Способ выращивания монокристаллов бифталата калия

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения:

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....

Номер патента: 412713

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Алфименков, Курцман, Суворов

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллизатор, монокристаллов, растворов

...выращивания монокриз растворов, содержащий термостат,емкость с магнитной мешалкой, для создания вращающегося маголя, отличающийся тем, что, исключения загрязнения раствора, я мешалка выполнена плавающей средственного механического контакдыми элементами рабочей емкости. Крист сталлов 5 рабочую средства нитного с целью магнитн 0 без неп та с твеИзобретение касается выращивания моно- кристаллов из растворов и может использоваться в химической и радиоэлектронной промышленностях,Известен кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов, содержащий термостат, рабочую емкость с магнитной мешалкой, средства для создания вращающегося магнитного поля. Однако магнитная мешалка находится в контакте с твердыми элементами конструкций. Это...

Номер патента: 488611

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Курцман, Суворов

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора

...для создания импульсов, разряжение-давление.Трубопровод 6 в виде трубки) имеет,специальный профиль: на вертикальной про-;,екции все ее отрезки имеют уклон к горизонту, а в плане трубка имеет такой профиль, что нижний ее конец после поворачивания достигает центра дна кристаллизатора. После сброса затравки трубку можно, отвести к стенкам кристаллизатора, чтобы он не мешал действию мешалки и дьи-, 20жению жидкости в районе затравки и невносил асимметрию в потоки.Обычно затравки имеют размер не более,3-4 мм, а трубка внутренний диаметр по-рядка 5-6 мм. Она выполняется без рез-26ких переходов и изломов, например из стекла, поэтому ее изготовление не вызываеттрудностей и профиль легко может бытьподогнан по месту,Конструкция трубопровода...

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;