Устройство для получения пленок в вакууме

Сафа Советских Социалистических Рвснубпим(51) М. Н:л.В 01 3 17/00 с присоединением заявки Мо Гоеударствеивый комитет СССР ио делам изобретений и открытиИ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 10 Изобретение относится к устройствам для получения пленок и может быть использовано в полупроводниковой технике и других отраслях,связанных с получением и использованием пленок, разлагающихся при испарении материалов.Известны устройства для получения пленок, содержащие вакуумную камеру, подложку и тигель-испаритель, заполненный материалом стехиометрического состава, с подогревателем 1Подобные устройства позволяют получать пленку с определенными свойствами и свойствами элементарных материалов сложных составов, не разлагающихся при испарении,Наиболее близким к предложенному 20 является устройство, включающеевакуумную камеру, установленный .внутри нее тигель-испаритель в виде емкости с отверстием для загрузки испаряемого материала, размещенный25 в графитовом стакане и снабженной нагревателем 2). Это устройство не обеспечивает получения пленок однородных по составу многокомпонентных разлагающихся соединений. 30 Цель изобретения - получение более однородных по составу пленокмногокомпонентных разлагающихся соединений,С зтой целью предложено емкостьвыполнять в виде цилиндра, имеющегов центре по всей высоте цилиндрйческую выемку, в нижней части которой имеется капиллярное отверстиеи объем которой меньше объема емкости в 10-30 раз, а стакан преимущественно имеет отверстие в центре,диаметр которого равен диаметру выемки.На чертеже схематически изображено устройство в разрезе.Устройство включает вакуумнуюкамеру 1, внутри которой установленстакан 2, снабженный нагревателем3. Тигель-испаритель выполнен в видецилиндрической емкости 4, имеющейв центре по всей высоте цилиндрическую выемку 5, в нижней части которойимеется капилярное отверстие б. Надцилиндром 4 в стакане 2,установленакрышка 7 с отверстием по цилиндру8, диаметр которого равен диаметрувыемки. Над крышкой установлена обрабатываемая подложка 9, Для загрузкиисходного материала в цилиндрическойемкости 4 имеется отверстие и шлиф 10.Устройство работает следующим образом.Для получения пленок многокомпонентных разлагающихся соединений стехиометрического состава в выемку 5 перед. испарением помещают материал, по составу смещенный в сторону избытка труднолетучего компонента этих соединений, При испарении такого соединения в первый момент испаряются компоненты соединения в отношении, соответствующем стехиометрическому составу пленок (затем будет испарятся материал, обедненный легколетучими компонентами), Чтобы сохранить этот состав постоянным на все время испарения, необходимо подпитывать его материалом стехиометрического состава, который помещают в цилиндрическую емкость 4.При этом перед испарением количества соответствующих материалов таковы, что после расплавления уровни в емкости 4 и выемке 5 сравниваются и начинается перетекание материала из емкости 4 по капилярному отверстию 6. Испаряемый материал конденсируется на подложке 9.За счет постоянной подпитки испаряемого материала получают пленки с идентичным составом и свойствами. В результате высокой однородности по составу получены пленки ВОю 501,5 ТеЗС термоЭдс С- 260 мкВ/град, что выше в сравнении с исходным материалом, у которогоо = 170 мкВ/град.формула изобретения1. Устройство для получения пленок в вакууме, включающее вакуумнуюкамеру, установленный внутри неетигель-испаритель в виде емкостис отверстием для загрузки испаряемого материала, размещенной в графитовом стакане и снабженной нагревателем, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью получения болееоднородных по составу пленок, много гокомпонентных и разлагающихся соединений, емкость выполнена в видецилиндра, имеющего в центре по всейвысоте цилиндрическую выемку, в нижней части которой имеется капилляр) ное отверстие и объем которой меньшеобъема емкости в 10-30 раз.2. Устройство по п.1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что графитовыйстакан имеет отверстие по центру,диаметр которого равен диаметру выемки.Источники информации принятые во внимание при экспертизе 1, Пленочная микроэлектроника. Под. ред. Л.Холленда. М., "Мир",1968, с. 193. 2. Технология тонких пленок.733374 оставитель В. Безбородоваехред Й.Коштура Корректор Г. Решетник ктор Е. Дай каэ 1006 5 13035 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 Тираж 809 ПИ Государственно делам изобретени Москва, Ж, Ра Подписное коьщтета СССР и открытий ская наб., д. г