Евтодий

Номер патента: 1700112

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аверьянов, Атаманенко, Дубинин, Евтодий, Кузьминов, Лейбович, Митин, Середа, Сухарев, Талят-Келпш, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, профилированных, процессом, расплава

...сил, приложенных к затравке растущего кристалла.Кроме того, известный способ автоматического управления технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при вытягивании кристалла трос наматывается на барабан лебедки, т,к. в этом случае для измерения сил поипоженных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.Целью предпа. емого изобретения является улучшение качества регулирования процесса выращивания профилированных кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в способе автоматического управления процессом получения профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры...