Патенты с меткой «двойниковыми»
Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям 11
Номер патента: 418211
Опубликовано: 05.03.1974
Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова
МПК: C30B 15/36, C30B 29/06
Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям
...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...