C30B 25/16 — управление или регулирование

Способ автоматического управления п получения чистых материалов из газоп п. ft jh-•: •••,: оцмедgt; amp; мй1ой фазы”

Загрузка...

Номер патента: 190580

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Айзенштейн, Иванов, Казакевич, Лисовский

МПК: C30B 25/16

Метки: jh-•, газоп, мй1ой, оцмедgt, фазы, чистых

...является то, что в течение процесса непрерывно оп ределяют скорость убывания омического сопротивления наращиваемого материала, в зависимости от которой производят поиск и поддержание оптимальных значений входных переменных параметров, соответствующих мак симальному значению критерия производительности. Это дает возможность устранить влияние различных внешних и внутренних факторов на установленный ход процесса, в результате чего повышается его производи тельность.По описываемому способу измеряемая непрерывно в ходе процесса величина, обратная омическому сопротивлению наращиваемого материала, и сигнал отклонения температуры 25 от задания подаются в вычислительное устройство, с помощью которого в течение фиксированного промежутка времени...

Способ автоматического управления процессом роста нитевидных кристаллов нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 380344

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Бирюков, Захаров, Москвец, Мухин, Силаев, Федорук

МПК: C30B 25/16, C30B 29/38, C30B 29/62 ...

Метки: кремния, кристаллов, нитевидных, нитрида, процессом, роста

...волорола в газах на входе и вььх- Ле из реакционной зоны автоматически вы числяется количество пропана, необхолимсголля подлеркания требуемой концентрации вэ- Сп лорола в зоне. Эта величина используется сом лля управления расходом пропана в реакци-, крех онную зову. 25 ходоНа чертеже приведена "схема реализацйпот;ссс пРедлагаемогос Снс 1 еоКса - .:-;:. оптсДатчиком 1 измеряесйт конГФйтрайгиФ"войсс- ": нбцТ рола в азоте на вх;оде в реактор ивводится" вре. ее значение в суммируюсцее устройство 2,:ку 30 Лоро ла вволится также текуьцее значение концент. рации волорола в отходящих газах с помощью датчика концентрации . Суммирующее устройство 2 вычисляет текущее значение концентрации водорода в реакционной зоне, когорое...

Устройство для получения полупроводниковогоматериала

Загрузка...

Номер патента: 810086

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Герхард, Ульрих

МПК: C30B 25/16

Метки: полупроводниковогоматериала

...плиты 4 имеются две коаксиачьно установленные трубки 9 и 10 для подвода и отвода газов соответственно,В опорной плите 4 выполнено также отверстие, в которое с помощью уплотнения 11 установлен тубус 12 с контрольным окном 13 Под тубусом установлено регулируемое поворотное зеркало 14, которое связано со средством 15 наблюдения или контроля темпера. туры.При известных условиях фланец 5 также может быть упразднен и в соответствии с этим толщина стенки колокола 1 также у своего нижнего края должна совпадать с толщиной стенок в остальных частях коло. кола или даже быть суженной. Колокол 1 в своей верхней части закруглен и образует свод, вследствие чего посредством сжатого газа задана усиленная несущая способность. Сжатый газ находится в...