Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ .СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 03.02.77 (21) 2450082/23-26 (51)М. Кл. с присоединением заявки йо(23) Приоритет С 30 В 33/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(71) Заявитель Тамбовский институт хИмического машиноо(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЮВЕНИЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ В ДВОЙНИКУЮЩИХСЯ КРИСТАЛЛАХИзобретение относится к получениюфизически чистых (ювенильных) поверхностей и может быть использовано дляполучения таких поверхностей в кристаллах, двойникующихся под действиеммеханической нагрузки.Известен способ получения ювенильных поверхностей у металлических образцов путем разрыва стержня в плас.тической оболочке 13Однако этот способ не может быть,применен для получения ювенильныхповерхностей в кристаллах,Известен также способ получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах путем приложения сосредоточенной механической нагрузки к двум параллельным плоскостям образца, сошлифованным перпендикулярно 20 плоскостям двойникования. В результате воздействия такой нагрузки кристалл упруго деформируется и (в результате взаимодействия двух встречных упругих двойников) в нем появляется полость с ювенильными поверхностями Е 23,Недостатком известного способа является необходимость сошлифовки поверхностей кристалла, 30 Цель изобретения - упрощение процесса за счет устранения операции сошлифовки поверхностей кристалла.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающем упругое деформирование образца, сосредоточенную механическую нагрузку прикладывают к двум естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности. Ве-. личина нагрузки, необходимой для обоазования полости, равна Р где Р - нагрузка в направлейии двойникования;- угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.П р и м е р, Получают ювенильные поверхности в кристалле исландского шпата. Схема получения поверхностей приведена на чертеже.Берут кристалл 1 исландского шпата размером 10 х 10 х 5 мм, ограненный естественными гранями.К двум противоположным граням 2 размером 10 х 10 мм, являющимся плоскостями спайности кристалла, с помощью сферических индекторов 3 (стальных шариков) прикладывают механическую нагрузку Р величиной 1,1 кг. Для(815091 Формула. изобретения Составитель Т. Фирсовар Г. Кацалап Тех ед Н.Бабурка Кор екто М. Внгу Редак Заказ 97 ВН2/44 Тираж 333 Подписное ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытии 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4 5 Филиал ППЛ "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4этого кристалл помещают на неподвижное основание 4 и прижимают сверху при помощи штока 5, установленного в.направляющих б. Поддействием нагрузки в кристалле возникают встречные упругие двойники 7, между которыми появляется полость 8 с ювенильными поверхностями (не показаны).Так, как для исландского шпата "20 , то Р = = 1,06 Р.о Рсо 20 О Способ получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающий упругое деформирование образца путем приложения сосредоточенной механической нагрузкик двум параллельным его плоскостям,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью упрощения процесса, нагрузкуприкладывают к естественным гранямкристалла, являющимся его плоскостями спайности, причем величину нагрузки поддерживают равной Р = Рсом фугол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. ДАН СССР, 1968, 9 б, т. 179,с. 1318.2. Авторское свидетельство СССР15 Р 594627, кл. В 01 3 17/00, 19.11.76.
СмотретьЗаявка
2450082, 03.02.1977
ТАМБОВСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКОГОМАШИНОСТРОЕНИЯ
ФИНКЕЛЬ ВИКТОР МОИСЕЕВИЧ, ФЕДОРОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЛОТНИКОВ ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 33/00
Метки: двойникующихся, кристаллах, поверх-ностей, ювенильных
Опубликовано: 23.03.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-815091-sposob-polucheniya-yuvenilnykh-poverkh-nostejj-b-dvojjnikuyushhikhsya-kristallakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах</a>
Способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла (его варианты)
Номер патента: 1052956
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Агеев, Гоганов, Казанский, Комяк
МПК: G01N 23/20
Метки: варианты, его, заданного, кристалла, кристаллографических, ориентации, отклонения, относительно, плоскостей, поверхности, среза, угла
...разности измеренных углов 2.5 Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла, включающий облучение поверхности среза исследуемого кристалла пучком рентгеновских лучей и регистрацию отраженных от него лучей с помощью детектора 13Недостаток способа состоит в том,что необходимо поворачивать исследуемый кристалл для лоиска отражения и нахождения углового положения его максимальной интенсивности, что существенно снижает экспрессность анализа. Кроме того, точность определения угла отклонения таким способом зависит от точности изготовления узлов, обеспечивающих поворот и определение углового поло.ения кристалла,...
Подвижной мост, расположенный между двумя параллельными подвесными однорельсовыми путями
Номер патента: 24435
Опубликовано: 31.12.1931
Автор: Торгман
МПК: B61B 13/04, B61B 3/00
Метки: двумя, между, мост, однорельсовыми, параллельными, подвесными, подвижной, путями, расположенный
...пути 1 (фиаг, 1) 1 на такой же продольный путь 2, по которому одновременно прогускаются мимо поперечного пути другие каретки, необходимо снабжать поперечный путь, в месте его сопряжения с продольным, стрелкой, которая откидывается при проходе каретки по продольному пути и, образуя в поперечном пути просвет, пропускает через него подвеску, соединенную с кареткой и несущую на своем нижнем конце транспортируемый груз Для получения определенной ширины просвета при непосредственном сопряжении А - В поперечного и продольного между двумя параллельсовыми путями,ан, заявленному 12 сентябряМо 32495).ковано 31 декабря 1931 года,Сопряжение В (фиг, 2) обводного и поперечного путей осуществлено посредством обычной крестовины с вырезами 6, б в...
Устройство для измерения амплитуды импульсных колебаний поверхности электроакустических излучателей
Номер патента: 479068
Опубликовано: 30.07.1975
МПК: G02F 1/34
Метки: амплитуды, излучателей, импульсных, колебаний, поверхности, электроакустических
...электр о акустический излуча тель 2.Устройство работает следующим образом.При равномерном изменении длины оптического пути между лазером 1 и электроакустическим излучателем 2, от зеркальной поверх ности которого в обратном направлении отражается луч лазера, из-за интерференции прямого и отраженного лучей интенсивность выходного излучения лазера периодически меняется. При помощи фотоэлектронного умно жителя 4 детектируется огибающая, которая479068 оставитель В. Антипов Техред А. Камыиникова едактор В, Левятов рректор Н. Учакина Тираж 619Совета Министоткрытийнаб., д. 4/5 Изд,1651 осударственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, РаушскаЗаказ 2497/19 ПодписноСССР ИПИ Типография, пр. Сапунова, 2 в случае слабой оптической связи в...
Гибочный штамп
Номер патента: 566653
Опубликовано: 30.07.1977
Автор: Ершов
МПК: B21D 22/02
...и требуемым радиусом изгиба детали. С уменьшением последних число секций увеличивается. Подвижные секции 5 и 6 поддерживаются пружинами 7 и 8 соответственно, Пружины 7 размещаются внутри, пружин 8 и имеют большую длину, чем пружины 8. Число пружин 7 и 8 зависит от ширины заготовки 9.Рабочие поверхности (ребра) 10 каждой секции образованы двумя плоскостями, биссектриса 11 убегла между которыми проходит через центр кривизны 12 поверхности пуансона 1. Сечения секций представляют собой многогр анники.Штамп работает следующим образом.Плоскую листовую заготовку 9 укладывают на поверхность матрицы 3. При этом секции 5 и 6 касаюпся нижней поверхности заготовки 9. При перемещении пуансона 1 вниз происходит изтиб части заготовки,...
Способ управления автономным инвертором
Номер патента: 1735985
Опубликовано: 23.05.1992
Авторы: Глухих, Лузгин, Рухман, Шипицын
МПК: H02M 7/48
Метки: автономным, инвертором
...изменения напряжения на вентиле 3; последовательность импульсов,сформированных генератором 14, сиг, налы на выходе датчика 12, длитель ность которых определяется длительностью отрицательного (встречного)напряжения, приложенного к вентилям2 и 3, пачки импульсов, сформированные генератором 14 и вырезанные изпоследовательности импульсов с помощью преобразователя 13, равные подлительности времени, в течение которого к вентилям 2 и 3 приложеноотрицательное (обратное) восстанавливающее напряжение, импульсы, сформированные при сравнении (прегышении)реального времени, предоста вляемогодля восс та новлен ия упра вляемостивентилей 2 и 3 с заданным (в импульсов) на выходе счетчика 15.В номинальном режиме работы инвертора эквивалентное...
Предыдущий патент: Способ получения электрода
Следующий патент: Устройство для намотки нити набобину
Случайный патент: Дистанционный пульт опробования тормозовв поездах