Способ получения монокристаллов cds и cdse
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1279277
Авторы: Колесников, Кулаков, Савченко
Формула
1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.
Описание
Цель изобретения уменьшение плотности малоугловых границ и упрощение ориентирования затравки, а также получение монокристаллов в виде пластин.
П р и м е р 1. Исходный порошок CdS загружают в цилиндрический графитовый контейнер, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из сульфида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 50 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 7 мм/ч. Получен цилиндрический монокристалл CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице.
П р и м е р 2. Исходный порошок CdSe загружают в графитовый контейнер прямоугольного сечения, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из селенида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >, а <0001 > перпендикулярно широкой стороне контейнера. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 18 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 8 мм/ч. Получают монокристаллическую пластину CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице.
Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет получать монокристаллы CdS и CdSe с плотностью малоугловых границ не более 30 см-1 при одновременном увеличении выхода монокристаллов, пригодных для дальнейшего использования, до 75 80% и упростить ориентирование затравок. Кроме того, предлагаемый способ позволяет получать монокристаллы в виде пластин.
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001 >. Контейнер используют с прямоугольным сечением и располагают затравку на его прямоугольной стороне. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
Рисунки
Заявка
3938559/26, 26.07.1985
Институт физики твердого тела АН СССР
Кулаков М. П, Савченко И. Б, Колесников Н. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/50
Метки: монокристаллов
Опубликовано: 27.09.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1279277-sposob-polucheniya-monokristallov-cds-i-cdse.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов cds и cdse</a>
Предыдущий патент: Активный полосовой пьезоэлектрический фильтр
Следующий патент: Состав дератизационного покрытия
Случайный патент: Устройство для моделирования вентильного электродвигателя