Басалыга

Номер патента: 1812313

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Анисько, Басалыга, Корзун, Романовский, Семенычев, Федотов

МПК: E21C 49/00

Метки: обезвоживания, сапропелей

...1,4. Здесь толщина сушимого слоя на интервале 0-2 м составила 45 мм при средней толщине слоя на всейполосе 45 мл (и. 3, табл. 2).При одинаковойдлинелопастей метателя на интервале полосы 2-4 м наблюдаетсушки и учитывая, чтопроизводительностьустройства при меньших толщинах слоев,уменьшается в связи с тем, что максимальная рабочая скорость устройства 250 м/ч,5 толщину слоя 30 мм следует принять в качестве минимальной.Максимальная толщина сушимого слояобоснована сравнением длительности сушки в каждом опыте и коэффициентом удли 10 нения срока сушки Ку при всех толщинах посравнению с 30 мм. По этим данным, такойтолщиной слоя является 50 мм. Здесь Кусоставляет 1,07, близкий к толщине 40 мм,где Ку = 1,05. Для толщины слоя 60 мм Ку15 значительно...

Номер патента: 1752963

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Басалыга, Ловцевич, Семенычев, Федотов

МПК: E21C 49/00

Метки: залегающих, месторождения, разработки, сапропелей, торфом

...площадки,Предварительное удаление воды изкарьера перед зкскавацией позволяет осуществить более глубокое обезвоживаниесапропеля в слое залегания, Кроме снижения влажности растет прочность и плотность сапропеля, Повышается эффективность способа при выполнении таких технологических операций, как экскавация,транспортировка массы, обезвоживание ее 25в расстиле. При этом достигается повышение глубины экскавации на всю толщу залегания сапропеля, что эффективно выполняется только после удаления воды из карьера, когда экскавация идет сухим способом. 30В этом случае исключаются потери сапропеля при разработке глубокозалежных месторождений. Экономно используютсяприродные органические ресурсы.На фиг.1 изображено месторождение 35сапропеля,...

Номер патента: 1668209

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Басалыга, Данильченко, Маглыш, Муквич

МПК: B65B 21/04

Метки: бутылок, контейнер, укладки

...Для уклаДки бутылОк в контейнер работает следующим образом,Бутылки подаются к контейнеру однорядным транспортером 1, при этом звездочка 4 отсчитывает заданное количествобутылок, равное количеству бутылок з однОм Ряду нэ полка контайнеоа, и, сделав приэтом полнцй оборот, останавливается рычагом 7, конец которого взаимодействует супором 9, установленным на звездочке 4,Рычаг 7, сделав кэчательное движение, даетсигнал датчику 10 управления тол кателем 5,и толкатель 5 совершает ход в сторону контейнера. Отсчитанное количество бутылокподается толкателем 5 в контейнер.При движении толкателя 5 Г-образныйэлемент входит во взаимодействие с концом рычага 7, выводя другой его конец изконтакта с упором 9, освобождая звездочку4 и обеспечивая ей...

Номер патента: 1652576

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Басалыга, Островерхова, Самончик, Федотов

МПК: E21C 49/00

Метки: месторождения, разработки, сапропелей

...находился при этом на 0,5 м ниже границы сапропель - минеральный грунт.Площадь месторождения сапропелей составляла 57 га, мощность слоя сапропеля до 2 м. Сапропель смешанного типа, зольность - 35 - 63%,Весной, в середине апреля, залежь сапропеля оказалась обезвоженной до состояния проходимости экскаватора Э. Была начата экскавация сапропеля путем отрывки траншей 6 перпендикулярно центральному каналу 5, Экскавированную массу укладывали между траншеями в бурты 7, Экскавацию осуществляли до минерального грунта.Благодаря отрывке траншей и складированию массы в бурты увеличилась поверхность залежи сапропеля, из которой интенсифицировалось испарение влаги. В результате понижения уровней грунтовых вод до 0,5 м создалась возможность...

Номер патента: 1606697

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Басалыга, Головач, Круглинский, Мазуренко, Мельник, Романовский, Федотов

МПК: E21C 49/00

Метки: месторождения, разработки, торфяного

...данные приведены в табл.2. Начальная влажность торфосапропелевой массы при закладке навалов бы ла 72,1 . Через месяц в навалах высотой 0,9-1,2 м средняя влажность5 16снизилась примерно на 4%. В навалахвысотой 0-0,7 м средняя влажностьбыла только на 0,7 ниже по сравнению с навалами толщиной 0.9-1,0 м.Следовательно, для стекания воды изнавалов, снижение высоты менее 0,9 мнецелесообразно. Увеличение толщинынавалов до 1,5 м по сравнению с толщиной 1,2 м приводит .к увеличениюсредней влажности на 1,2 . Происходит существенное снижение интенсивности обезвоживания. К этому следует добавить, что максимальнаявысота навала, создаваемая саморазгружающимися тележками МТПБ бездополнительных механизмов, может достигать не более 1,2 м.Хранение...

Номер патента: 1548788

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Басалыга, Кондратеня, Старовойтов

МПК: G06F 11/26

Метки: заполнения, информации, тестовой, узел

...фаза работы - это перезапись служебных наборов из блока 7 памяти в блоки 8-10 памяти и регистры5 группы. Ячейки блоков 8-10 памятис нулевым адресом для информации не используются, В этой фазе на входы 4 и 18поступают строб-импульсы, а на шине 13устанавливается уровень "1", означающий режим "Чтение". Кроме того, приперезаписи служабных наборов с выхода15 блока 14 памяти считываются единицы - признак, из блока 7 памяти считывается служебный набор,Вначале на адресных входах 12 устанавливаются нули, Через определенноевремя, равное времени выборки памяти, 25на выходах блоков 7 и 14 памяти устанавливается информация, а на выходаходной группы 21-24 - двоичное значениеадреса, равное "1", например, на выходах 22, Уровень "1" считывается также...

Номер патента: 1530775

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Басалыга, Головач, Мазуренко, Мельник, Резвицкий, Федотов

МПК: E21C 49/00

Метки: месторождения, разработки, торфяного

...способом. 45 ность торфяной залежи для работы добывающей техники.На фиг.1 изображена схема разработки торфяного месторождения, под.- стилаемого сапропелями, с использованием одноковшового экскаватора и прицепных гусеничных тележек разрез; на фиг.2 - то же, план.П р и м е р. Йа месторождении тросниково-осокового; торфа 1, степени разложения 30, подстилаемого смешанным сапропелем 2 со структурной прочностью в различных слоях по предельному напряжению сдвига .6-10 кПа, проводят исследования по разработке сапропелей экскаваторным способом. Толщина остаточного слоя торфа после обработки залежи фрезерным способом 1,5 м. В этом случае картовые каналы 4 глубиной около 1,3 м устойчивы. Расстояние от поверхности залежи до уровня грунтовых...

Номер патента: 1395543

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Басалыга, Данильченко, Завалов, Козлов, Маглыш, Наймарк

МПК: B65B 21/04, B65B 5/10

Метки: сосудов, укладки, ящики

...для формирования пакета сосудов ограничительным кожухом, приспособление для деления сосудов напоперечные ряды представляет собойсмонтированную на корпусе с воэможностью горизонтального перемещениярамку с укрепленными на ее нижней поверхности стойками, свободные концыкоторых связаны с решеткой для удержания сосудов, при этом головкадляформирования пакета сосудов установлена с возможностью вертикальногоперемещения,Изобретение относится к упаковочному оборудованию, а именно к устройствам для укладки сосудов в ящики с ячейками.Цель изобретения - понышение качества укладки сосудов путем уменьшения воэможности деформации их этикеток.На фиг.1 изображено устройство для 10 укладки сосудов в ящики; на фиг.2 - то же, нид сверху; на Фиг.3...

Номер патента: 1303797

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Басалыга, Белошицкий, Билей, Иллюк

МПК: F26B 3/347

Метки: диэлектрической, древесины, сушки

...- интенсифика(,ия процесса сушки и снижение энергозатр,1 т.На фиг.1 показана установка для суи)ки древесины согласно изобретению, вид сверху; на фиг.2 -- то же, поперечный разрез; на фиг.З - формы кривых питающего наи)яжения,Между основными электролами 1 и 2 устанавливают заготовки 3, к торцам которых крепятся вспомогательные торцо 1(ые электроды 4 и 5.На основные электроды 1 и 2 подаегся высокочастотное переменное напряжс ис фиг.З, позиция 6), К торцовым электродам 4,5 подастся высокочастотное напряжение одной полярности фиг.З, Гюзиция 7), синхооной частоты; сдвиг по фазе (р равен ,:0".На фиг.З также обозначено: О - иитаюгцее напряжение; (округовая частота;время.Основные электролы 1 и 2 располож).иы под уГ;Ом к движению...

Номер патента: 1096264

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Басалыга, Крутько, Можейко, Шевчук

МПК: C05D 1/02

Метки: гранулированных, калийных, удобрений

...хлористого калия со связующими добавкамис последующим гранулированием,дроблением и выделением готовой фракции, в качестве связующей добавкииспользуют альтии в смеси с полиэтиленполиамином. Изобретение относится к технологии получения минеральных удобрений и может быть использовано на предприятиях, производящих калийные или другие минеральные удобрения.Известны способы получения гранулированных медленнорастворимых минеральных удобрений, согласно которым для придания им повышенной механической прочности, уменьшения . вымываемости применяют различные связующие добавки, например синтетические смолы 11,Недостатком данных способов является повышенный расход связующих веществ при гранулировании удобрений, что приводйт к снижению содержания...

Номер патента: 1069164

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Басалыга, Офицеров, Сенчук

МПК: H03K 17/60

Метки: аналоговых, коммутатор, сигналов

...блока токового зеркала соединен с коллектором четвертого транзистора и с третьей шиной источника питания.При этом блок токового зеркала содержит три транзистора и резистор, эмиттер первого транзистора база которого соединена с базой и коллектором второго транзистора, соединен с эмиттером второго транзистора и с общим выводом блока токового зерка" ла, коллектор первого транзистора соединен с входом блока токового зеркала, а через резистор подключен к базе третьего транзистора, эмиттер и коллектор которого соединены соответственно с коллектором второго транзистора и с выходом блока токового зеркала.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства,Коммутатор аналоговых сигналов содержит первый и второй переключающие...

Номер патента: 551700

Опубликовано: 25.03.1977

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, интегральная, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...Уфиг. 2,31. В отсутствие импульса опроса напряжение на числовой шине, а, следовательно, на истоке МД 11 - транзистора, равно Ч Передаточная характеристика А (фиг. 2) транзистора формируется такой, чгобы пороговое на ЗЭ пряжение Чр было несколько меньше минимальной величины Ч. При этом в отсутствие импульса опроса МДП - транзистор ячейки, находящсйся в состоянии единицы, закрыт, цо близок к сткрыванию. При опросе на числовую шину 1 поступает 40 отрицательный импульс фиг. Зр и трацзистоо открывается. Токпротекаег от исто пека напряжения (+5 В) через резис 1 ор 3, МДП - транзистор 5 в числовую шиву 1, Импульс напряжения на разрядной шине 2 фиксируется усилителем считывания 5 как сигнал считанной ециницы. Когда ячейка находится, в...

Номер патента: 530371

Опубликовано: 30.09.1976

Автор: Басалыга

МПК: H01J 17/40

Метки: газоразрядная, индикаторная, панель

...стороне основанияподпожки 1 так, что штыревые электроды 2 щпроходят через ее отверстия 5 вдоль ихосей. Диаметр отверстий 5 болыде диаметрра электродов 2,Газоразрядная индикаторная панель содержит также стеклянную пластину 6, в 30которой размещены цилиндрические электроды 7, выполненные в виде тонкостенныхметаллических трубок. С внешней (лицевой)стороны пластины 6 трубки 7 покрытысплошным тонким слоем 8 стекла, толщи- Збна которого может быть в пределах 0,1-0,3 мм при диаметре трубок 0,5-1,0 мм.Между трубками 7 имеются зазоры, которые полностью или только на части длины(как показано на чертеже) заполнены стеклом. Следовательно, трубки изолированыодна от другой и могут быть элежрическисоединены по любой схеме. Внучуенняя поверхность 9...

Номер патента: 511630

Опубликовано: 25.04.1976

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...ток через гиЯОразрядный прибор и транзистор 8 не течет,и напряжение па стоках )рянэнсторовравно нулю. В нулевое состояние ячейкапамяти устанавливается откд)очением илипониж 8 нием няпрчженин смещений. П)иэтОм происходиГ стиряние аяннъгх В мгтрице ПЗУ.В СОСТОЯНИ 8 8 ДИНИЦЫ ЙЧЕйка ПЯМЯТНустанавливается пм пульсом сВетя миниа тюрной импульсной лампы, Свет импульсной лампы через прозрачную кодовую плошадку информационного фототрафйре 1 й попадает на катод и вызывает интенсивную фэтоэмиссию электронов. Злекгроны образу)от массу ла- Вин, электрическое ПОле между яцоаэм и катс)дэм иснажавтся за сче 1. Образовавц 18 Гося Облака НОИОВ и создаетсусловие сушествОВяния самостэятельногэ тл 8101118 ГОразряда, г 9 Я ф 19 г, 2 пэказяцэ Вг а 11 М 1108...

Номер патента: 495706

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Басалыга, Росина, Щербаков

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...ьцый эл фор сир ацця 8.Изобретение относится к области вычислительной техники.Известны усилители считывания, содержащие дифференциальный каскад, вход которо. го соединен с выходом предварительного каскада, а первый выход - через последовательно включенные элемент сравнения и интегрирующий элемент - с входом предварительно. го каскада, и эмиттерный повторитель.Недостатком известных устройств является недостаточное быстродействие.Цель изобретения - повышение быстродействия усилителя считывания.Для достижения цели усилитель считывания содержит форсируощий элемент и ограничительный элемент, причем второй выход дифференциального каскада связан с входом эмцттерного повторителя, и через ограничительный элемент - с шиной стробирования, а...

Номер патента: 492933

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: динамическая, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...промежутке свободных электронов нет. При поступлении импульса напряжения питания ток в газе не течет, так как нет первичных электро нов, порождающих начальные лавины.Благодаря токам утечки конденсатора газоразрядного злел 1 ента и затвора, затвор приобретает потенциал, близкий к на пряжению 0 с, которое, в свою очередь, близко по зеличине к верхнему уровнюимпульса опроса. Затвор и исток будут под ОдинаЯвым потенциалом.Передаточная характеристика д МДП- транзистора (см. фиг. 3) выбрана такой, что транзистор при равных потенциалах затвора и истока закрыт, но находится на границе открывания. Импульс опроса 3 с числовой шины передается через конденсатор на затвор транзистора без потери амплитуды, поскольку сопротивление межд узлом...

Номер патента: 434512

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Басалыга, Исаенко, Кибисов

МПК: H01J 17/02

Метки: газоразрядная, матрица

...с металлической пленкой отверстий 9, образующей катодную поверхность газоразрядных ячеек матрицы. Каждый из штырьков 6 имеет электрический контакт с соответствующей полоской 10, В другом варианте катодная пластина может иметь сплошную металлизацию и один общий вывод.Пластина-основание 4 и пластины 1, 7, 8 имеют совпадающие контуры. При сборке на торцы наносится вакуумплотный герметик (на чертеже не показан). В пластине-основании 4 делается дополнительное отверстие, в которое впаивается стеклянная трубка (на чертеже не показано), посредством которой матрица при изготовлении подпаивается к откачной установке.Пластины 1, 7 и 8 выполнены из светочувствительного стекла (исходного материала фотоситалла). Заготовку лицевого стекла...

Номер патента: 374661

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/28

Метки: запоминающее

...правило, не менее 100 яксек.Чтобы записать информацию, все ячейкч нужно установить в О. Это можно сделать, например, кратковременным отключением источника 7. Для включения ячеек катоды диодов 4 освещаются импульсом света, Фотоны выбивают из катода электроны, благодаря которым зажигается тлеющий разряд даже при величине Е меньшей, чем С/,.На фиг. 2 а обозначает характеристику диода, освещенного обычным светом умеренной интенсивности, б - характеристику резистора. Точка в соответствует нулевому состоянию ячейки (ток равен нулю, тлеющего разряда нет), а точка г - единичному состоянию, в котором ячейка потребляет ток,Если катод диода освещен интенсивным светом, характеристика разрядного промежутка меняется, приооретая форму кривой д. В этом...

Номер патента: 362350

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/26

Метки: газоразрядная, запоминающего, матрица, полупостоянного, устройства

...засветки участков, расположенных рядом с выбранной запоминающей ячейкой, через толщу прозрачного материала.Верхние металлизированные поверхности 8 подключены непосредственно к источнику смещения 9, а нижние металлизированные поверхности 10 к источнику смещения 9 через электронныйпереключатель 11.Предположим, что если в запоминающей ячейке тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и верхней металлизированной5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 поверхностью 8, то это равносильно тому, что в запоминающую ячейку записан код О, если тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и нижней металлизировапной поверхностью, то в запоминающей ячейке находится код 1. При выборке определенного слова в накопителе соответствующая нижняя метал-...

Номер патента: 399013

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, матрица, оптопрограмлдируемого, полупостоянного, устройства

...От)с.)П)иьХ электронов из подложки через пзолпруюш,ю ТОПКУ 0 ПЛСПЕМ ОЕПСП )СТЯЛЛД ПО;ЛО 1:П 13 2.3 СЛОИ ОЕПС 1 )1 сзПП 51 ЗЛСКТ)ОПЬ 1 П 01 ииБПС (; Г 0)КК СКО)51 ОТС 51 ПОЛСХ П, СТЗ;ЕП 31:СЬ С чс 1 стпцз ми:, п)п движепип В пор с 1 х), Быбп 210 т ВТОРПЧ)ЫС ЭЛСКТР 01)Ь 1. ОКИСЬ )сГНИЯ ОДПТС 5 Л 5 ЭТОГО ЕЗТОЯ 1 с) ЬЕО ПОТО ТО ,С( б)0 ц шои )(Оэффп цп ъп 3 Борпгцои эмп( (11То)П Пь(. Э.1(Е 1 Р 0 Ы ЯисЛОГсПО 13 ЫО 13 сОТ слсдуощис элсетроцы 1 т, д, В слое окиси мдгПП 51 П)ОПСХОДПТ;сБИПНОЕ УМПОЖСППС ЭЛСЕТГ)0- ЦО, ООЛ ЬШ 2 и Ч с)СТЬ КОТО)ЫХХОДПТ ЦсО;, с )спьш 51;)око)биип)уст с положптсгБпы)и попси. В коппс КОНИОБ мстдпс;и 3 Стс 5 ПОСТ 05 ПЦ 15 ЭПС.П 5 ЭЛСЕТООПО 3 С ЕЯТО.с 1. П и 7)- 1 ссс поддсржБдстся уже без псшпсго освсПСЦП 5.ВО Брсхя )х...

Номер патента: 270814

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающее

...получают смещение в прямом направлении от источника тока 18. На фиг. 2 характеристика ТД изображена кривой 40, а линия смещения - прямой 41. Так как источник 18 имеет очень большое сопротивление, линия смещения располагается почти горизонтально, Примем, что точка 42 означает хранение 0, а точка 43 - хранение 1. Различные ТД могут хранить различную информацию (или 0, или 1), следовательно, в точке 19 суммарное напряжение будет колебаться в зависимости от записанной информации в разряде, так как в состоянии 1 на ТД будет повышенное напряжение, а в состоянии 0 - пониженное. Конденсатор 25 разделяет по постоянной составляющей точку 19 и формирующую схему 21,Допустим, что формирующая схема 21 вы.дает положительный импульс (или же...

Номер патента: 220624

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Басалыга

МПК: H03M 1/82

Метки: двоичного, дешифратор, кода

...состоит из идентичных и узлов, причем каждый узел управляется одним разрядом регистра адреса. Каждый узел состоит из двух импульсных потенциальных клапанов Зб 41 имеющих входные потенциальные цепи 42 - 44 и выходные 45 - 47, Вход 45 клапана ф 7 совдиняется с одним плечом триггера регистра адреса (на фиг. не показан), а вход 42 клапана Зб с другим плечом того же триггера. Выход клапана Зб соединен через линию задержки 4 б, а выход клапана З 7 - непосредственно со входами схемы ИЛИ 47. Выход схемы ИЛИ 47 связан с импульсными входами двух клапанов З 8, З 9 следующего разряда. На импульсные входы клапанов первого разряда подается пусковой импульс, Выход 48 схемы ИЛИ 49 последнего разряда является, выходом преобразователя, Линии задержки 4...

Номер патента: 181195

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Басалыга, Хкя

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперных, нелинейных, характеристик, элементов

...со схемы измерения на входы х и у осциллографа 1, одновременно подаются на дискриминаторы напряжений 2 и 3. На другие входы дискриминаторов поступают постоянные, регулируемые потенциометриескими делителями 4 и 5 и измеряемые приборами б и 7 напряжения, В момент совпадения величин входных напряжений дискриминаторы дают на выходе положительный импульс. Импульсы с двух дискриминаторов собираются схемой ИЛИ 8 и подаются на вход г осциллографа. На экране осциллографа получают характеристику нелинейного элемента с яркими точками, параметр которых определяется приборами. Импульс, выдаваемый дискриминато 5 ром 2, засвечивает на характеристике точку,напряжение которой определяется приборомб.Выходной импульс дискриминатора 8 отмечает точку...

Номер патента: 168522

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/40

Метки: симметричный, статический, триггер

...чертеже приведена принципиальная схема триггера.Работа триггера происходит следующим образом. Если триод ПТ 1 открыт, а ПТ закрыт, то коллекторный ток триода ПТ, течет через сопротивление Лг и обмотку В 1 трансформатора Тр, индуктивность которого накапливает энергию. Точечные диоды Д, и Д закрыты. Между источником Р, ограничения напряжения и источником г питания ток течет через плоскостной диод Д. и сопротивление Я На базе диода Д накапливается заряд неосновных носителей электричества,При закрытом триоде ПТ, холостой ток трансформатора течет через базу триода ПТх, и он быстро откроется. Через обмотку В 2 будет проходить ток, заряжающий емкость С, и емкость внешних цепей, присоединенных к триоду ПТ 1, Этот ток несопротивлением Р., так...

Номер патента: 146355

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Басалыга

МПК: G05F 1/12

Метки: импульсов, стабилизации

...В разрыв коллекторной цепи в точк."х 1 - 2. Напряжение источника питания +/, подключенного в точке 3, составляет 2 - . 4 в. В коллекторную цепь триода ПТ включен диод Д. Во избежание ответвления тока в сопротивление нагрузки тх ., точка 4 нс должна иметь потенциального соединениЯ с зехлей, 1( точке 4 подВОдятся ОтрцГГательные ихпульсы напряжения с триодиь 1 х клк)чсй, соб 1 ранныха высокОчастОтных триодах, Эти триоды, работая в рсжцмс переключения, могут коммутцровоть ток порядка нескол.кцх амср.Ло 146355 При этом диод Д закрывается и ток нагрузки протекает по коллекторной цепи, Триод ПТ не пропускает ток больше ранее установленного, и при уменьшении сопротивления Ризбыточная мощность рассеивается триодом.Инерционность триода уменьшает...