Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

9 О 3 П И Союз СоветскиоциалистическиРеспубпик И"Е РЕТЕН ИЯ Н АВТОР СК ВИДЕТЕЛЬСТВ яв 11 С:1)Ос О 11:11.,В:1 летсльст 13 я Л" 1 О 11 с 114 аявлс 1 о 01.111,1171 ( 1634526;18- И 3.1 СОСДИЦС 1,1( 1 Я 511 ФКЛ) с)дарственныи комитет авета Министрае СССРпа делам изобретений 1 риор;Тст -х;1,К 621.34,32 (088.8 пуол 111 ОВяно 27. Х,1973. Б 10 лл(1 с( ьЯтя Оп) Олин3115 Ои ся и и 5 21.11. 1,17 1 открыти Автор зобретени: В, ф. Басалыга аявитель МАТРИЦА ДЛЯ ОПТОПРОГРАММИРУЕМОГОЛУПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 11 звсстц)1 Втр и и 1;1,1 Оптороги 1 ) ) 1)смого иолуш)стоиного заиомиияющсго устройстВя ц 51 чсйкях, кя)кдя из которь 1 х содер)китдва иолупроволииковых диода и фоторсзистор, сосдиисциыс по схеме лио;1 ного перекл)о ятс.1 тока. Токозя;1 я юи 1 и)1 элс)ситомслслцсго явлется фоторезистор. Олияко фоторсзисторы, нхол 511 цис В ячейки такой матрицы,имс(от большой темиовой ток. сравцимый срабочим сигналом ц изменяющийся от образ(ця к образцу. Темцовой ток и спектральнаячувстгитсльиость фоторезисторя сильно зависят от тсмпературь), причем предельна рябоЯ 51 теисрятуря фоторсзисторя це превышаст60 С. 1.Для программирования информации трсбуетс постоянный источник света в виде люминесцеитиой панели, амплитудно-спсктральцяя характеристика излучени 51 которо 0 такжесильно зависит от температуры и, кроме того,подвержена старени 10,Следовательно, разброс электрических параметров ячеек, вызванный колебац 1 ями температуры окружающей среды, еще больше увеличивается из-за временных и температурных 2изменений характеристик источника светя,освещающего через светотрафарст фоторезисторы выбранных ячеек памяти. Это снижаетнадежность известной матрицы и ухудшаетсоотношение сигнал-помеха. Прсллягасмя м;)триц отличяетс от известной тем, что в исй, В целях повышения надежности работы, применены запомипаоп(ие ячейки нового тиия, способные находиться В двух устоичивых состояиих при отлтствии постоянного осве)пения.11 з первого устойчивого состояния, в котором токозядающий элемент ячейки ис проводит ток, ячейка переключается во второе устойчивое состояние при облуче 1 иш токозалающего элемента ячейки мощным импульсом света, плучясмым от лампы вспышки.Ячейка памяти матрицы, выполненная посхеме диодого переключателя тока, состоит ИЗ;113 УХ ИОЛУИР 013 ОДЦИКОВЫХ ЛИОДОВ И ЯВТО- эм)гссиоц)нц о диода с колодным окись-мягиисВь(м катодом, соединенных звездой. причем точка соединения обьелин 5 ет аноды полупроводниковых диодов и катод явтоэмиссионногодиода.1 ятол явтоэмиссш)иного диода представляетсобой пористый слой окиси магния (МдО) тол)пипой 10 - 100 лк.1, нанесенный иа плоскую предварительно окисленную никелевую в подложку. Анод представляет собой металлическу)о сетку, помещенную ня расстоянии от катода, ие превышающем 1.1(,я. Электроды цахолятс и вакууме В стеклянном баллоне.Если ия лиол подать напряжение смещени и 100 в 2 в, то ток через него равец нул)о д(, ), :)Е; С М С Г 1 ЫЗс 1; )Г(. )(1 П., Э ПСС 5 1 сТО;с ЕсЕ) - Г 100 ,3 ПСПП В 13);3 бхя- ,КЧЦП) ЗЕ 10)О). ) .1;ии(7)1 Г;1 Х 3 С 1:. (т; - :5 Т ПиТСРСС 3020 и:Сиис 170 ЛХИ СР(ЧЬСТОПцЕО) (.3 СТ: О:ЕСТ (ЛЖПТЬ )СГ 7. З рития П Пул; 5, ) М и 1 ( 1 ПИЕП, ;0 орд чсрс: сстотрз1 рст, 1(смпцй 1)орзцпк), ч(роз корпус;и тоэмиссиоипого диод и сетчдТьП ПОД, БЗДСПСТ)ССТ Г 3 СТОХ ПДЛРЙ ОЕС М с П. ..СЛ П СЛО; О С 1ЗГ 335:)Л)с)СТС 5 И НТСП- пгпы) Пот 0101 1)от)пог, последппс гыбпвгк)т из окиси элсетропы, которые уходят по; дсйстгем 7,сетри;с(кого пгля ид зцод. Е) резул - тдтс ело 1,пО приобретает положптсльп,й ) ) зяр 5 д и э;сетрпесеос полс ежду ие(лсОЙ подложкой п окисшо суцсствецпо возрастает, ЭТО Г 10 ЛС СИОСООСТВУСТ ПЕ)СХО; От)с.)П)иьХ электронов из подложки через пзолпруюш,ю ТОПКУ 0 ПЛСПЕМ ОЕПСП )СТЯЛЛД ПО;ЛО 1:П 13 2.3 СЛОИ ОЕПС 1 )1 сзПП 51 ЗЛСКТ)ОПЬ 1 П 01 ииБПС (; Г 0)КК СКО)51 ОТС 51 ПОЛСХ П, СТЗ;ЕП 31:СЬ С чс 1 стпцз ми:, п)п движепип В пор с 1 х), Быбп 210 т ВТОРПЧ)ЫС ЭЛСКТР 01)Ь 1. ОКИСЬ )сГНИЯ ОДПТС 5 Л 5 ЭТОГО ЕЗТОЯ 1 с) ЬЕО ПОТО ТО ,С( б)0 ц шои )(Оэффп цп ъп 3 Борпгцои эмп( (11То)П Пь(. Э.1(Е 1 Р 0 Ы ЯисЛОГсПО 13 ЫО 13 сОТ слсдуощис элсетроцы 1 т, д, В слое окиси мдгПП 51 П)ОПСХОДПТ;сБИПНОЕ УМПОЖСППС ЭЛСЕТГ)0- ЦО, ООЛ ЬШ 2 и Ч с)СТЬ КОТО)ЫХХОДПТ ЦсО;, с )спьш 51;)око)биип)уст с положптсгБпы)и попси. В коппс КОНИОБ мстдпс;и 3 Стс 5 ПОСТ 05 ПЦ 15 ЭПС.П 5 ЭЛСЕТООПО 3 С ЕЯТО.с 1. П и 7)- 1 ссс поддсржБдстся уже без псшпсго освсПСЦП 5.ВО Брсхя )х 1 псспи 1 сто; с(т 1 С 5 ОСс;пй.голубым мерцаюцим светом. Зз)ис(Ость то- (с 1 ОТ ПИРЯЖСПП 5 СХСЩСНПЯ ЛОГс)РМПССЕЗ 51.При паиряжецип смещения 80 - 200 в дости-,( Гс 1 стс 51 плОтпОст ь тоес;О 10,с(/0,3 . Поес 320, что прп плотпости тоез пссео.ко мпллпдпер Ид ВЗГРс)ТПЫ СсиТПХСТР ДПОД ХОЖСТ )ДООТЯТЬ ОСЗ ПО)ТОРОГО ВОЗОУЖДСПИ 51 ДЕС 51 Т 1(и Т 11- сяч часов при тспмсратурс до 200 С. Иовы- Л ПСНПЫС ПУМЫ Тс.ОО ДИО;с ПС ПМС 10 Т ЗПЯЧСПП 5 Р ПРООРЯ П МСТРОЙСТс 1 Х ДПСКРСТПОО д(.йстп 51, под 00;пх ОписНзсмОЙ 1 трпцс,сч (Р .ИЗООРДЖСс РПНЦиисЛП 1351 СХС- В) ма прсдлгдемой мтрпцы: ия фиг. 2 иокзздп ТНПОВяя ЯЗВс)ОсГ плотцоси тоез От п 1 пр 5- ЖСПП 51 С)1(Ц(.ПИ 5 ЯВ ОЭМИССОППОГО ДОДЯ С ХОЛОДНЫМ ОЕП(Ь.мс 1 ГИПСБЫ)1 ЕсТО,).1.Матрица имеет хдиыс 1 и 13 ыхогпьс 2 ш- П Ь. 1 ЯЖ;3 5 (С Я сСи К с П с )1 ЯТП (0)СР)К ПТ Б полУРОБОдппеовых поде) 13 4, сосдпсии,х сцодахи 1 меж ,) сОбОЙ 3 с естодом) сВтоэ. и- с 0 ого диод 6. Диод 6 имеет, кроме того, П 7 03 Р с 1 Ч П П 1 с 1 П 05 lСТС КЛ Я П Н Ь 1 П с 1 К У У )И Ь 1 И бсЛЛОП 3. 7)305 Ь ВСЕХ я 3 ТОЭМПССП 0 ПЬХ (ПО;013 подсоедицсны иосредстгом шины 9 к источп -10 пр 57 снп 51 смеп(51 +1. ДпосьЕЖ Д) И 5 с(. П).( Ос:1С П Ы ЕО.Оя Ь В Хо,ПОй ШПИМ. 5 сСОКИ ИКЛЮЧСПЫ ВО Всех ТОЧ- едх пересечения шин.В ИСХО;ИОМ СОСТ 05 П 1 и Ес 1 ЖД 51 БХОдНяя Шция срез электронный переключатель 11 (показзц усЛОВНО) СмеЩЯСТС 5 ПЯПрЯЖСНием - 2 ИСТО 1. пика 12.Если сигнал дсшифратора (це показан) возбуждает переключатель 11 (цижций па фиг. 1), последний подключает входную шину к па ЖСППЮ- ) 3 ПСТОЧППКс 1 1 с). ВЫХОДПЬ 1 Е Шииь через резсторы 14 подсоедипспы к обпей пу 1Ши(.)Пд фиг. 2 показиз тпювяя зависпмосп 1 ЛОТПОСТП ТОКД ОТ ПЯГРЯЖЕПП 5 СХ 1 ЕЩСНИ 51 сЯВТОЭ)ПССПОПОГО;ПО;с 3, ХС 10 П 15 Л)ГЯРИфхичсс 1 пй;зеОН. Прп пспр 5 жсппп Около 220 и с ПЛОНЯ;П ЕЗТО:с ПОР 5 ДЕЗ 11 )ОЖЦО СП 5 ТЬ ТОЕ 13 НЕ)СЕОГП)ЕО;СС 51 ТЕОВ М П К 702 М ПСР. СЛС,0 вательио, диоды 6 могут быть довольпо,пи;- тюрыми.Тс 1 з додБ 6, которые были прсдвзритсл - по Бозбу)едспы п)пульсом света, проводят геОт источника 10 ю испи: диод,), входия шипа, ереключатсль 1, псточпик 12 цдпря)еспп 51 -. ДПО, 4 ззер 1 т япр 51 жсппс)-.с 3 - пТопи( пдпр 51)1015 2 01- .Р ЬтЪ, ПО;С )7.Если д 3 тОэмпсспоппыЙ ДПОД 51 с 31 еп пс Боз. буждался светом, ток через диоды равен пулю, ;ПО, с здисрТ, Паир 5 ЖЕНПЕМ ) ) - с ),)3, Г;Е с;сЗ - ЦаиРЯ)КЕНИЕ ОТСЕЧКИ .ПОДЯ .П 7 сч,тыдпип эл(.етропцыЙ елк)ч 11 (и. П 7 П М С Р, П П Ж П П И ) П С 7 СЕЛ Ю 1 1 СТС 5 С П с П Р 5 Ж( пп 5 - ) истоп 3(с 3 12 пс пспр 51 жсппс +), пст)чппед ). Ток 1 (Величина его практически пс изменяется) псрсклочзстся в цепь: диод 4, 13 Ь:ОДНЗ 5 шид, сзСт)р). Пдп)5 жспп(. +Б ПО СЛППП 3 С ООЛШПС, с 1)с П 1 ДСППИ Пдиряжсп.й ця диОДЕ 4 резпгтире 1, ПОЭто;ПО:3, Е) Ы Бд(.Т 5.1 с 1 (Ч 3 СТО)с 1 311 ДСГЯССЯ ),С с)5 - ЖСПП 5, СООТБСТСТБМЮ 1 ЦП СИГНЯЛМ СПТДПНОЙ е;шпицы. У тех ясек, у которых 13 то=а 3 сс- Онппый доде ироводт, сигнал 1 з резисторе 1 е Выделяется (может быть помех ш-зд см- ЕОСТ( ПОЛ УПРОБОДНЗП(ОВЫх;по;)Б) . )ти СО. СТ 05 ЦПС СООТБ(.ТСТБУЕТ СсиТсии 0),П 30 ИО. И УЛО.Ц С и и ОСТЬ и 7 и Х С и С и И Я с 1 ТО Э Х 1(.(. и О и и Ь 1 и О. ОВ З 1:ОЯЕТС 5 13 303)10)ЕПОС ПЗГОТ3;(ПНЯТ С Г) сГ0Д Т) 111 Т с (; Д( ),О 1С О 0П МИ О.О.1 р(,м ( т и;обретсп яМ три дг 5 Оптопр(7 рз и )1 пр) (710 О и ОГмИОСТО 5 П ОО 3 Я П(7)1 П иОП СО СТРОП .ТЯ, СОРЖ 325 1 СРСЕ 01 СС 5 3;ОД 1 ЬС 1 Б)ЫХО,. Ыс и ,Н 11, 3 еждОЙ то" 1( игр(ссчеиия еото- РьХ ЕГО 3 с 5 ЧС 1 с Пс)151 ТП С ПРС."11 ПКО) ПЗЛМ(П 51, ВЕЛЮСии Ы. )Е)КДУ ПСТО 1 ППКО) Пс- пряжспия смсцеипя и точкой сое:пепи)1 полу- ПРО 3.) Пи(71)ьХ:ПО;ОВ, Б)ЕЛОЧСППЬХ ХСЖ;) Ш ; П ТС.03313 ГСЛ 1,0-13 СТРС 0, ОГЛПЧПт