Способ приготовления раствора в бор-бариевомрасплаве
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 422449
Авторы: Афанасьев, Изобретени, Мащенко, Шварцман
Текст
пц 422449 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических(32) ПриоритетОпубликовано 05.04,74. Бюллетень13Дата опубликования описания 12.09,74 1) М. ОЦ 17/О Гасударственный комитет Савета Министрае СССР аа делам иэайретений и открытий. Н. Безматерных, Г. И. Шварцман, В. Г. Мащенко и А. Томский институт автоматизированных систем уп оэлектроники ГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОРА В РАСПЛАВЕ4) СПОСО БАРИЕВО Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов из растворов в расплавах и может найти применение, например, при выращивании монокристаллов со структурой граната, перовскита из растворов, приготов ляемых растворением смеси соответствующих окислов в бор-бариевом расплаве.Известен способ приготовления раствор- расплава для выращивания монокристаллов, состоящий в том, что окислы, взятые в сост ветствии с заданным составом, перемешивают в агатовой ступке, полученную смесь загружают в платиновый тигель и расплавляют в печи при температуре 1100 - 1200 С. Основным недостатком известного способа являет ся то, что приготовленный раствор-расплав не соответствует заданному составу, вследствие улетучивания слагающих его компонентов.Цель изобретения - обеспечение заданного состава расплава. Согласно изобретению, 20 поставленная цель достигается тем, что последовательно наплавляют окись бора, окись бария и окислы, входящие в состав кристаллизуемого материала, с контролем количества каждого компонента взвешиванием тигля с 25 расплавом после наплавления. Преимущественно взвешивание тигля с раствор-расплавом ведут при температуре 1100 - 1300 С. Разработанный способ приготовления раст. вора в бор-бариевом расплаве позволяет выдерживать соотношение между компонентами с точностью не менее 0,1 вес,о/ что обеспечивает его преимущество по сравнению с известным,Пример. Реактивы ВгОз, ВаО, ГегОз, ЪгОз последовательно взвешивают и загружают в платиновый тигель, который помещают в силитовую печь и выдерживают в ней 0,5 - 1 час. После паплавления каждого компонента тигель охлаждают, взвешивают и, если не хватает некоторого количества вещества, убыль восполняют.Порядок загрузки, квалификация реактива, температура аплавления и примерный вес порции порошка для приготовления раствора узРез 01 в бор-бариевом расплаве для тигля емкостью 300 мл приведен в таблице.Приготовленный таким образом раствор- расплав не изменяет своего веса при длительной выдержке,при температурах 1100 - 1300 С и при проведепии экспериментов по выращиванию монокристаллов длительностью до месяца, Постоянство веса свидетельствует не только о нелетучести раствор-расплава, но и о сохранении в нем заданного соотношения компонентов.422449 Последовательность загрузки Условия 1 Ч Ге,о осч 1250 в 13 80 - 100Реактив Квалификация реактиваТемпература плавления, СВес порции, г Предмет изобретения Составитель В. ПополитовТекред Л. Куклина Редактор Л. Ушакова Корректор И. Позняковская Заказ 2211 г 9 Изд. М 721 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д. 45Тип огр а фи я, и р. Сап у нова, 2 В,Озосч900 в 1050 - 60 1. Способ приготовления раствора в борбариевом расплаве для выращивания окислов, например, иттрий-железистого граната, плавлением компонентов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения заданного состава расплава, последовательно наплавляют ВаО осч (чда) 1250 в 10 80 - 100окись бора, окись бария и окислы, входящие в состав кристаллизуемого материала, с контролем количества каждого компонента взвешиванием тигля с расплавом после наплав лен ия.2. Способ по п, 1, отличающийся тем,что взвешивание тигля с раствор-расплавом ведут при температуре 1100 - 1300 С,
СмотретьЗаявка
1676385, 17.06.1971
радиоэлектроники
изобретени Л. Н. Безматерных, Г. И. Шварцман, В. Г. Мащенко, А. П. Афанасьев
МПК / Метки
МПК: C30B 29/28, C30B 9/12
Метки: бор-бариевомрасплаве, приготовления, раствора
Опубликовано: 05.04.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-422449-sposob-prigotovleniya-rastvora-v-bor-barievomrasplave.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ приготовления раствора в бор-бариевомрасплаве</a>
Раствор для химического осаждения покрытий никель-бор
Номер патента: 1595940
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Гаевская, Семененко, Цыбульская
МПК: C23C 18/34
Метки: никель-бор, осаждения, покрытий, раствор, химического
...содержащем, г/л:Иа.СО з 30-35; ИазРО, 30-35; моющеесредство "Экстра", при 40-60 С в течение 10-15 мин, травление в полирук 1 щем травителе состава, мл/л: НРО550; ННОЕ 200; СНдСООН 250; тиомочевина 0,2 г при комнатной температурев течение 20-60 с, декапирование вразбавленнои НС 1 (1:1) в течение2-3 мин. После каждой операции проводят тщательную промывку в проточной и дистиллированной воде.Сравнительные данные по свойствами скорости осаждения покрытий приведены в таблице. 40Скорость осаждения покрытия никель-бор оценивали гравиметрически,внешний вид - визуально и с помощьюмикроскопа МБС, коэффициент паяемости,определяли по ОСТ 11.029,00174. 45П р и м е р 1. Печатную плату,подготовленную по описанной выше методике, погружают в нагретый...
Устройство для выращивания монокристаллов из раствора
Номер патента: 488611
Опубликовано: 25.10.1975
МПК: B01J 17/04
Метки: выращивания, монокристаллов, раствора
...для создания импульсов, разряжение-давление.Трубопровод 6 в виде трубки) имеет,специальный профиль: на вертикальной про-;,екции все ее отрезки имеют уклон к горизонту, а в плане трубка имеет такой профиль, что нижний ее конец после поворачивания достигает центра дна кристаллизатора. После сброса затравки трубку можно, отвести к стенкам кристаллизатора, чтобы он не мешал действию мешалки и дьи-, 20жению жидкости в районе затравки и невносил асимметрию в потоки.Обычно затравки имеют размер не более,3-4 мм, а трубка внутренний диаметр по-рядка 5-6 мм. Она выполняется без рез-26ких переходов и изломов, например из стекла, поэтому ее изготовление не вызываеттрудностей и профиль легко может бытьподогнан по месту,Конструкция трубопровода...
Способ выращивания монокристаллов твердых растворов типа а в
Номер патента: 1686042
Опубликовано: 23.10.1991
Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич
МПК: C30B 23/00, C30B 29/46
Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа
...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....
Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава
Номер патента: 1496325
Опубликовано: 27.11.2000
Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко
МПК: C30B 11/02
Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава
Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;
Устройство для выращивания монокристаллов из раствора расплава
Номер патента: 1574696
Опубликовано: 30.06.1990
Автор: Абдуллаев
МПК: C30B 9/00
Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора
...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...
Предыдущий патент: Способ приготовления угольного адипатно-ацетатного катализатора для синтезавинилацетата
Следующий патент: Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава
Случайный патент: Устройство для испытания цилиндрических или конических труб на сжатие