319319

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Иванов, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 1677069

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Журавлев, Кандыбка, Коваленко, Морозов

МПК: C21C 5/54

Метки: выплавки, флюса, фторидного, шихта

...марганцевым концентатом, а также снизить вязкость Флюсового расплава.При использовании отходов алюминиевого производства с отношением (СаЕ 2+йаЕ)/С7,3 не достигается снижение содержания фосфора в готовом флюсе за счет его восстановления углеродом и наблюдается интенсивное испарение Фторсодержащих летучих соединений, что ухудшает технологические свойства Флюсов.Если отходы имеют отношение (СаЕ 2+ИаЕ)/С2,8, то не обеспечивается более полное восстановление Фосфора за счет высокой вязкости расплава. Кроме того, наблюдается увеличение содержания углерода в готовом флюсе,П р и м е р. Шихту приготавливают путем смешивания предварительно взвешенных компонентов в соотношениях, требуемых для получения флюсов заданных марок в соответствии с...

Номер патента: 1204588

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Гречко, Маркеев, Мельниченко, Мусорин, Раков, Сахаров, Семенова, Эпов

МПК: C03C 6/06

Метки: стекол, фторидных, шихта

...использования хорошорастворимых в ваде фтораммонийныхсолей является воэможность их глубокой очистки простыми: и технологическими гидрометаллургическимиметодами, что практически невозможно для фтаридов тяжелых металловвследствие их нерастворимости.Крометога, дополнительная очистка фторцирканатов или фторгафнитов щелочных и щелочно-земельных металлов легко достигается эа счет их предварительного вакуумного переплава. Уменьшение содержания растворенных в расплаве кислорода и гидроксильных групп приводит к расширению границ пропускания в синтезированных стеклах за счет повышения ох оптической однородности, Фтарцирканаты,или фтаргафнаты аммония являются полупродуктам в технологических схемах получения металлического циркония или...

Номер патента: 1786105

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гасик, Кандыбка, Коваленко, Кучер

МПК: C21C 5/54

Метки: выплавки, подготовки, флюсов, фторидно-оксидных, шихты

...Применение в качестве связующего ЛСТ с содержанием Са 0 более 5 мас.оприводит к увеличению последнего в составе конечного продукта(фторидно-оксидного флюса АНФ) сверх нормативного, определяемого требованиями технической документации. Введение Са 0 в составе Л СТ и смешивание его с компонентами шихты способствует также блокированию межзеренных границ полученного брикета, по которым и роисходит оплавление при дальнейшем технологическом переделе подготовленной шихты вО фторидно-оксидный флюс.Расход связующего определяется обратной кратностью к удельному давлению прессования 50-114, Рекомендуемое удельное давление прессования для пылевидных компонентов флюсоплавильного производства фракции более 10 мкм составляет 600- 800 кг/см . В то же...