Матрица

О П И С А Й И Е -39ИЗОБРЕТЕНИЯэ)ээ Союз СоветскиСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ висиое от авт. свидетельстваЗаявлено 02,111,1972 ( 175595318с присоели)ением заявкиПриоритет 1. 1 хл. 6 11 с 7 0 осударственный камитеСовета Министров СССРло делам изобретенийи открытий 1 1 х 681.142.01088.8) Опубликовано 27,Х.1973. Б)оллетень ЛеДата опубликования описания 4.11.1974 э)вторизобретения атсиков Заявитель МАТРИЦ триц, раоотаюЯ В;1 5 СтЯ эВ).)-Отада имн) льсаНня ВЫОР 233)ОГ)ИЕНИЕ ЛЛ 51 ) СКОгрузки лополни)К)э)ЕНЫХ К КОЛцы увс ичи Ват)ты й т р а из и )ЧО,)не лоно 33 итсьЬНО УСГ)И )Иаэе)ранзисторах, что Мс 1 ТР)Цс НРСЛНВЗНс 11 Сиа Л:151 ПОС)РОСНИЯ оконечной ступени леши(1)ратор)3 сисгемы Выборки быстро;сйствующих запоминающих УСТРОЙСТВ.Известные устройства такого типа представляют лнухкоорлинатную матрицу, В каждо. пересечение которои Включены транзисторы. Бааы Тр)НЗторов Об)Ъдния 10 ГС 5 ПО С)ро)с 3 Х-цинах)и, и эмиттсры по столбцам У-шинамн.112 Грузки, 13 частности числовыс линии нс)ко;тителя ЗУ, подключаются к коллектора., транзисторов матрицы и общей шине. В транзисторных матрицах большого объема координ 2 тныс шины )3 Л)" ссоя как Ллиннь 1 с л 3- пии, к 010 рые сОГласмютс 51 с Г 10 мощыо сопро ивлеий, равнь)х ВолОВым со)ротивлсния.1 этих шин. 11 С;ОтатКО ИЗВЕСТНЫХ Ма щих на емкостную нагрузку, э)ЕНИЕ ДЛ)тс,э)Ь)ОС)И ВРЕМНИ тока В нагрузке после запира транзистора ма (рицы. Приме рения персзаряла емкостей на тельных сопротивлений, полю лекторам транзигоров матри ток, протекающий через откр матрицы, и при малой )ц)личи ОГО СО РОТИВЛСИ 51 Знс)ЧИТЕЛ ээ)ОИ) ОСТЬ, РаССИ)32 МУ)О На т 3) КОНСЧОХ ЧГэ,133)Жа НалЖНТЬ )с)00 ГЬ 1 Р с 1 Н 313 ТО 1) 330)1 )3 а Г 133)ЦЫ.Цсг)о 3)ЗОГ)эрсгня- - разрабогка т;)кой марицыы, которая при раоотс на с)костную на ГруЗКХ ИЛ) 13 рЖ)3 сэ )1;3 Ь)нсНИ 51 03)11 ИнаЛ;МаЛЫй СпяЛ 3)МнуЛЬа тОКВ. 11 рн ЭТОМ Л,ПтГН- НОСТЬ 31)3 э ЛЬс) )3 1)с)ГРэ 33 НР 23 Г)ЧС 3 33 3)с)33- 3351 СТ 51,ГН 3,)ЬНГ)3 И)1 ПМ)3)эс 1 Н)3 13103)а)313033 э -И 1 ИН(., с) Грс)НЗ)ТОр 1 э)с)Т) И ц)3 рс 1) Сн)32101 О )11 Н 1 Хс 1.ПНХ 10 Х 10 ИНОГ 1, 3. С. И)1)ЫИ 1 с 1 С 151 3)ЫСТРОЛСЙ 1 ВИС 13 3)с)ДЖО)Ь 1)с)бОТэ) )12 ТР 1)Ц)э).С ЭТОИ иЛЬЮ 1 -1313 ис 3 )с 11 РИ3 ПОЛИЛ)ОЧС 3 11 О 2 3 ы Г2 ) ) 3 и то Р 013 э э )1 и т т 1) ы ко 1 О :) ы .э; ч с- РЕЗ ЛИОЛ 11 0.13331)3)э) С КОЛЛК)ОР 2)1 И ОН 3 ыэ;5 ТРаНЗИСТОРОВ МНТРИЦЫ, 2 КОГ 11 К 1 ОРЬ) сПОМОгательных транз)33 оро)3 и ог, )2 уюн)ирези- ТОРЫ - К 1 Н)Н 13 э Г)ВО)Х) О ГНЦ)с)Лс 1.Матрица на )с Гырс Выхода нэ,сганл 2 на)СРТЕЖ),: К 001)ЛИ)с) 3 Н 251 ) -НН)Н) 1; Кэ)3)1)ДИс) Г. О ная У-шиа 2; огласу)ощис рзнсгоры 3,вопомога) ельнь)транзиторы 4; оа)овны транзисторы 5; дио;)ы 6; нагрузка 7; общая шина 8; резисторы 9, шина источника скщения 1 О.5 ТраианТОрэ 5 Мс)трнцЫ ОЪСЛИН 1)Ь Построкам,-шинами 1, по столоцам У-шинам 2, Коорлина) ныЛ-)н)иы моглаонаны помощью рзс)о)033 9, которыно.(ключш)ы к шине 10, 3)от)м)ц;)ал (э), которой нр Лотвра. О щает чсзмрноОГ)ртнв. )Н(ни). нрсход399004 еяактор Л. Цветкова ЕХРЕЛ Л. ГРаЧЕВс Корректор Т. Дооровольска И зд 1(с955 и) а )к,576 Подписпо аказ 12 о иография, пр. Сапунова,база - эмиттер иевыбрянных транзисторов 5. Коордииатиьс У-шины 2 согласованы с помощью резисторов 3. Нагрузки 7 подключсиы К К 0 Л Л С К Т 0 Р Я )Т Р с И 3 И С Т 0 Р 0 В О И 1( О О И 1 С Й П 1 ИИС 8 С ПОТСИПИЯЛОМ ЬО, К КОТОроЙ Тсая)КС Г 10 Ч- ключены согласукицис сопро 1 Влепи 1 3. Базы вспомогательны., транзисторов 4 соединены с шинами 2 и согласующими сопротивлениями 3, а эмиттсры траизисторо 4 через диоды 6 с коллекторами траизисторов 5.На Кс 1 жд,10 Коордцпатц 10 У-ИИИ 1, 2 МсзтрцЦЫ ПРИХОДИ 1 С 51 0 ЧИИ ЛОПОЛ И ИТСЛЬИЫЙ ТРс ИЗИ- стор 4. Диоды 6 выполняют функцию развязки. Кол,Ситор)1 тр;Пзисторов 4 полкл)очеиы к ШИНС 8, яЛяЮщейСя Общей ЛЛя ВССХ ИсГруЗОК матрицы,Работа матрицы происходит слелуюиИм ооразом. При подаче из выбраиных Х-шии 1 разрешаюцего потенциала или импульса и подаче затем в одцу из выбранных У-шии 2 импульса тока происходит Включение связаиио ГО с иими 1 ряизистора 5 и через сооСтствующую нагрузку 7 проходит импульс тока. Во ВрС)1 я Прохо)КДСИИП ТОКЯ сС 1)СЗ Тра ИЗИСТОр 5 все транзисторы 4 остаются закрытыми, так как их эмиттерныс переходы и диоды 6 см(- щсиы В ооратном направлении. После окончания действия импульса В координатной У-шиис 2 соответствующий трязистор 5 запирасгся и иа сго коллекГОре усГЯИЯВЛПВЯСГС 51 по 1 сициал ссо общей шипы 8, В частности потсиц,ял земли. )ТГ) происходит В рсзульЯтс того, что связанный с ним транзистор 4 открыясгся и через пего происходит быстрый заряч смкостей нагрузки 7. При работе транзисторов 5 В ре)киме насьицсиия открывашс транзистора 4 способстуст быстрому коллекторцому рассясываиию исосиовиых носителей в базе трацзистора 5, Траизистор 4 открывается только цо время зарядя емкостей иагрузки 7 и форсироаииого рассасывания исосиовных носителей Выбряииого транзистора 5, когда за счет раз ости псггенциалов на соответствующих вы. бранных шине 2 и коллекторе траизистора 5 эмиттериый переход траизистора 4 оказываетс 51 смс)цс 1 В прямом 11 ЯИравлеиии.ТЯ 1:,им Образом, при (.МкостиОЙ иагрузке и при работе транзисторов матрицы в режим" насыщения увеличсш;с быстродействия достигается без лополцителы 1 ого увеличения рассеиваемой мощности осиошых транзисторах матрицы. Транзисторы 4 могут быть маломощными. Прелмет изобретенияМатрица, содержащая транзисторы, базы,1 эмиттеры которых соединены с координатными Х- и У-шипами, а коллекторы полключеиы к нагрузкам, и согласующие резисторы, отлпс 1 ави 1 асая тЕМ, ЧтО, С ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ бЫСтродсйствия и иалежиости работы матрицы, оиа содср)кит вспомогательные трацзисторы, баз 1 которых сослииеиы с коорлицати)й У-ши- ПОЙ, эмитГсры срез диОды сослииеиы с коллекторами Осиовиых транзисторов матрицы, а коллекторы Вспомогательных тряизисторов и соглясукицис .резисторы подключсиы и шипе И 5 СВОГО ПОТСИЦИЯЛс 1.