C30B 27/02 — вытягиванием из расплава

Номер патента: 149759

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гольцман, Кун

МПК: C30B 15/34, C30B 27/02

Метки: монои, поликристаллов

...напграфитовый поплженный теплоизбой 7.Предлагаемымнаправленныесечения из полуВ 1,Те, и тройной методом были п поликристаллы ква проводникового со сплав В 1 - Те - ЯЬ. олученьдратногодинения На щаяпоясняючертеже представленаредлагаемый способ.поверхности расплава, из кается образец, расположенвок 1, в центре которогощееся кверху отверстие сного сечения, соответствующобразца 2.плав и графитовый поплам, инертным по отношениюый защищает расплав отения и служит одновременндающей среды. Для охлажд схем В качестве флюса примен сплав 40 о/с 1.1 С 1+60% КС 1 исходит взаиморастворени ваемого поликристалла, а ленпя флюса (350 С) н плавления В 1 Тех (585), ность в области кристал большой температурный гр вающий хорошую напр кристаллов. Образцы В 1...

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...