Интегральная ячсика для гшс1и51иниги запол1и н ающего ус i poiici ва
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 399916
Текст
ОЙ ЙВЧАЙ ИЕ Й 3 О Б Р Е Т Е ЙИ Я Союз Советских Социалистических РеспубликАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от двт. свг)детсльсецо 24.И 1.972 (Х 4 1815396/1 присоедицецие.; заявки Ъ осударственныи комитетСовета Министров СССР па делам изоеретеннй 1 риоритет)"-гв горыизобретсця С. Гиоькер, Г. Ч. Курышев С Сипи стцтут физики полупроводггков Си)игр(кого отдееиг Л 11 ССС 1 аявитель 41 П 1;Г 1-"АЛЬ 11 АЯ ЯЧЫ 11 А Д,)19 11С 1 М, 1.1 :"ГО ЗАПО)у 11111 Ио 1 ЦГО УСГг.11 С 1 ВАк обла Из риче стро с дв ции ель ач 2 ДП ов Эт ар Изобретспие оиоситс: сти вычисли)сльцой техники.Известны запоминающие устройства ца МДП-граизисторах, и которых для записи иц(рормации используется ицжекция горячих электронов. Записаццая ш(формацияе разрушается при отключении питания и дает возможность мцогократцого считывания. Одцдко ваких усройствах цевозможца перезапись иформации с помощью электрических сигналов. Информация в элементе стирается с помощью ре)пгецовского облучения, что ограцичивает область примецеция прибора. Кроче того, мцогокра.)цое стирание рецтгецовским облучецием необратимо изменяет характеристики прибора. вестцы также МДП-устройства с электской перезапцсыо информации, Оци поецы ца основе П-кацальцого транзистора мя затворанти в двухслойной коцфигураи Р-кацальцого трацзистора с дополни- ными ц - р переходом и двумя затвов двухслойной конфигурации.предложенной ячейке использовацы два -транзистора противоположного типа одимостг с общим плавающим затвором. о позволяет улучшить эксплуатационные к.ерис. ши ячейки,Запоминающая ячейка пр(дставлеца цаиг. 1. фОца сос)о 1 и., 1 ДП-)рдизис 1 оров, выполцеццых ца плдсгипс 1 кремния ц-типа с кдр манами 2 р-тица. Обд трдцзистора имеют общий плавающий затвор 3, выполцециый, например, из поликрисгаллического крсмция и отделенный от плдс)ицы кремил диэлектрическим слоем 4 двуокиси кремния толщиной 500 -000 Л. Плдва)ощий затвор закрыт сверху илекот 5 диэлектрик), цапример пиролитическо) двуокисью кремиия.На шш(у 6 поддс)с: сигнал здписи и считы вдция. Сток ) кдиальцого )рдц.)ис)ора 7 сосдицеи с исо)(о 1 Ь г-кдц альогордзис Орд.Рассмотрим рдбо)у здпомццдющсй ячейкив схеме включен, и 1)сдстдвлеццой ца фиг. 2.В исходцом сос)о,)ции при нулевом заряде О ца плавд)огцем за)воре 3 обд трдзисгорд закрыты, по)еццпал ца выходе ячейки цсопределен, При подаче их)пульса отрицателього цапряжеш)я цд шш)у 6 в области истокового р-л.прехода первого трдцзцсторд происходит 5 пробой и гор.)чис электроны здряжа)от плава)оцги) затвор 3. При этом 1 рацзистор с р.кацалом открывдс)ся и выходное цдиряжсцие ца выходе 7 - 8 рдвцо пулю. При )юддче имп(ульсд цд ггип) 6 цдпг)яжсцие через сопро399916 Предмет изобретения Составитеггь Р, Лавровская Редакгор Е. Кравцова Техред Л. ьогдаиова Корректор М. ЛейзермаЗаказ 203,12ЦНИ 1 Тираж 576овета Министров СССткрытийаб., д. 4/5 зд До 49арствеииого комитета о делам изобретений сква, Ж, Раушская диисиое 1 Гос пография, пр, Сап.нова, 2 тивлепие Открытого р-каиальиого транзистора попадает па выход 7 - 8, происходит пробой стокового перехода 8 и горячие дырки попадают в плавающий затвор. Плавающий затвор перезаряжяется. При это транзистор с гг-кяпялом зякрывяетс 5. Няпряжепие пя ВьХО- де 7 - 8 равно апряжешпо питания, Затем цикл записи и стирания ицформяции можпо повторить.Таким образом, с помощью такой ячейки можно неоднократно производить запись и стирание информации электрическими сигналами. Иптегралгпа; ячейка для постоянного заюмпняющего усройсвя, содержащая МДП ар;пгзпстор с п 71;вянщих з;п вором, отличаю.гатгсг тем, что, с целью улучшения эксплуатяциоппьх характеристик, Опя содержит Второй МДП-транзистор противоположпого типа проводимости, причем оба гранзпстора имеют 10 общий плаваОгций завор, а сток первоготранзистора соединен с псоком второго и с выходной шиной, исток первого транзистора соединен с шиной записи в считыван, сток второго - с шиной псго шика питания,
СмотретьЗаявка
1815396
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40, G11C 17/00
Метки: poiici, ающего, гшс1и51иниги, запол1и, интегральная, ячсика
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-399916-integralnaya-yachsika-dlya-gshs1i51inigi-zapol1i-n-ayushhego-us-i-poiici-va.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральная ячсика для гшс1и51иниги запол1и н ающего ус i poiici ва</a>
Авторегулируемый формирователь напряжения записи для электрически программируемых постоянных запоминающих устройств на кмоп-транзисторах
Номер патента: 1631606
Опубликовано: 28.02.1991
Авторы: Груданов, Сидоренко, Хоружий
МПК: G11C 17/00, G11C 7/00
Метки: авторегулируемый, записи, запоминающих, кмоп-транзисторах, постоянных, программируемых, устройств, формирователь, электрически
...5 модуляции стокового напряжения записи уменьшается до величины, при которой через транзистор 5 на сток транзистора 8 с плавающим затвором передается напряжение, равное напрякению лавинного пробоя р-и-перехода стоковой области, Одновременно напряжение с коллектора транзистора 11 подается на шину 14 выходного сигнала, которая соединена с затвором соответствующих ключевых транзисторов (идентичных транзистору модуляции стокового напряжения записи), которые обеспечивают передачу через последующие цепи дешифрации столбцовых шин на сток выбранных ячеек памяти накопителя напряжения записи, равного по величине напряжению, воздействующему на сток транзистора 8 с плавающим затвором. Таким образом, стоковое напряжение записи ячеек памяти...
Способ обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах
Номер патента: 601639
Опубликовано: 05.04.1978
Авторы: Казанцев, Фролов, Ширшов
МПК: G01R 31/27, G01R 31/28
Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора
...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...
Триггер на мдп транзисторах
Номер патента: 790127
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Берлинков
МПК: H03K 3/286
Метки: мдп, транзисторах, триггер
...транзистора, а второй вход второго элемента ИЛИ-НЕ подключен к шине записи информации,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема триггераЭаказ 9058 5ного комитеений и открРаушская на Тираж 9 сударстве ам изобре ва, Ж,ПодСССРий сно 4/ 113 илиал ППП "Патент", гУжгород, ул. Проектная, 4 Устройство состоит из первого логического элемента 1 ИЛИ-НЕ, который содержит два параллельно включенных переключающих транзистора 2 и 3 н нагрузочный транзистор 4, последовательно включенный с транзисторами 2 и 3 между шиной питания 5 и общей шиной. б. Один вход и выход элемента 1 подключены, соответственно, к выходу и к одному иэ входов второго логического элемента 7 ИЛИ-НЕ, вы,.полненного аналогично первому на транзисторах 8-...
Триггер со счетным входом на взаимодополняющих мдп транзисторах
Номер патента: 1622925
Опубликовано: 23.01.1991
Авторы: Берг, Габсалямов, Шейдин
МПК: H03K 3/353
Метки: взаимодополняющих, входом, мдп, счетным, транзисторах, триггер
...э транзисторы 13 и 14 закрываются, на затворе транзисгарэ 5 сохраняется сигнал "Лог. 1" за счет емкостей собственной цепи затвора и стока транзистора 11,Выход инвертора 18 через открытые гранзистары 5 и 6 подключается к общей шине 20 и эчинэется переключение триггера, На выходе лнвертора 18, входе инвертора 19 и нэ за гворах транзисторов 10, 12 и 16 устанавливается сигнал "Лаг, 0". На выходе инвертара 19, входе инвертора 18 и на затворах транзисторов 7, 11 и 15 устанавливается сигнал "Лог. 1". Трзнзисторы 4, 10, 16,1 и 11 закрываются, а транзисторы 2, 7, 15, 3 и 12 огкрьваются.Емкость истока транзистора 11 разряжается через открытые транзисторы 15 и 17 на общую шину 20, Затвор транзистора 5 срез открытый транзистор 7 подключается к...
Полупроводниковое запоминающее устройство
Номер патента: 1008791
Опубликовано: 30.03.1983
Автор: Тенк
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее, полупроводниковое
...12 со стоками ключевых транзисторов 7, затворами и истоками нагрузочных транзисторов 8 соответствующих адресных усилителей 6, стоки нагрузочных транзисторов 5 и 8с дешифраторов 3 и адресных усилителей 6 подключены к источниху 27 постоянного питания, Два входе блока элементов И 16 подключены к выходам одного из адресных усилителей 6, а выход - к первому входу первого формирователя 21 управляющих сигналов. Блок 17 разрядных ключей содержит блох элементов ИИЛИНЕ (транзисторы 4 и 5) и шину 13 строки с максимально возможным в накопителе числом подключенных к ней затворов транзисторов 2, стоки которых соедине3 3.0087ны с соответствующими шинами 14 столбцов, а истоки - с истоками транзисторов2 накопителя 1, Два входа блока ИЛИНЕ подключены к...
Предыдущий патент: Устройство памяти
Следующий патент: Ahajloroboi: ; запоминающее устройство
Случайный патент: Устройство для электромагнитногоконтроля электропроводящих покрытийна электропроводящем основании