О п и с хтги е изобретения(ц)408509
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ибпкотек; - .,":А О П И С Н И-Е4 ОВОф ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 09.11.70 (21) 1492735/23-26 л, ВО инением заявкис присоед32) Приоритет асудврственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изооретенийи открытий но 15,04,74. Бюллетень1 икования описания 20.09.7 убликов(54) СПОСОВ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЪНЫХ СЛОЕВ ГЕРМАНИЯдмет изобретени Изобретение относится к получепиюэпитак- сиальных слоев полупроводниковых материалов, в частности к процессам получения эпитаксиальных слоев германия восстановлением его тетрахлорида в водороде.5Известен способ получения эпитаксиальных слоев германия восстановлением тетрахлорида германия в водороде на гермапиевых подложках с ориентацией 111 Ц в интервале 820 - 850 С. 10Цель изобретения - получить эпитаксиальные слои германния без,макроскопических дефектов бугорков или с незначительным их количеством.Это достигается тем, что при 780 в 8 С 15 наращивают слой толщиной 0,1 - 1 мкм. Затем при температуре до 1820 в 8 С продолжают рост слоя до заданной толщины.Наращивание монокристаллического эпитаксиального слоя толщиной 0,1 - 1 мкм не по зволяет возвитать бугоркам, запечатывая дефекты подложки, и препятствует образованиео микросплавов, возевикающих до начала эпитаксиального роста при взаимодействии с запрязнениями подложки, газов и применяе мых материалов.Пример 1. Способ испытан на опытно- промышленных установках.При испытаниях наракцивают слои толщиной 150 мкм со скоростью 0,7 мкм/мин на 30 германиевых подложках р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,75 ом см, ориентированных в направлении 111 Ц, диаметром 28 мм. Окончательная обработка поверхности подложек - алмазная полировка. Перед наращиванием подложками травят газообразным хлористым водородом.Наращивают:слой толщиной 1,0 мкм при 780 С, а затем повышают температуру до 830 С со скоростью 50 град мин -и наращивают слои задаиной толщины. Среднее количество бугорков,на 14 слоях не более 4,П р и м е р 2, По примеру 1 наращивают слои толщиной 0,1 мкм при 800 С, затем повышают температуру до 830 С со скоростью 10 град мин -и продолжают рост,прои этой температуре. Среднее количество бугорков на 14 слоях не более 5.При наращивании слоя известным, способом при 830 С среднее количество бугорков на 14 слоях составляет не менее 150 шт, т. е.25 см - -. Способ выращивания эпитаксиальных слоев германия осаждением их на подложке при восстановлении тетрахлорида германия е 1 ри 820 - 850 С, отличающийся тем, что, с408509 Составитель Л. Вервыка Техред Е, Борисова корректор Е. Миронова Редактор Л, Народная Заказ 2460/5 Изд.1510 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская, набд. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 целью получении слоев без дефектов аод названием бугорки, на подложке предвари 4тельно при 780 - 810 С наращивают слой толщиной 0,1 - 1 мкм.
СмотретьЗаявка
1492735
А. В. Вервыка, А. С. Кузнецов, Д. И. Левинзон
МПК / Метки
МПК: C30B 25/02, C30B 29/08
Метки: изобретения(ц)408509, хтги
Опубликовано: 15.04.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-408509-o-p-i-s-khtgi-e-izobreteniyac408509.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">О п и с хтги е изобретения(ц)408509</a>
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Номер патента: 1277840
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Прохоров, Романова, Янсон
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.
Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Номер патента: 1127479
Опубликовано: 20.02.1997
Автор: Лапин
МПК: H01L 21/306
Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных
Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.
Способ измерения толщины диффузионных и эпитаксиальных слоев
Номер патента: 983444
Опубликовано: 23.12.1982
Авторы: Светличный, Цопкало
МПК: G01B 7/06
Метки: диффузионных, слоев, толщины, эпитаксиальных
...или эпитаксии, что позволяет своевременно обнаружить бракованные полуфабрикаты и устранить отклонение в техническомсрежиме. Простота способа и применение недорогостоящего оборудования для его реализации позволяет использовать его на предприятиях страны, выпускающих микроэлектронные приборы. Формула изобретения Способ измерения толщины диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковой пластины, заключающийся в том, что пластину помешают на металлическом основании и производят давление металлическим зондом на пластину со стороны диффузионного или эпитаксиального слоя в пределах упругих деформаций, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения локальности, точности измерения и упрошенияспособа, на измеряемую пластину...
Способ определения толщины эпитаксиального слоя кремниевых структур
Номер патента: 1767582
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов
МПК: H01L 21/66
Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального
...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...
Устройство для измерения толщины эпитаксиальных слоев
Номер патента: 1073564
Опубликовано: 15.02.1984
Авторы: Журба, Косыгин, Силантьев
МПК: G01B 9/02
Метки: слоев, толщины, эпитаксиальных
...двумя сферическими зеркалами, установленными в ходе лучей, отраженных от первого зеркального блока, и зеркальным умножителем, выполненным в виде двухплоских зеркал, одно из которых установлено неподвижно, а другое - на общем основании с подвижным зеркалом второго зеркального блока под тупым углом к нему.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит два параллельноустановленных источника 1 и 2 монохроматического и немонохроматического излучения и последовательно расположенный по ходу излучения от источников светоделитель 3, выполненный в виде плоского зеркала, расположенного под углом 45 к оптической оси устройства, зеркальный блок, выполненный в виде двух плоских зеркал 4 и 5, установленных на общем основании таким...