Способ обработки оптической инфорлации в аддитивно окрашенном ш, елочно-галоидном

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт, свидетельства Ле -Заявлено 10.Х 11.1971 (Л 172319618-24)с присоединением заявки Ле -Приоритет -с 130 асударственный камите 1Совета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий бликовано 17.1 Х,1973. Бюллетень М 37 УДК 621.374.32;621.38 (088.8) ата опубликования описания 23.1.1974 Авторыизобретен, Бандере, Я. Ж. Кристапсон, К, К. Шварц и Ю. А. Экманис Заявите Институт физики Латвийской ССР СПОСОБ ОБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ В АДДИТИВНО ОКРАШЕННОМ 1 ЦЕЛОЧНО-ГАЛОИДНО КРИСТАЛЛЕптическим запо- вычислительной 20 Изобретение относится к оминающим устройствам втехнике.Известен способ обработки оптической информации, записанной в аддитивно окрашенном Р-центрами щелочно-галоидном кристалле путем обесцвечивания Р-центров светом соответствующей длины волны, оптическц - светом другой длины волны. При этом происходит восстановление Р-центров, обесцвеченных во время записи (т. е, восстановление исходного для записи информации состояцц кристалла). Один из принципов оптической записи информации в аддитивцо окрацеццом щелочно-галоидном кристалле заключается в обесцвечивании Р-центров в точке записи путем воздействия светом, длина волны которого соответствует Р-полосе оптического поглощения. В результате этого центры превращаются в другис (агрегатные) центры окраски. При таком решении записи стирание сводится к обратному превращению агрегатных центров в Г-центры.Известен такке способ стирания информации, записанной в кристаллах, путем их нагрева. Однако применительно к щелочно-галоидным кристаллам способ стирания нагревом не разрабатывался ц не конкретизирован: неизвестны режимы, обеспечивающие восстановление исходного для записи состояния,т. е. многократное прцмецсццс кристалла, Любой нагрев нельзя использовать, так как в некоторых диапазонах температур происходит термическое превращение необходимых для 5 записи Г-центров в другие, например Ч-центры и т. п.; прц очень высоких температура.; (порядка 500 - 600 С) вообще ушчтожается аддитивцая окраска кристалла.Известный способ стцрашя оптической ш формацш обеспечивает восстановление исходного для записи информации состояния кристалла. Недостатком этого способа является его применимость лишь для стирания информации, записанной светом прц относительно 15 низких температурах (20 С и меньше). Еслитакая запись проводится прц повышецшлх температурах, например 100 - 350 С, образуются центры окраски, це чувствительные к световому воздейстию. Соответственно нельзя использовать свст для стирания записанной информации.Цель изобретения - разработка способастирания оптической информации, запцсашой в аддцтцвцо окрашенном щелочно-галоцдном 25 кристалле при температурах до 350 С, обеспечивающего восстановление исходного для записи состояния кристалла.Предлагаемый способ отличается тем, чтодля стирания записанной информации кри сталл цдгрсвдют в темноте до 200 - 400 С сКорректор О. Тюрина Редок;ор Б. Федотов Заказ 26/19 Издй 9 Тираж 576 11 одписное Ц 11 ИИПИ Государственного ко;нитета Совета Министров СССР по дедам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская нао., д. 4/5Тнпзс 1 а(1)нп, пр. Сапунова, 2 превышением температуры стирания над температурой записи по меныпей мере на 30 - 50 С.Для стирания оптической информации, записанной в аддитивно окрагценном щслочногалоидном кристалле, пластинку кристалла помещают в установку, позволяющую проводить нагрев в темноте при заданной темпсратуре, например электронагревательную печь с регулятором тем пс 1 зат 1 зы. Така установка может быть частью более оощсй установки .для записи светом информации пр 1 заданных температурах. Для стирания информации подбирают температуру в днапазонс 200 в 4"С при условии, что она превышает температуру записи по меньшей мсрс на 30 - 50 С. Продолхкительность выдержки зависит от разницы между температурами стирания и записи. Чем эта разница больше, тем меньше выдеркка. При разнице менее 30 - 50 С стирание информации практически трудно осуществимо. Верхний предел температуры стирания (400 С) долхкен обеспечить восстановление состояния кристалла, исходного для процесса записи. При температурах свыше 400 С это состояние пе восстанавливается из-за термического разрушения аддитивной окраски кристалла.Нихкс приводятся конкретные примеры стирания оптической информации настоящим способом.Пример 1. Информацию, записанну 1 о спетом при 20 С в аддитивпо окрашенном кристалле хлористого калия, стирают нагревом кристалла в темноте при 200 С в течение 2 мин. П р имер 2, Информацию, записанную светом при 200 С в аддитивно окрашенном кристалле хлористого калия, стирают нагревомкристалла в темноте при 240 С в течение6 мин,П р и м е р 3. Информацию, записанную светом при 250 С в аддитивно окрашенном кристалле хлористого калия, стирают нагревомкристалла в темноте при 400 С в течениеТ 0 1 мин.В приведенных выше примерах в результатестирания восстанавливается исходное для записи состояние кристалла - кристалл равномерно окрашен Р-центрами, соответствующая15 интенсивность тт-полосы поглощения такаяжс, как и до первой записи. Такой цикл запись - стирание может быгь повторен многократно.Пример 1 показывает, что предлагаемый20 способ стирания оптической информации применим и для стирания информации, записанной при относительно низких температурах,где действенно стирание и другим способом.Таки.;1 образом, этот способ более общий.25Предмет изобретенияСпособ обработки оптической информациив аддитивно окрашенном щелочно-галоидномкристалле, закл 1 очающийся в том, что записьЗО информации произведена при температуре до350 С, отличаюш,ийся тем, что, с целью упрощения повторной записи информации, стирание производят нагревом кристалла в отсутствие излучения при температуре 200 в 4 С35 с превышением ее над температурой записина 50 С.