матрица без снижения быстродействия обеспечивает повышение плотности записи информации и тем самым уменьшает габариты накопителя ЗУ. изоляционных шайб, расположенных на цилиндрических магнитных пленках, торцы шайбпокрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором. Формула изобретения Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авт. св,329576, М. Кл.в С 11 С 11/14, 197 О.2. Авт. св.344503, М, Кл,з С 11 С 11/14, 1970. Запоминающая матрица, содержащая цилиндрические магнитные пленки, охваченные адресными обмотками, и кипер, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью повышения плотности записи информации, кипер выполнен из. 2 Ю. Розенталь Кочемирова Корректор Е. Хмеле СоставитТехред зд. М 1669арственного комитетделам изобретенийМосква, Ж.35, Рауш ПодписноеССР 11303 ипография, пр, Сапунова,дактор Л. Тюринаказ 2132/12ЦНИИПИ Г Тираж 723Совета Министроткрытийкая наб д, 4/5
СмотретьЗаявка
2136444, 22.05.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5308
БЕККЕР ЯКОВ МИХАЙЛОВИЧ, ЯКОБСОН ГРИГОРИЙ ИЛЬИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающая, матрица
Опубликовано: 15.10.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-532133-zapominayushhaya-matrica.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающая матрица</a>
Постоянное запоминающее устройство и способ записи информации
Номер патента: 1655240
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Емельянов, Полторацкий, Самсонов
МПК: G11C 11/40
Метки: записи, запоминающее, информации, постоянное
1. Постоянное запоминающее устройство, содержащее кристаллическую подложку, накопитель, состоящий из ячеек памяти первой и второй групп, формирователь, информационные входы - выходы которого являются информационными входами - выходами постоянного запоминающего устройства, адресный блок, адресные входы которого являются адресными входами постоянного запоминающего устройства, туннельный зонд, информационный вход которого соединен с информационным выходом - входом формирователя, отличающееся тем, что, с целью повышения его информационной емкости, ячейки памяти первой и второй групп состоят из упорядоченных структур поверхности материала кристаллической подложки, причем упорядоченные структуры ячеек памяти второй группы расположены на 0,1-10...
Запоминающее устройство с коррекцией информации
Номер патента: 1215137
Опубликовано: 28.02.1986
Автор: Эннс
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающее, информации, коррекцией
...щинах потенциал логической "1" не устанавливается. В соответствии с потенциалом на возбужденных шинах 6 регистры 11 устанавливаются через коммутаторы 1 О в одно из двух состояний: логической "1", соответствующее логической "1"на шине 6 (шина исправна), либо логической "1", соответствующее логическому 0" на шине 6 (шина неисправна). После возбуждения одной числовой шины в соответствии с адресным сигналом А -А , т.е.перехода ее из состояния логической "1" в состояниелогического "0", в зависимости от информации, записанной в запоминающих элементах 8, на разрядных шинах 7 устанавливаются либо логическая "1", либо логический "0", В это время управляющий сигнал, посту-10 рованном виде. 15 В противном случае инвертирования не происходит...
Постоянное запоминающее устройство с коррекцией информации
Номер патента: 1278983
Опубликовано: 23.12.1986
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающее, информации, коррекцией, постоянное
...упрощение устройства.На чертеже представлена структурная схема постоянного запоминающего устройства с коррекцией информации.Постоянное запоминающее устройство с коррекцией информации содержит регистры 1 первой группы, группу блоков 2 сравнения, адресные входы 3 устройства, вторую группу регистров 4, элементы И-НЕ 5, формирователи 6 четности, Выходы 7 блока памяти, выходы 8 устройства, блок 9 постоянной памяти.Постоянное запоминаощее устройство с коррекцией информации работает следующим образом.Б регистре .1 устанавливасгся адрес первой исправляемой ячейки ПЗУ, а в разрядах регистра 4.1, соответствуюц;их дсф(ктным разрядам этой ячейки, записывают лог. О. Г 1 ри обращении к ПЗУ 9 пс этому адресу ца выходе блока 2.1 сравнения оудег сигнал...
Способ записи информации в запоминающую матрицу из магнитоодноосного материала
Номер патента: 1053160
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Болдырев, Крупский, Самичев, Чельдиев
МПК: G11C 11/02
Метки: записи, запоминающую, информации, магнитоодноосного, матрицу
...что необходимо1 для зарождения доменов Обратной намагниченности 1) .Недостатком этого способа явля-ется низкая надежность, обусловленная невозможностью получения микронеоднородностейс одинаковыми пара- З 5метрами.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ, заключающийся в том, чта переключение ячеек матрицы (запись ин Оформации) происходит путем движения доменной стенки от дамена обратной намагниченности из соседнейячейки в выбранную под действиемимпульсов тока, амплитуда которыхопределяется как и в предыдущем способе. Запись информации в такой матрице осуществляется последовательно,начиная от ячеек, расположенных накраю матрицы, в глубь матрицы, Домены обратной намагниченности дляпереключения крайних...
Способ л. в. гловацкого записи информации в доменное запоминающее устройство и доменное запоминающее устройство
Номер патента: 1520593
Опубликовано: 07.11.1989
Автор: Гловацкий
МПК: G11C 11/14
Метки: гловацкого, доменное, записи, запоминающее, информации
...и и п, При подаче тока достаточной величины в шине 5 с номерамип и ипроисходит деление магнитного домена в адресном канале с номеромМ- и, после прекращения подачи тока в шину 7, полосовой домен в адресном канале сжимается под аппликацию8 до размеров стабильного зародыше 3 О вого ЦМД, а в магнитостатическихловушках в петлях 10 разрядных шинс номерами и и побразуются двастабильных ЦМД, Далее подают ток втокопроводящую пленку 2, например,35 в направлении стрелки А, достаточныйдля образования под правыми краямиперфорации 3 магнитостатических ловушек, После этого прекращают подачутока в разрядные шины и ЦМД перемеща-.ется в запоминающую ячейку (под правые края перфораций 3), а после прекращения протекания тока в пленке 2домен переМещается...
Предыдущий патент: Магнитное запоминающее устройство
Следующий патент: Способ размагничивания электромагнитных плит
Случайный патент: Способ посадки саженцев