Зелимханов
Способ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Номер патента: 1705425
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин
МПК: C30B 19/02, C30B 29/40
Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных
...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...
Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку
Номер патента: 1569685
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Зелимханов, Трофимов
МПК: G01N 23/203
Метки: вещества, диэлектрическую, кондерсации, молекулярного, подложку, пучка, электропроводящего
...и теневое изображение 6 края подложки 1 с пленкоР конденсата имеет не" искаженный характер. По появлению такого неискаженного теневого изображе ния 6 индицируютконденсацию молекулярного пучкаП р и м е р 1. Берут в качестве 10 подложки свежий скол кристалла хлористого калия (КС 1), с поверхностным сопротивлением= 10 Ом/цполмещают в колонну электронограФа ЭГИ, которую откачивают до давле ния 10Па. На поверхность подложки направляют пучок быстрых электронов с энергией 80 кэВи током в пучке 50 мкА под скользящим углом 1-3 . Лю минесцентным экраном, ориентированным 20 перпендикулярно направлению падающего электронного пучка, регистрирукт некогерентно,рассеянные подложкоР электроны. При этом наблюдают теневое изображение края подложки в...