Патенты с меткой «полупроводниковыхматериалов»

Номер патента: 171925

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Блинникова, Ерусалимчик, Ефимов, Концевой, Кудин, Майоршин, Предпри

МПК: G01N 27/00

Метки: концентрации, носителей, полупроводниковыхматериалов, приповерхностном, слое

...границы раздела полупроводник - электролит, равна нулю,Для предварительной обработки поверхности эпитаксиальных пленок германия и кремния предложены травители и составы электролитов: для германия 15 - 18% НГ и для кремния 5 - 18% НР.Эпитаксиальные пленки предварительно обрабатывают: кремний в травителе, содержащем 1 г НР (42%)+4 г НКОз (65 ), и германий в травителе, содержащ 15 г НСН,СООН+10 г НХО;, (65%) 5 г НГ (42% ),Лаком ХСЛ наклеивают кольцо из фторопласта, в которое заливают каплю электролита и опускают в нее два платиновых электрода. Один из электродов служит для пропуска ния постоянного тока, а другой - фиксируетфотопотенциал. Контакт с низкоомной подложкой осуществляется через электролит.Граница раздела пленка - электролит...

Номер патента: 299254

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: B02C 18/20

Метки: дробления, полупроводниковыхматериалов

...13, срабатывающего после включения конечного выключагеля 14 педалью 15 и служащего для распределения подачи воздуха в полости пневмоцплиндра 9; резиновых аммортизаторов 1 б, которые смягчают удар падающей подвижной рамы 3; пружины 17 и нияней траверсы 18, служащих для регулировки усилия раскалывания; приемного выдвижного лотка 19 для сбора дробленого материала.При подключении устройства к электросети и подаче воздуха шток 10 пневмоцилиндра 9 перемещается вверх, увлекая за собой по роликовым направляющим 2 подвижную раму 3 с ножом 4, которые фиксируются в верхнем исходном положении подпружиненной системой рычагов 11 и скобой-защелкой 12, при этом пружина 17 сжимается.Полупроводниковый материал (слиток), зажатый в специальные...

Номер патента: 420655

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Изобретени, Кузнецов, Мовшиц, Москаленко, Песоцкий, Спектор, Турчанинов

МПК: C10M 173/02

Метки: жидкостьдля, полирования, полупроводниковыхматериалов, смазочно-охлаждающая

...10 - 12,5.СОЖ приготавливают следующим образом.В приемный бункер механического смесителя емкостью 1,5 л заливают 350 мл воды0 (удельное сопротивление более 1 Мгом) и добавляют 55 мл этилового спирта. После тщательного перемешивания в течение 2 - 3 мин в смеситель добавляют 10 мл глицерина с последующим перемешиванием в течение 3 - 5 мин. По окончании перемешивания СОЖ доводят до рН 10 - 12,5 добавлением концентрированной щелочи.В качестве полировальника (при полировкемонокристаллических пластин кремния) ис 0 пользуют синтетическую замшу. Число оборотов полировальпика 50 - 55 об/мин, а удельное давление 60 - 80 г/см.Процесс полирования ведется следующимобразом.5 Замшевый полировальник перед использованием обильно смачивают водой, после...

Номер патента: 424600

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Гарачук, Зно, Мартыновский, Томашевич

МПК: B02C 19/00

Метки: измельчения, полупроводниковыхматериалов

...- уменьшить пластичность материалов и предохранить их от окисления. Это достигается тем, что измелществляют в инертных криогенстях, например в азоте, при техпределах от 4 К до 100 К.Иопаряющаяся криогенная жидкость создает инертную среду, препятствующую окислению.Полупроводниковые материалы, помещенные в отвакуумированный эксикатор, вносятся в бокс, в котором находится измельчающее устройство, например мельница, и сосуд Дьюара с жидким азотом. Бокс герметизируется и путем испарения части жидкого азота из него удаляется воздух, а также создается небольшое избыточное давление азота. Вещество из эксикатора запружается в мечьницу, рабочее пространство которой соединено патрубком с сосудом Дьюара, Через патрубок подается дозирусмое...

Номер патента: 430338

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Белова, Институт, Петраченок, Соколов, Степанов, Электроники

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковыхматериалов, электрическихпараметров

...регистрирующий узел,Устройство работает следующим образом,Если отсутствует магнитное поле, мостовая схема балансируется изменением величины тока, стабилизированного элементом 3. Когда с помощью магнита 6 к полупроводниковому кристаллу прикладывается магнитное поле, в измерительной диагонали моста образуется напряжение разбаланса, поступающее через усилительный каскад на транзисторе 7, между коллектором и базой которого включена цепочка из элементов 8 - 11, на вольтметр 12.Анализ работы мостовой схемы с токостабилизирующим элементом с учетом соотношения (1) показывает, что напряжение разбаланса мостовой схемы ЬУ, возникающее в случае приложения к исследуемому полупроводниковому кристаллу магнитного поля, связано простым соотношением с...

Номер патента: 823474

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Белобоков, Васильковский, Мурнев, Томашевский

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостнойэпитаксии, полупроводниковыхматериалов, термообработки

...сприводными валами 9 и 11 и расположены в термостатирующей щели 18.Посредством приводов 10 и 12 осуще"ствляется поворот йриводных валов Я9,11.и вместе с ними подвижных частей кассеты. Так осуществляется поочередный .перенос к гнездам основания кассеты эпитаксиальных растворов,находящихся в гнездах подвижных час-" у тей кассеты. После заполнения гнездкассеты осуществляется эпитаксия очередного слоя полупрбводниковой монокристаллической структуры. Тепловаятруба 3 с нагревателем 6 защищенатермоизолирующим устройством 7, герметично соединенным с ее Фланцем.Тепловая труба 1 с нагревателем 5защищена теплоизолирующим устройством 8, герметично соединенным с еефланцем. По периметру соединенияфланцев тепловых труб 1 и 3, образуется...