421875
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 421875
Текст
ОП ИСАНИИЗОБРЕТЕН Ия Сотоз Советских Социалистических Республик. 1) 271) 9/О В О7 ОО 5 Е 5 ВЛЕ 30 П 1) исОДИ иви ием зс 5 В)и,с)с.) Прц)рит Гасударственный комнт Совета Мнннстрав ССС публикЯ 3(.03.74, Бг( Сь 3 е 1262. 363. 41- )О( ) дела зобретенрытнй о,.,дта оиуб,и(яиия 12.02.7 КО В С 3 3 5 сторызобрстсии Некрасов и Р. Ш, Килькссв еииигрддский горный институт им. Г. В. ПлехановаВ ТС; Ь УСГЛНОЕ КА ДЛЯ 1 ЫСОКОЧЛСГО 111 ОГО НЛГР 1: ВА МЛ 1 т."РР 1 ЛД ОВс) П редмет из тепця Изооретеиие касается выращивания и гер мичс.ской обработки кристаллов, ия пример, цслдцдского шпата и может быль использовано В химической и радиоэлектрической и рс) к Вцтлеипости.Пьвсстцд установка для высокочастотцг цагревд материалов, содержащая высо,.(сг(тиый генератор и резонатор В виде и- с)гс) метялличе"кого цилиндра.Однако ь известной установке при идгре) пей прозрачных материалов иевозможи к.тролировать степень их прозрачности,сам иагревасмый материал прогревается еравцомерцо.С целеио термической обработки кристдл- з лов цсляидского шпата па торцовы. с(икя) 3,ицдря выполиецы окцд из стекла с прозрдчиыч токопроводящим покрытием, ияд к- с)рыми устаиовлеиы фотоэлектрические л;ггикц стспсищ прозрачности кристалла, соеди ,ссинс с системой автоматического регулир дция цдгрева, а в резонаторе рясположецы ; ЕГЛОИЗОЛП)УоиИС ПРОК,35)ДКР ДЛ 5 РДЗС 3 с(- ия кристалла.Пд серт(О Е ПОКяэяцд ПрЕдЛЯГ;ЕМяя уетяИс)3 Г .0.3 содержит высокочасттцый генератор 7.резонатор 2, В который помецают кристдл,сы 3, окна 4, фотоэлектрические датчики 5, ьк.почеише в схему б автоматического регу,3 ОВДИИ 53, 3 Л )ЗЛРУК)Ц ЦРОКЛДДКИ 7,В исходим положении обрдодтывде)ый . р(сстялл 3 псомещдют в резонатор 2 иа тепло;.033 рт Оиис пр)окл;.ки 7. По,ости)кепи 3 )езопаторе;С 3 сии УО-тс ) гключдют систеятомдтическог регулирования, котрдя ,; (; О Очере. Вкю д ст всочастти ы й ( ,с,Р Р ОР . П ) ц ЭТО;(ОП 3 ОС ГЬ, ПО;с) сС.( с 5 :; резонатор, пяхолится в обрдтцо процрцю;льиой здвисимост от степеии ирозря- сс ти кристалла 3. По достижепии оордзцом .дициоццой прозрдчцости система дгтомя. тц еского регулирования отключает подачу 3;) 3 иостц и по мере остываиия крист:)лл; 33)ресспвио уменьшает темп откачки во:)дмПосле тг кд кристалл Ост ис т ег3 (.С)(дю 1 из рябей амеры., СтяпК; ЛЛЯ 3 ОКси ГГИГО ЦДГРЕД 3(3 3 Е) ИЯЛ,ОЛ 3):Кс 3 Я 5 СК)С(ТОТИИ;срдтц и )сз 33;3:р де пс),ог .сгд,ги- (ГК ПИЛ и 3.р Я, С,ППО)с)(.с ГС 3, 3, ,33) ТС.Р.)ИС(КОП)сОТКИ РИС Г 35 СВ И(.- . .тС) ОГО И П с) ЦД ТР ЦОЫ: С"3(ИК) Х Цц 33 П ря Ви,333(ць) с)3 цд пз стскг) ( црс)з)3- , м токопроол 53 ци: Псок 1 т 1 тиса) ПЯП ктопы:.и устдполс пы свотоэлектрцческие датчики степени ирозрдиости кристалла, селицеиЗаказ 5587 1 Лзд.1424 Тираж 624 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб, д 4/5т 1 ерепонецкая городская типография 11:. ,С С 1.1)11 11) ) )1111111 б Е ) Г) )1 , 111,).), . ;)1 1 )Г;11, и 11 .10111)ТОО) )2 1)ЛО)1 г)11. 5 -.О11,:,1) т 1 ) 1 11 ).1,1 111,1,1)я-т(-1 . 1)С Я;,Я.
СмотретьЗаявка
1768693, 05.04.1972
МПК / Метки
МПК: C30B 29/10, C30B 33/04
Метки: 421875
Опубликовано: 30.03.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-421875-421875.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">421875</a>
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа
Номер патента: 100124
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Поздняков
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого
...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...
Способ определения структуры, величины и неоднородности внутреннего магнитного поля магнитоупорядоченных кристаллов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1272205
Опубликовано: 23.11.1986
МПК: G01N 27/82
Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры
...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....
Способ определения температурной зависимости оптической активности анизотропных кристаллов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1835504
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Аудзионис, Бальненис, Левитас, Липавичюс, Марцинкявичюс, Рубиш, Стасюкинас
МПК: G01N 21/21
Метки: активности, анизотропных, зависимости, кристаллов, оптической, температурной
...детектора 9, детектирующий сигнал второй гармоники соединен с выходом фотодетектора 7, Входы делителя 10 напряжений соединены с входом синхронного детектора 8 и с выходом синхронного детектора 9. Выходы задающего генератора 11 соединены с поляриэационным модулятором 3 и с входами опорных сигналов синхронных детекторов 8 и 9. Механизм 12 с блоком управления поворота поляризатора 2 и анализатора 6 механически соединен с поляризатором 2 и анализатором 6. Вход блока 13 выборки-хранения сигнала, пропорционального 4 с выходом делителя 10 напряжений и вход управления блока 13 соединен с одним из выходов блока 12 управления с механизмом поворота поляризатора и анализатора, Вход блока 14 выборки-х 2 оанения сигнала пропорционального(6 з 1 п С...
Ультразвуковой реактор для активации роста кристаллов и смешения растворов, например, фтористого алюминия
Номер патента: 142771
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: B01D 9/00
Метки: активации, алюминия, кристаллов, например, растворов, реактор, роста, смешения, ультразвуковой, фтористого
...1 для раствора, змеевика 2 для подачи подогревающего пара, выпускного патрубка 3, корпуса реактора 4, трубки 5 для возврата части раствора вниз реактора,концентратора б многополочного, магнитострикционного излучателя Тультразвука и бронзового стакана 8 для излучателя с патрубками дляподачи охлаждающей воды. Продукт, продлежащий ультразвуковойобработке поступает снизу вверх.Магнитострикционный излучатель и концентратор рассчитываючсяна частоту 25 кгпв. аллов многих неорганических веществ типа р. из горячих пересыщенных растворов дл ся так называемая затравка, в виде навески,.Пропуская через реактор определенную час расор (в суае вторичного алюминия около трех сотых долей раствора), в нем образуется громадное число активных...
Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов и переходов к держателям стержневого типа полупроводниковых диодов
Номер патента: 143445
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Блинова, Ермолаев, Матвеева, Сандеров, Хайт
МПК: H05K 13/00
Метки: держателям, диодов, кристаллов, переходов, полуавтомат, полупроводниковых, припайки, стержневого, типа
...тем, что для повышения точности установки кристалла на торце держателя по его оси и улучшения качества пайки в нем применен слабо подпружиненный вакуумный присос, установленный на сильно подпружиненном подвижном стакане, снабженном конусным пояском, служащим для вдавливания кристалла в штифт, а вращающаяся печь выполнена в виде дюралевой гильзы с конусным каналом, заканчивающимся призмой с прижимной пластинкой, снабженной в верхней части нагревательной обмоткой,На фиг. 1 показано конструктивное выполнение механизма захвага кристалла предлагаемого полуавтомата; на фиг. 2 - конструктивное выполнение печи предлагаемого полуавтомата.Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов конструктивно выполнен в виде трех синхронно...
Предыдущий патент: 421874
Следующий патент: 421876
Случайный патент: Способ измерения толщины защитного слоя бетона и диаметра арматуры строительных конструкций и устройство для его осуществления