Патенты с меткой «полупостоянного»

Номер патента: 239669

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баранов, Средств, Тбилисский

МПК: G11B 5/02

Метки: запоминающегоустройства, матрица, полупостоянного

...нуля, нанесены перфоотверстця в носителе информации, образованные на месте удаленных магнитных перемычек.Это позволлег сократить врем ц упростить процесс нанесения, информации на носитель,На фиг, 1 изображена принципиальная схелта ттредложенной матрицы; на фиг. 2 - отдельный незамкнутый магнцтопровод В двух проекциях; на фцг. 3 - носитель информации с нанесенными ц перфорированными мап 1 цтцымц перемычками.5 Полупостолнная запоминающая матрицаВыполцсна В Вцдс сеткп 1 ВзацмспсрскрещцВ 310- цтцхсл проводов 1 ц 2, цз которых продольцые провода 1 служат длл Опросаматрицы, а поперечные провода 2 - длл выда гц информа Циц. Перекрестил этих прОВОДОВ помсщень Внезалкцутые л 1 агццтоповоды , которые Выполцецы в ниле сцл 1 метрцчцых...

Номер патента: 349023

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: G11C 11/02

Метки: блок, запоминающегоустройства, кодовый, полупостоянного

...отверстия 6, а на платах 2 центрирующие вырезы по форме направляющего стержня, например треугольной формы. Каждая верхняя плата 3 по отношению к предыдущей нижней имеет большую поверхность, например, за счет выступа 7, на который нанесен номер соседней платы 2.При укладке плат 3 в пакет их выступающие поверхности, на которые нанесены номера, должны визуально просматриваться. Противоположные концы плат 3 также имеют выступы 8, к которым подключены адресные провода. Зти концы плат 3 закреплены неподвижно. Концы плат, имеющие выступы 7, не закреплены, поэтому платы могут перемещаться вдоль направляющего стержня 5, поворачиваясь одновременно вокруг неподвижного центра 9. На платы 3 нанесены металлизированные шины, выполняющие роль...

Номер патента: 399013

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, матрица, оптопрограмлдируемого, полупостоянного, устройства

...От)с.)П)иьХ электронов из подложки через пзолпруюш,ю ТОПКУ 0 ПЛСПЕМ ОЕПСП )СТЯЛЛД ПО;ЛО 1:П 13 2.3 СЛОИ ОЕПС 1 )1 сзПП 51 ЗЛСКТ)ОПЬ 1 П 01 ииБПС (; Г 0)КК СКО)51 ОТС 51 ПОЛСХ П, СТЗ;ЕП 31:СЬ С чс 1 стпцз ми:, п)п движепип В пор с 1 х), Быбп 210 т ВТОРПЧ)ЫС ЭЛСКТР 01)Ь 1. ОКИСЬ )сГНИЯ ОДПТС 5 Л 5 ЭТОГО ЕЗТОЯ 1 с) ЬЕО ПОТО ТО ,С( б)0 ц шои )(Оэффп цп ъп 3 Борпгцои эмп( (11То)П Пь(. Э.1(Е 1 Р 0 Ы ЯисЛОГсПО 13 ЫО 13 сОТ слсдуощис элсетроцы 1 т, д, В слое окиси мдгПП 51 П)ОПСХОДПТ;сБИПНОЕ УМПОЖСППС ЭЛСЕТГ)0- ЦО, ООЛ ЬШ 2 и Ч с)СТЬ КОТО)ЫХХОДПТ ЦсО;, с )спьш 51;)око)биип)уст с положптсгБпы)и попси. В коппс КОНИОБ мстдпс;и 3 Стс 5 ПОСТ 05 ПЦ 15 ЭПС.П 5 ЭЛСЕТООПО 3 С ЕЯТО.с 1. П и 7)- 1 ссс поддсржБдстся уже без псшпсго освсПСЦП 5.ВО Брсхя )х...

Номер патента: 362350

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/26

Метки: газоразрядная, запоминающего, матрица, полупостоянного, устройства

...засветки участков, расположенных рядом с выбранной запоминающей ячейкой, через толщу прозрачного материала.Верхние металлизированные поверхности 8 подключены непосредственно к источнику смещения 9, а нижние металлизированные поверхности 10 к источнику смещения 9 через электронныйпереключатель 11.Предположим, что если в запоминающей ячейке тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и верхней металлизированной5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 поверхностью 8, то это равносильно тому, что в запоминающую ячейку записан код О, если тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и нижней металлизировапной поверхностью, то в запоминающей ячейке находится код 1. При выборке определенного слова в накопителе соответствующая нижняя метал-...

Номер патента: 519760

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Бублик, Дариевич, Кролевец, Невядомский, Орлов, Радугин, Сидоренко, Хцынский

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, информации, накопитель, перезаписью, полупостоянного, устройства, электрической

...информации, записанной в запоминающих МДПтранзисторах матрицы накопителя, осуществляется подачей положительных импульсов перезаписи по всем адресным шинам 2 строк накопителя.Для уменьшения напряженности электрического поля в областях сток - затвор, исток - затвор запоминающих транзисторов, их истоковые и стоковые области заземляются через транзисторы 5, 6 блокировки, на затворы которых по шине 4 подается напряжение логи- чекой 1 синхронно с импульсом стирания. При этом все запоминающие транзисторы выбранной строки накопителя одновременно устанавливаются в состояние логического О.Записывается информация избирательно, т. е. логическая 1 может быть записана в какой-либо транзистор выбранной строки без искажения информации и других...

Номер патента: 555439

Опубликовано: 25.04.1977

Автор: Некрасов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, накопитель, полупостоянного, устройства

...время в проводящее со 35 стояние. Ток стирания ограничивается резистором 6.При стирании и считывании информации регулируемый источник напряжения 5 формирует нулевой уровень напряжения.После стирания информации (перед записью информации) регулируемый источник напряжения 7 переключается в режим формирования напряжения считывания или ну левого уровня напряжения.45Запись информации в элементах связи матрицы осуществляется путем перевода полупроводниковых переключателей 2 с памятью в непроводящее состояние в тех элементах связи, в которые записывается логическое состояние "единица". При этом источник напряжения 5 переключается в режим формирования напряжения записи, величина которого выбирается из условия обеспечения перевода...

Номер патента: 595793

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Дергач, Заброда, Некрасов

МПК: G11C 17/06

Метки: запоминающего, матрица, накопителя, полупостоянного, устройства

...к общей точке, а нсвыбранные адресныс шины 2, шины 57 управления - к источнику постоянного напряжения положительной полярности. На тс разрядные шины, где необходимо произвести переключение, подастся импульс тока записи необходимой величины и длительности, В результате происходит переход в проводящее состояние тех полупроводшгковых переключателей, которые находцлцсь в местах пересечения выорацных разрядной и адресной ц.:ин.Для стирания информации на вес адресные шины 2 и шину 7 управления поступает положительное напряжение, достаточнос для запиранця всех диодов, подсоединенных к этим шинам, а шины 5 и б управления подключаются к общей точке. Далее ца одну цз разрядных шцн подастся импульс тока записи, который переводит...

Номер патента: 680046

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Винаров, Седых, Тарасов, Цигельный

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, полупостоянного, устройства

...сквозное отверстие 11 в нижней панели, прямоугольное углубление 12 в,верхней панели, предназначенное для установки в нем вкладышей с маркировкой вертикалей и горизонталей матриц, элемент 13 кодирования запоминаемой информации (штырь с диодом), изоляционная втулка 14, механически соединяющая верхнюю контактирующую поверхность штыря с ;нижней контактирующей поверхностью, нииняя контактирующая поверхность штыря 15.Модуль описываемого ППЗУ, в котором реализована электрическая схема прямоуголыного матричного диодного шифратора с количеством пересечений горизонталей с вертикалями, равным 100 (10 горизонталей и 10 вертикалей), устроен следующим образом.Модуль ППЗУ состоит из трех изоляционных панелей 1, 2, 3 квадратной формы,...

Номер патента: 1141450

Опубликовано: 23.02.1985

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающего, информации, магнитного, полупостоянного, считывания, устройства

...информации иэ ППЗУ на магнитных элементах, заключающийся в подаче импуль са тока считывания по адресной шине, преобразовании его в двухполуволновые сигналы, несущие информа цию, выделении информации путем стробирования первой полуволны сиг, налов Г 23Недостатками известного способа являются его пониженная надежность, так как отсутствует коррекция информации, и появление даже одиночного сбоя при считывании следует оценивать как неисправность памяти.Цель изобретения - повышение надежности способа путем осуществления коррекции считанной информации, что позволяет повысить достоверность считанной информации.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу считывания информации из магнитного ППЗУ,45 заключающемуся в подаче по...

Номер патента: 1499404

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Лапидус, Малинин, Медников, Нечаевский

МПК: G11C 17/00

Метки: блок, запоминающего, памяти, полупостоянного, устройства

...нарушена, то это напряжениеостается неизменным (Фиг. Зг, прямаяХЗ) 15Напряжения, снимаемые с магнито-,резисторов 3, подаются на инвертирующие входы компараторов 10 длясравнения с опорным уровнем, На инверсных выходах тех компараторов 10, 20которые подключены к магниторезисторам 3 с ненарушенной связью вырабатываются импульсы отрицательной полярности с длительностями, равными времени, в течение которого напряжения,снимаемые с магниторезисторов 3,меньше опорного уровня (фиг. Зд,ж,з).На инверсных выходах тех компараторов 10, которые подключены к магниторезисторам 3 с нарушенной связью, 30сохраняется высокий уровень напряжения (Фиг. Зе).По положительному фронту импульса "Чтение" (фиг. За) сигналы с прямых выходов сравнивающих...