C30B 11/12 — парообразные компоненты, например выращивание в системе пар – жидкость – твердое вещество
Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов
Номер патента: 129338
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Нашельский
МПК: C30B 11/12, C30B 29/40
Метки: компонентов, летучих, полупроводниковых, содержащих
...ДЛЯ Оснсствлсн.Яописываемого способа.ерметическп закры 1 у 10 КВарцсВу 10 амп 5.1 у 1 Г 50.,ОшаОт в дв 5 ххаМСРНУО ПСЧЬ 2.,550 ДОЧКУ 3 С 5 Сталгн 5 ССКИ.5 П КОМПОПСНТамн ИИКТЫСтаН 2 ВЛИВ 2 ОТ В ОДНОМ КОНЦЕ 2 МПУЛЫ, ЛСТУЧИС КОМПОНСНТЫННХТЫ - 15ДРУГОМПроцесс синтезироВания полупрОБОдникОБОГО Всщсства НаИнГО снаГреВ 2 лодокп с мсталлпсскими 1(03 попсптами Б Отдслсн 1 и 5 псчп ДОТСЫПСР 2 ТУРЫ, НССКОЛЫ 0 ПРЕВЫШВЮЩСИ ТОЧКУ,5 ПКБИД 502 Синтсзпд 5 СМО.систсмы. Затем нагреваОт Отдслспис д псчи до полу 1 сния В ампуле даВления паров нсметаллического компонента, равного 5 аг,. При этомпроисходит синтез дашого летучего компонента с компонентам 1, находяшимися в лодочке. После некоторой выдержки времени нагрев отделения 6 печи дОВОдят до уровня,...
429838
Номер патента: 429838
Опубликовано: 30.05.1974
Авторы: Волова, Гвоздиков, Красникова, Овечкин, Шаа
МПК: C30B 11/12, C30B 29/16, C30B 29/62 ...
Метки: 429838
...чов двуокиси титана путем окисления хлоридов титана, растворенных в распл галоидных солей щелочных металлов, температуре 750 - 950 С с последующим делением полученных кристаллов из рас ва, отличающийся тем, что, с целью вышения прочности кристаллов и уменьше коррозии аппаратуры, окисление ведут в ным паром.2. Способ по пчто водяной паргазом, взятым в ал- суб- аве способу окисторый подают ым в количе 20 25 вы- пла- по- ния уры происхо ьтате взаимо водяным па в хлористого вны, чем эле еи из эвтек- субхлорида 61) Зависимое от авт. сви(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИДВУОКИСИ Изобретение относится к способам получения нитевидных кристаллов, в частности, двуокиси титана и может найти применение в химической промышленности, а также в производстве...