Веселкова

Номер патента: 1825654

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Веселкова, Воскресенский, Зуев, Казаков, Остошевская, Сафонов, Сердюков, Халак

МПК: B01J 23/78, B01J 37/34

Метки: аммиака, катализатора, разложения, синтеза

...см с внутренним отверстием 16 см, круги обрезают с четырех сторон (фиг.1), собирают на расстоянии 0,2 мм друг от друга в виде полого цилиндра высотой 60 см и помещают в трубчатый реактор диаметром 40 см, имеющий перегородку с отверстием 16 см и сплошную верхнюю пластину (фиг,2), В термостатированный реактор, содержащий катализаторный блок, подают азотно-водородную смесь в соотношении 1:3 при давлении 300 атм с обьемной скоростью 330000 ч, Содержание аммиака на выходе определяют хроматографически. Производительность блока при температуре 500"С составляет 2946 моль/л ч. П р и м е р 2 (сравнительный). Длясравнения готовят каталитическое покрытие, идентичное по составу катализатору СА(мас,(: А 20 з 3.5, СаО 2,5, К 20 1,25, 5 5102 2,0,...

Номер патента: 1820926

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Агеев, Веселкова, Влащенко, Воробьева, Деханова, Размахова, Селиванов, Столяров

МПК: D03D 15/00, D03D 3/06

Метки: бинтовочная, лента, резинотехнических, тканая

...текс к линейной плотности основных слабой связностью и недостаточной каркас- . нитей в текс находится в пределах 1: (1,9 - ностью, что будет способствовать сниже,2), Элементы перекрытия нитей основы и нию эксплуатационных характеристик, что утка подвержены еще интенсивным истира недопустимо, Если поверхностное заполнеющим воздействиям как о поверхность. ру- ние будет выше 90, то могут встретится кава, так и по поверхности друг друга в трудности при выработке ленты на лентотпроцессе бинтовки и разбинтовки, а также кацкомстанке и к неоправданномуувеличевоздействиям, способствующим раздвижке нию расхода сырья,нитей; поэтому создание максимального ко.Если количество перекрытий основных личества "опорных точек" - мест перекры- и уточных нитей...

Номер патента: 1819293

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Веселкова, Лясников, Наговская, Пархета, Похмурский, Сидорак

МПК: C23C 4/00, C23C 4/18

Метки: методом, напыленных, плазменным, покрытий, последующей

...и металлов с покрытием, а также обнаруженное явление ускорения диффузионных процессов в металлах и металлосистемах под влиянием растворенного в них водорода. Соединение этих явлений в одном процессе и определение темпера турных режимОв термообработки позволило достигнуть. поставленную цель. Подобного решения задачи в процессе патентного поиска нами не обнаоужено, что позволяет сделать вывод о существенной новизне предложенного способа.1819293 30 римечание;и- конечный угол перегиба, при котором наступает растрескиваниепокрытия при технологических пробах на перегиб;Р - значение нормальйого усилия отрыва покрытия от основы прииспытаниях на отрыв. П р и м е р 1. На никелевую пластину способом плазменного напыления наносили покрытие меди,...

Номер патента: 1766980

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Веселкова, Петров, Рюмина

МПК: C21D 6/00

Метки: высокой, магнитной, магнитопровода, проницаемостью, сплавов

...железаье т е Ф М ЕВ 800, .Н с, Режин тер- Толщина, щ ., 8800 Не Режим тер"н макееТл Я/н иообработки мм ТлА/н мообработкие М1,5 12 1125225 аС, 0,25 5000 84000 4,64 1,5 1100 С, 1 ч3-Вч0,25 3800 97000 4,40 1,5 1150 С, 1 ч0,25 5500 103700 416 15 1200 С, 1 ч Магнитолроводы, изготовленные из-к 1 маке Толщина,мм 3500 35000 0,25 предварительно перед плавкой железо рафинируют при 700 - 750 С в электролите, состоящем из хлористого натрия, хлористого калия и хлористого железа, взятых в соотношении 45 - 45 - 10, при анодной и катодной плотностях тока 0,2 и 1 А/см соответствен 2но, электролитическое железо отжигают при 890+250 С в водороде в течение 1,75- 2,25 ч. Время окончательной термообработки магнитопроводов сокращается в 3 - 6 раз,Новизна...

Номер патента: 1733449

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Веселкова, Кузьменко, Суханова, Ткачева, Фролова

МПК: C09C 1/00

Метки: пигмент, термостойкий, черный

...и 18 - 22, 1 табл,Примеси железа. марганца, этих пигментах оказывают отриц действие а диэлектрические свой ментов.1733449 Диэлектрические свойства изоляционных паст Составы пигмента, вес,ь Условия проведениясинтеза Малярил-техническиесвойства Примеры Иаслоем- Укрывискость тость г/100 г г/м 2 пигм. сВ 3,р 10 СО Оз Температура прокалки, С Сап Интенсивность Времяпрокалки,ч 1 тернообработкапри 850 С 7 термооб термооб" 7 термообработок работка работокпри 800 ьС и 850 ьС при 800 о С Прсс- ложеннос1234Известное 568 850 900 950 1000 6 105 15 4 104 13105 13 2 103 12 28 30 30 31 18 21 21 22 28 28 28 33 25 50 33 40 75 50 67 60 9,5 9,4 8,1 8,79 7,9 9,6 9,6 25-40 85011001220900 0,5 100 12 4 95 11 7,5 85 9 3 97 13 63 32 34 40 32 11,2 11,2...

Номер патента: 1715589

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Веселков, Веселкова, Соболев

МПК: B27B 13/08

Метки: ленточно-пильного, механизм, натяжения, пилы, станка

...пневмоцилиндры 7. Опорныеповерхности пневмоцилиндров 7 также выполнены сферическими.Механизм работает следующим образом.Ленточная пила устанавливается напильные шкивы. Включается привод винтового механизма 1 и производится подаемобоих суппортов 2 верхнего пильного шкива4 до тех пор, пока пила не получает определенное натяжение, (например, около 145МПа). Включается привод механизма резания и пильные шкивы с пилой приводятся вдвижение. Производится регулировка угланаклона верхнего пильного шкива в зависимости от напряженного состояния за счетподьема или опускания одного из суппортов2. После этого подается сжатый воздух вкамеры четырех пневмоцилиндров 7,Опорные кронштейны 3 получают дополнительное перемещение и зависают на"воздушных...

Номер патента: 1664860

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Веселкова, Забелин, Комаров, Луговой, Николаев, Нуртаев, Рябухин, Сизоненко, Сушенков

МПК: C22B 7/00

Метки: магнийсодержащих, переработки, шламов

...включают, Извлеченный миний всплывает на поверхность расплава, откуда его извлекают вакуум-ковшом, а твердые примеси осзкдаются между тарелями центрифуги.Поднятием центрифуги над расплавом они отжимаются от солей и выгружаатся в короб со шламом. В реторте остается осветленный расплав, который может быть тозвращеп в электролизеры,П р и м е р 1 (известный), В ретортузагружа от 1000 шлама-электролитной смеси магниевых электролизеров следующего состава мас. %: МдС)2 11,4; Мдй 3,5; Ре 0,1; Я 1 О,З; Т 0,4; КаС 37; КС 45,3; Мдмет 2% Температуру расплава устанавливают 7000 С, Опускают центрифугу в расплав и выдерживают до восстановления температуры, затем включают. Продолжительность центрифугироеания 10 мин, В конце пооцесса обдуваот...

Номер патента: 1114668

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Абашкина, Бурова, Веселкова, Зырина, Казак, Классен, Куртева

МПК: C05B 11/06

Метки: комплексных, удобрений

...следующим образом. В смеситель загружают Аосфатное сырье и часть фосфорной кислоты, интенсивно перемешивают и полученную массу подают на разложение азотной кислотой в реактор, куда подают 50- 60 -ную азотную кислоту в смеси с 20- 50 от остальной части Аосфорной кислоты. Разложение идет 40-60 мин, затем ИР-раствор в случае необходимости отфильтровывают от шлама и Фнльтрат с рН 1 1 смешивают с остальными 80-50 фосфорной кислоты, аммонизированной до рН 4,4-4,9. После смешения полученную ИР-пульпу доаммонизируют газообразным аммиаком до рН 4,4-4,9, затем при необходимости добавляют соль калия и гранулируют.3 1114668Целесообразность выбранного соотношения Т:Ж в реакционной пульпе пос"ле добавления к сырью фосфорной кислоты...

Номер патента: 1082761

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Абдель, Веселкова, Климова, Крылова, Серебряков, Торочешников

МПК: C01C 1/04

Метки: аммиака

...объему катализатора равном 0,125-4 и времени между импульсами, превышающем время прохождения импульсивного газа через слой катализатора в 50-400 раз.55 Степень превращения азота в аммиак при различных температурах приведена в табл. 1, (для сравнения в Предлагаемый способ позволяет повышать активность катализатора относительно активности последнего в стационарном режиме, поскольку потокгаза-носителя (водорода, азота илигелия) обеспечивает регенерацию активных центров катализатора в промежутках между импульсами вследствиедесорбции аммиака. Для высокой степени превращения в аммиак при работекатализатора в импульсивном режименеобходимо полное использование слоякатализатора, что обуславливает выбор интервала М, значений отношенияобъема...

Номер патента: 1062298

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Веселкова, Корниенкова, Курышев, Соломин, Соснин

МПК: C22C 38/30

Метки: магнитомягкий, сплав

...уровнем шума из-за большой величины,магнитострикции 3э= 23 10 .Целью изобретения является снижение величины магнитострикции б 5 при этом величина В 10 1,4 Тл, а коэрцитивная сила60 А/м) .Эта цель достигается тем, что маг-.нитомягкий сплав, содержащий марганец, кремний и железо, дополнительно содержит кобальт, алюминий и хромпри следующем соотношении компонентов, мас:Алюминий 0,5-2,5Марганец 0,5-1,5Кремний 0,15-0,3Кобаль т 1,5-3,5Хром 0,5-1,5Желез.о ОстальноеДобавки кобальта к железу повышают значение В, сохраняя при этомнизкое значение коэрцитивной силы.Увеличение содержания кобальта свыше 3,5 приводит к значительномувозрастанию Н , снижение кобальтаменее 1,5 уменьшает величину ВАлюминий снижает значение магнитострикции до нуля, однако...

Номер патента: 948661

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Варакин, Веселков, Веселкова, Селезнев

МПК: B27B 13/10

Метки: ленточной, направляющая, пилы, полотна

...полотна ленточйойпилы 1 включает головку 2 с контактирующей поверхностью 3 и механизмориентации 4 головки 2.Головка 2 снабжена пластинами 5,которые установлены по ширине контактирующей поверхности 3. Пластины5 выполнены из материалов с различными коэффициентами трения .и теплопроводности.Причем пластина 5 с минимальнымкоэффициентом трения и максимальнымкоэффициентом теплопроводности установлена у зубьев полотна ленточнойпилы 1, а пластина 5 с максимальнымкоэФФициентом трения (из данного набора пластин) и с минимальным коэффициентом теплопроводности установлена у задней кромки пилы 1,Направляющая работает следующимобразом.Направляющая выдвигает рабочийучасток пилы 1 относительно линии,948661 10 каз 6081/16 Тираж 515 Подписн НИИП...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 461455

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Веселкова, Грацианов, Путимцев

МПК: H01F 1/12

Метки: магнитомягких, сплавов

...уровня магнитных свойств.С целью устранения отрицательного влияния остаточного кислорода на магнитные своиства сплавов, снижения температуры и выдержки при термической обработке предлагается в качестве раскислителя и модиф;- катора применять фосфор, который вводят в расплав в количестве от 0,05 до 0,5 кг на 1 т сплава при соотношении между кислородом н фосфором в расплаве не более 10. Предлагаемый способ обеспечивает высокую технологическую пластичность металла при горячей пластической деформации (ковка, прокатка) и последующей холодной про катке на ленту толщиной 50 мкм со степеньюобжатия 98 - 99%, устраняет отрицательное влияние кислорода на магнитные свойства сплавов при его содержании в сплаве до 0,12% . В приготовленном по...

Номер патента: 455166

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Веселкова, Путимцев, Соснин

МПК: C22C 39/36

Метки: железа, основе, сплав

...Не более 0,1Не более 0,1Не более 0,00Не более 0,03 30 Нс более 0,02 Не более 0,03Р Не более 0,4Сера Не более 0,02Углерод Не более 0,05С целью повышения чувствительности сплава к вторичной рекристаллизации и к термомагнитной обработке и повышения магнитных свойств предлагается сплав, отличающийся от известного большим содсржанисм никеля и наличием фосфора в качестве основного легирующего элемента,Сплав имеет следующий химическии состав, %:1-1 икель 48,0 - 65,0 Фосфор 0,005 - 0,05 Железо Остальное,После обработки в ва 0 -1100 С (1 - 3 час):максимальная магнитная 7000 - 40000проницаемость, гс/э10 отношение остаточной маг,03 - 0,7нитной индукции к максимальной магнитной индукцииПосле обработки в вакууме и...

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 392142

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Александров, Белкин, Веселкова, Голов, Изобретени, Марфин, Матвеев, Проектный, Татакин

МПК: C25C 3/04, C25C 7/02

Метки: биполярный, электрод

...магния,Известен биполярный электрод длявого электролизера, содержащийчасть из углеродистого материала и киз металла, соединенные между соболическим креплением, привареннымиой части. Анодная часть выполненародистой массы, в которую запрессзапечатаны металлические стержни, иные к катодной части.Предложенный электрод отличаечто анодная часть изготовлена из грабрусьев, а металлическое креплениеио в виде шпилек, ввернутых в теловых брусьев,Это способствует упрощению изготовленияи снижению сопротивления электрода. На чертеже представлен предло кенньи иполярный электрод в двух проекциях и узе,. реплепия катодной и анодной части. Электрод состоит из аноднои ч пенной из графитовых брусьев 1 единенных друг с другом на клее катодной части...

Номер патента: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

...пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило,...

Номер патента: 255182

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Веселкова, Всесоюзный, Домочкина, Институт, Красовска, Купленска, Маркова, Матюнина, Розова, Смажок, Чеснокова, Экспериментальный

МПК: D06M 15/643

Метки: отделки, текстильных

...полиметилфенилсилоксана (сополимер 3 или сополимер 5) состава, г: сополимер 3 или сополимер 5500; алкамон ОСб 0; вода 440. Предварительно 2 алкамон ОСрастворяют в воде при температуре 50 - б 0 С и охлаждают, затем переносят в высокоскоростную мешалку (2000 об(мин) или ультразвуковую установку марки ЕСЖ, при перемешивании постепенно к смеси добав ляют расчетное количество сополимера 3 или сополимера 5, эмульгируют ее на мешалке в течение 1 час, а на ультразвуковой установке 30 мин. Эмульсия устойчива в течение 2 - 3 месяцев.. Домочкина, Н. В. Матюачева, Т, В. Красовская,к и С, И. Чеснокова ский и экспериментальнимических волокон Для отделки применяют оазбавленную эмульсию, которую готовят, растворяя 200 г 504-ной эмульсии...