G11C 11/38 — туннельных диодов

Номер патента: 173002

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Исламов, Каменецкий, Чепрасов

МПК: C01G 23/02, C22B 34/12, G11C 11/38 ...

Метки: ванадия, тетрахлорида, титана, хлора

...титана от примесей пропусканием его паров через углеродистую насадку при 200 в 3 С,Предложенный способ отличается от известного тем, что пары тетрахлорида титана пропускают через углеродистую насадку при 600 - 750 С. Это позволяет осуществить более полную очистку тетрахлорида титана от примесей, так как при температуре 600 в 7 С уголь является активным восстановителем и хлориды низких валентностей ванадия переходят в твердое агрегатное состояние. При этом ванадий концентрируется в незначительных количествах твердых металлов, которые являются ценным полупродуктом для их извлечения.Сущность способа заключается в том, что исходный тетрахлорид титана подвергается испарению в кубе-испарителе, полученные пары пропускают через насадку из...

Номер патента: 177161

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Буль

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающий, элемент

...конденсатор 3. В цепь конденсатора последовательно включены источник постоянного смещения 4 и генератор тактового смещения 5. Сопротивления б и 7 позволяют установить режим диода. К средней точке индуктивности подключены через разделительные емкости 8 и 9 шины выборки.Если радиоимпульс по числовой шине выборки совпадает с положительной полуволной генератора тактовых импульсов, то элемент устанавливается в положение О и генерация прекращается.Если с отрицательной полуволной генератора тактовых импульсов совпадают радиоимпульсы по обеим шинам выборки, то в элементе возникает генерация, т. е. записывается 1,Для чтения информации можно в числовуюшину выборки 10 подать радиоимпульс с частотой, несколько отличающейся от частоты, генерируемой...

Номер патента: 184296

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G11C 11/38

Метки: 184296

...участка характеристики туннельного сопротивления 3. Превышение пикового тока диода 5 над током, соответствующим горизонтальному участку характеристики туннельного сопротивления, должно составлять 5 - 7%.Диоды 2, 5 ца высокой частоте включены параллельно ицдуктивцости 8, Собственные емкости этих диодов и индуктивность 8 образуют выходной колебательцый контур, в котором автоколебания возникают лишь в том случае, когда рабочие точки обоих диодов оказываются в отрицательной области, Если же рабочая точка одцого из диодов находится ца восходящем туннельном участке характеристики, контур диссипативец, автоколебания отсут. ствуют,При осуществлении записи 1 координатные и разрядные радцоцмпульсы подаются на клеммы 9 и 10. В этом...

Номер патента: 184496

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Вопо, Кирсанов, Костылев, Михирев, Саблин

МПК: G11C 11/38

Метки: действующих, ногрузочной, орган, рабочий, усилий

...8 с насыпным материалом, системы автоматизированного управ ления и измерительной аппаратуры 9.К днищу наружной обоймы прикрепленытрн тензометрические балочки с датчиками 10, а к задней стенке - тензометрическая балочка с датчиком 11. Измерительное устрой ство подвешено к тележке 1 с помощью шарнирного четырехзвенника 12, к одному из шарниров которого прикреплен шток 13, воздействующий на датчик 14.На рычаге 15 наружной обоймы смонтиро вана тензометрическая балочка с датчиком16, которая соединена тросом 17 с механизмом поворота 7.Стенд работает следующим образом.При перемещении тележки по рельсовому 20 пути ковш измерительного у.стройства внедряется в материал, насыпанный в ящик 8. При этом датчики О регистрируют составляющие реакции,...

Номер патента: 187838

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G11C 11/38

Метки: 187838

...импульсов выбора числа, на каждое число один формирователь, а с каждой разрядной шиной 5 - разрядный усилитель считывания и формирователь записи, По шине 4 подается положцтельцое постоянное напряжение, причем величина его выбрана такой, чтобы в элементе памяти были возможны два устойчивых состояния равнове сил. В первом состоянии рабочая точка туннельного диода находится на туннельной ветви. Напряжение ца нем мало, так как основная часть напряжения питания падает на диод с накоплением заряда. Через диод с накопле цием заряда протекает ток, величина которого достаточна для накопления заряда. Это состояние элемента памяти соответствует храпению 1.Во втором состояпнц рабочая точка туннель ного диода находится на диффузионной ветви,вблизи...

Номер патента: 192860

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абугова, Плтс, Тех

МПК: G11C 11/38

Метки: быстродейств, диодах, памяти, радиоимпульсная, туннельных, ующая, ячейка

...диодов на падающий участок характеристпки. Емкость 11 осуществляет развязку по высокой частоте между контурами. Сопро тивления 12, 13, зашунтнровацпые блокировочпымн емкостями 14, 15 включены парал лелыо постоянномуПеременному источикам питания, подключенным к клеммам 16, 17, Запоминающий элемент состоит пз туннельного сопротивления 18, туннельного диода 19 и пндуктивности 20, образующих амплн тудный радиопмпульсный трнер. Емкость 21блокирует источник постоянного смещения, подключенный к клемме 22. Емкость 23 соединяет устройство обращения и запоминающий элемент.15 Перед записью и считыванием рабочие точки диодов правой части устройства обращения находятся на первом восходящем уча.стке вольтамперных характеристик диодов.При записи 1...

Номер патента: 195215

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: G11C 11/38

Метки: 195215

...обеспечить твердосхемное исполнение.На чертеже показана принципиальная схема ячейки памяти.Высоковольтное состояние туннельного диода 1 ячейки соответствует О двоичной и- формации, а низковольтное состояние 1,Если ячейка находится в состоянии О, транзистор 2 закрыт напряжением на туннельном диоде. При действии тактового напряжения 1/т, подключенного к базе тразнстора 2, оп остается в закрытом состоянии.Если ячейка находится в состоянии 1, при действии этого же тактового напряжения транзистор Открьвается, коллекторн 1 м Тоом этого транзистора туннельпый диод следуюн 1 е 1 т ячейкперебрасывается в низковольтное состояние, и на ячейку записывается 1. Под действием этого же возрастающего напряжея эмпттер 11 ы ток транзистора 2 такжс...

Номер патента: 203323

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гарматюк, Милаш, Тель

МПК: G11C 11/38

Метки: амплитудных, радиоимпульсныхтриггеров, разветвитель

...11 т, Для обеспечения однонаправленной передачи информации использовано трехфазное напряжение питания: фазы напряжений 11 г устанавливаются таким образом, чтобы радиоимпульсы триггеров были сдвинуты друг относительно друга приблизительно на 113 периода следования импульсов. Состояниям 1 и О на выходе триггера 1 соответствует наличие колебаний с частотой 1, илн их отсутствие, а в частотном триггере - наличие колебаний с частотами е или с. Пе реброс частотного триггера на частоту , происходит под действием выходного напряжения триггера 1. При отсутствии напряжения с частотойна выходе триггера 1 происходит переброс частотных триггеров на частоту 10 под действием напряжения шумов и напряжения ударного возбуждения, создаваемого действием...

Номер патента: 208346

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Милаш, Нейман, Тель

МПК: G11C 11/38

Метки: 208346

...параллельным соединением одной индуктивности и туннельного диода, а другой контур - второй индуктивности и конденсатора. Это позволяет повысить надежность и быстродействие т риггера.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема двухчастотного радио- импульсного триггера, где Д 1 - туннельный диод, С, - конденсатор, блокирующий источник питания Е по высокой частоте; М - коэффициент связи между контурами ДЕ, н СзЕзРабота схемы происходит следу ощим образом. Для осуществления двух устойчивых режимов работы, отличающихся друг от друга частотами автоколебаний, используется явленис затягивания частоты в автогенераторе с колеоательнои системой В Виде дв",х связанных контуров, причем связь между контурами больше критической. Изменение...

Номер патента: 209068

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Артюх

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающая, неразрушающим, считыванием, ячейка

...сигнала записи - шина чис записи 9. Выходом считывания - да 8. В статическом режиме, соответс режиму хранения информации, входи циал,входа записи 9 и шины разряд нулю,На выходе считывания величина потенциалабудет совпадать с величиной с 1,.То, что диоды ячеек, подключенные к шинеразряда, в статическом режиме не прово 10 дят тока, обеспечивает независимость статического состояния диода 5 дискриминатора отобъема, запоминающего устройства и характера хранимой,в нем информации,При считывании информации по шине чи 15 сла 7 подается положительный импульс, максимальная амплитуда которого намного больше величины Ь,.В процессе действия импульса опроса будетпроисходить отпирание диода 4 и запирание20 диода 3, при этом ток туннельного диода...

Номер патента: 219632

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андреещев, Трусевич

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, ячейка

...т пульсов.Это позволяет повысить помехоу нагрузочную способ ость генерато импульссв и уменьшить потребля ность. На чертеже приведена прин ма предлагаемой ячейки пам Ячейка состоит из транзис ного диода 2, нагрузочного со дифференцирующей цепи 4, 5. Транзистор 1, включенный щим эмиттером, используется вязывающего элемента между ти и как усили гель сигнала з щего в его базовую цепь. Туннельный диод 2 и сопр разуют элемент памяти ячейкиНаличие сигнала в базе транзистора 1 приводит и его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния О (низковольтное состояние 5 туннельного диода 2) в состояние 1 (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись 1 и ее хранение до прихода...

Номер патента: 249420

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Земцов, Неплюев

МПК: G11C 11/38

Метки: амплитудный, диодах, радиоимпульсный, триггер, туннельных

...тактового сигнала. К точке соединения туннельного диода 2 и индуктивности 4 подключены дополнительные туннельные диоды 8 и 9, другие концы которых соединены соответственно с источниками +Е, и - Е, и через резисторы 10 5 и 11 и блокировочные конденсаторы 12 и 18соединены с общей шиной схемы, Туннельные диоды 8 и 9 с индуктивностью 4 образуют автогенератор, причем напряжение Е, выбирается таким, что диоды 8 и 9 смещены в об ласть отрицательной проводимости.В течение отрицательного полупериода тактовой частоты, когда рабочая точка наоднтся на туннельных ветвях характеристики диодов 1 и 2, контур, образованный диодами 8 1 Б и 9 и индуктивностью 4, шунтируется сопротивлением туннельной ветви характеристики диода 2, и колебания в нем не...

Номер патента: 262976

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/38

Метки: 262976

...устойчивыми, причем, если рабочая точка бистабильного элемента находится в положении г, считается, что он находится в состоянии единица, если в положении в - в состоянии нуль,Приложение положительного импульса к резистору 2 (см. фиг. 1) бистабильного элемента равносильно смещению линии нагрузки б в положение д (фиг. 2). При смещении линии нагрузки в положение д характеристика а тун. нельного диода,и линия нагрузки д пересекаются только в одной точке е.Если у бистабильного элемента рабочая точка находилась в положении г, то под действием положительного импульса она перемещается в положение е и после прекращения действия положительного, импульса (когда линия нагрузки возвращается в положение б) - в положение в, т. е. бистабильный элемент...

Номер патента: 266848

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающее

...диодами включена только одна пара диодов,В такои схеме полупроводниковых диодовпочти вдвое меньше, в результате чего значительно уменьшаются размеры запоминающейматрицы и увеличивается надежность работы5 устройства.Изложенная сущность изобретения поясняется принципиальной схемой устройства.К общей точке последовательно соединенныхполупроводниковых диодов 1 и 2 подсоединен10 анод туннельного диода 3, катод которого соединен с общей точкой двух последовательновключенных диодов 4 и б. К этой же точкеподключен анод туннельного диода б, катодкоторого присоединен к средней точке двух15 последовательно соединенных диодов, и таквесь разряд.При этом диоды 1 и 2 подключены к шдиоды 4 и б - к тнине 8, а диоды 9 ишине 11,20 Прн записи, например...

Номер патента: 273285

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Егоров

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающее, оперативное

...дополнительного дешифратора с цпывацпя подключен к одному цз входов формироват"ля двуполярттых двухступенчатых имльсов напряжения.Это позволяет увеличить емкость устройства и повысить его надежность в широком температурном диапазоне.На фиг. 1 показано подключение формирователя двуполярных импульсов напряжения и формирователя двуполярных двухступенчатых импульсов напряжения к числовым шинам запоминающих элементов; ца фиг. 2 даны временные диаграммы импульсов считывания и 5 записи.Запоминающий элемент ОЗУ образовац последовательно соединенными туннельным диодом 1 и резистором 2. Запоминающие элементы подсоединены непосредственно к числовым 0 шинам Л ц 4 и через нелинейный элемент 5,например диод, к разрядцым шпцам б. К числовой шине 4...

Номер патента: 280546

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Буль

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающая, ячейка

...дифференциального сопротпвления туннельного перехода,В частности, дифференциальное сопротивление на восходящей ветви оказывается, примерно, на порядок больше, чем сопротивлениев устойчивом состоянии на восходящей туннельной ветви,В качестве элемента 4 связи может бытьвыбран резистор, последовательно соединенные резистор и конденсатор, конденсатор, атакже нелинейные элементы: импульсный илиобращенный туннельный диод,Запись информации производится обычными методами - по совпадению видеоимпульсов в числовой 3 и разрядной 5 линиях запоминающего устройства.Считывание осуществляется с помощьюСВЧ-радиои мпульса опроса, подаваемого вчисловую линию 3, причем частота заполнеЗО пия этого радиоимпульса связана с парамет280546 Предмет изобретения...

Номер патента: 284043

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Алексеев

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающий, элемент

...12,Иметь такой высокий уровень пока записи, как указано на фнг. 2, с одной стороны, желательно, так как это гарантирует запись 1 в любой выбранный элемент, а с другой стороны, это недопустимо, потому что может произойти,пробой пе 1 рехода пуйнелыного диода 1.Данная схема юбеспечивает высю 1 кий уровень така зап 1 иси и о 1 дно 1 времеоно исключает возъюиность пробоя туннелыного дирда 1, так как транзиотор 3, закрьиваетоя, как тюлыко диод 1 .переключится в сОетаяаие низк 1 ой проводи мости.Если оаин из двух токов выборки отсутетвует,например, ток выбории числа), то через транзистор 3, а следовательно, и черсз тчннельный диод 1, ток,помейн протекать не будет, так как переход база-эмнтте 1 р транзистора 3 закрыт, т, е. при вы(бюрке...

Номер патента: 315211

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Егоров, Обухов

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающее, оперативное

...быстродействие иемкость устройства,15 На чертеже показан накопитель описываемого ЗУ.Он состоит из плат-матриц 1. Каждая плата-матрица представляет собой плату из трехслойного фольгированного стеклотекстолита,20 на которой расположены все разряды нескольких запоминающих ячеек (на чертеже не показаны).На одной из внешних сторон проложенычисловые шины 2, причем для уменьшения25 паразптной связи они выполнены в виде двухпараллельных печатных проводников, непосредственно прилегающих друг к другу.На другой внешней стороне платы-матрицыперпендикулярно направлению шин 2 проло 30 жены разрядные (выходные) шины 3. Каждая15211 3Техред А, А. Камышникова Корректор Е, И, Усова Редактор Л. А. Утехина Подписное Тираж 473 Изд,1269 Заказ 3089/7...

Номер патента: 333603

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Артюх, Вычислительной, Институт

МПК: G11C 11/38

Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент

...дакт Заказ 1004/15 Изд. ЛЪ 400 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПР 1 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 45 р. Сапунов ипография,таким образом (либо введены соответствующие источники смещения), что в режиме хранения ток протекает только через диоды б и 9 и соответствующие разрядные шины 8 и 10.При опросе нулем по шине 8 подается импульс отрицательной полярности; диод б закрывается, и ток туннельного диода 1 переключается на шину слова 5. В этом случае переключаемый ток мал по величине и может рассматриваться как ток помехи. Амплитуда сигнала опроса практически не влияет на устойчивость хранения информации и на уровень переключаемого тока.2. При опросе единицей по шине 10 подается...

Номер патента: 347797

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аронов, Волчек, Егоров, Ойхман

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающее, оперативное

...кит в каждом разрялг ф:1 ксцрующий диод, включенный между разрялцой ш.1 ной и шиной нулевого потенциала, оазы транзисторов формирователей записи всех словобъелинены и подключены к источнику управляющих импульсов, а эмиттеры соединеныс соответствующими выходами формирователей считывания.Такое выполнение устройства позволяетсократить оборудование управления ц повысить належцдсть работы устройства в широком температурном лцапазонг,На чертеже показана схема запоминающего устроиства,Устройсгво солержит резисторы 1 и 2,подключенные соответственно к числовым шцнам сч:1 тывацця 8 и записи 1, формирователь записи нд одном транзисторе 5, формирователь б счцтыван:1 я, генератор 7 тока;проса пчц записи исцлцтгль 8 считывания,5 Пд.1 этом эмцттгр...

Номер патента: 394850

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G11C 11/38

Метки: запоминающее, оперативное

...на разрядной шине поддерживается отрицательное напряжение несколько большее, чем раствор вольтамперной характеристики туннельного диода. Это напряжение запирает диоды развязки всех ячеек разряда.В режиме считывания срабатывает формирователь 4 и фиксирует с крутым фронтом отрицательное напряжение на числовой шине 2, равное по величине статическому напряжению на разрядной шине 5. При этом диоды д развязки выбранного слова подготавливаются к открыванию. Одновременно во всех разрядах срабатывают генераторы 7, линейно увеличивающие напряжение на разрядной шине до требуемой величины, меньшей раствора характеристики туннельного диода 9. В результате диод развязки выбранного слова откроется в том случае, если тупнельный диод находится в...

Номер патента: 402064

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G11C 11/38

Метки: 402064

...трдцзистора; диод, вкл 1 очеццый между базой записывающего транзистора и корпусом.Схема устройства изображена ца чертеже, где обозначено: 1 - 7 - диоды, 8, 9 - обрдщеццые диоды, 10 - трдцзисаоры записи, 11 - транзистор считывания, 12, 13 - резисторы и 14, 15 - конденсаторы.Предлдгдемое устройство содержит трдцзистор записи; развязывающую цепь; трц последовательцо включенных диода в цспц записи; двд последовательно включеццых диода в цепи считывания; пару Гото и последовдтельцо включеццьш с цей диод; диод в базовой цепи записывающего трап зистора; транзистор считывация; резистор в базовой цепи транзистора считывания; дпффереццирующую цепь в базе транзистора записи.402064 С оста вн тель Р. Я вор овс к ехред Л, Гра рректор Л. Царькова...

Номер патента: 466550

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Назаров, Трусевич

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, туннельно-диодно-транзисторная, ячейка

...низковольтном. Так как транзистор нагрузки 14 заперт (тактовое напряжение в его базовой цепи отсутствует), то весь ток транзистора записи 13 используется для записи на М аналогичных ячеек,При подаче отрицатпульса транзистор считтоком переводит диода диод 11 - в высокстояние.Отрицательный переренцируется конденсаттом отпирает следующДиод 9 в эмиттерной цвания 12 заперт, еслинулевом (высоковол466550 Предмет изобретения Составитель Ю, Трусевич едактор Л. Утехина Техред Е. Подурушина Корректор Н. АукЗаказ 143515ЦНИИ Тираж 648Совета Министрои открытийя наб., д. 4/5 Изд, Ме 643осударственного комитет по делам изобретени Москва, Ж, Раушс ПодписпоСССР пография, пр, Сапунова, 2 транзистор записи 13 считывает со следующих Ж - 1 ячеек, из которых...