Способ измерения прироста оптически анизотропных прозрачных кристаллов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1591535
Автор: Бредихин
Формула
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИ АНИЗОТРОПНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ при скоростной кристаллизации из растворов, включающий освещение кристалла и прилегающей к нему области раствора коллимированным пучком света в направлении, параллельном растущей грани кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм, свет используют естественно поляризованным, освещение проводят для оптически отрицательных кристаллов со стороны острого угла между гранью и оптической осью кристалла, а для оптически положительных кристаллов со стороны тупого угла, прошедшее излучение проецируют на экран и по смещению границы тени в изображении на нем определяют величину прироста кристалла.
Описание
Целью изобретения является повышение точности измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм.
Коллимированным естественно поляризованным пучком света с шириной а
2 мм в направлении роста от источника света через окна кристаллизатора освещают область роста кристалла КДР размером 150 мм, укрепленного в кристаллодержателе кристаллизатора.Кристалл вводят в световой пучок так, чтобы световой пучок падал со стороны острого угла между оптической осью кристалла и ростовой гранью. По выходе из кристалла луч проецируют на экран. На нем наблюдают теневое изображение кристалла и области роста в растворе. Отмечают, что затемненная область изображения соответствует кристаллу, светлая области роста, а граница тени изображению растущей грани. Определяют смещение
l границы тени в процессе роста кристалла, находят величину прироста d кристаллаd= l/Kгде К коэффициент пропорциональности.
Величину
l также определяют с помощью фотоприемника по изменению мощности I прошедшего через кристалл лучаl 
, где I0 мощность падающего на кристалл луча;R коэффициент отражения на границе кристалл-раствор.
Величину (1 R)2 полагают равной 1, систематическая ошибка, возникающая вследствие этого, в условиях эксперимента не превышает 0,5%
Измеряя величину
I/I0 с точностью 1% получают погрешность измерений величины d порядка 0,01 а, т.е. в данном примере 20 мкм. Этой точности достаточно для технологических целей.Способ по изобретению легко позволяет осуществить автоматическое управление процессом выращивания. Так, используя величину
I как параметр обратной связи и подавая соответствующий сигнал управления на исполнительный механизм, можно удерживать растущую поверхность на одном и том же уровне с точностью 20 мкм.Таким образом, способ по изобретению обеспечивает возможность измерений с необходимой точностью прироста крупных кристаллов в процессе их выращивания.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов, может быть использовано при отработке технологии выращивания кристаллов из растворов и позволяет повысить точность измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм. Кристалл и прилегающую к нему область раствора освещают коллимированным пучком естественно поляризованного света. Освещение проводят для оптически отрицательных кристаллов со стороны острого угла между растущей гранью и оптической осью кристалла, а для оптически положительных кристаллов со стороны тупого угла. Прошедшее излучение проецируют на экран и по смещению границы тени в изображении на нем определяют величину прироста кристалла. Достигают точности в измерении в 1%.
Заявка
4474162/26, 15.08.1988
Институт прикладной физики АН СССР
Бредихин В. И
МПК / Метки
МПК: C30B 7/00
Метки: анизотропных, кристаллов, оптически, прироста, прозрачных
Опубликовано: 20.04.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1591535-sposob-izmereniya-prirosta-opticheski-anizotropnykh-prozrachnykh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения прироста оптически анизотропных прозрачных кристаллов</a>
Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов
Номер патента: 1730223
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына
МПК: C30B 29/14, C30B 33/04
Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов
...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...
Способ измерения прироста оптических анизотропных кристаллов в кристаллизаторе
Номер патента: 1119402
Опубликовано: 20.02.1996
Автор: Бредихин
МПК: G01B 11/02
Метки: анизотропных, кристаллизаторе, кристаллов, оптических, прироста
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИХ АНИЗОТРОПНЫХ КРИСТАЛЛОВ В КРИСТАЛЛИЗАТОРЕ, заключающийся в том, что кристалл освещают в направлении, не совпадающем с направлением оптической оси кристалла, исходным линейно поляризованным пучком света, плоскость поляризации которого составляет 45o с главной плоскостью в кристалле, регистрируют компоненту прошедшего пучка света с поляризацией, перпендикулярной первоначальной, отличающийся тем, что, с целью обеспечения измерений прироста кристаллов в условиях вибраций кристаллизатора и кристалла, обусловленных интенсивной циркуляцией питающей среды, кристалл в области его роста в направлении, перпендикулярном к направлению роста, освещают немонохроматическим коллимированным пучком света с...
Способ определения оптических анизотропных параметров кристаллов
Номер патента: 1749784
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Гречушников, Константинова, Степанов, Улуханов
МПК: G01N 21/21
Метки: анизотропных, кристаллов, оптических, параметров
...с поляризационной приставкой, метод может быть реализован лишь нэ автоматизированном устройстве с использованием ЭВМ. Уста новкэ должна содержать держатели поляризаторов и кристалла с возможностью вращения вокруг оптической оси прибора, фотометрическую систему, мондхроматор и обеспечивать следующие функции; установ ку угла между образцом и системой первыйполяризатор - второй поляризатор зэ счет поворота образца либо за счет синхронного вращения поляризаторов; измерение интенсивности прошедшего света, а также 25 ввод данных в ЭВМ для определенияФурье-амплитуд.Определение Фурье-амплитуд численным.интегрированием по формулам Фурье экспериментальной зависимости= 1( а) ЗО либо методами линейно-регрессивного анализа оказывается в...
Способ измерения наклона оптической оси одноосного кристалла
Номер патента: 1566208
Опубликовано: 23.05.1990
Автор: Компанейцев
МПК: G01B 11/26
Метки: кристалла, наклона, одноосного, оптической, оси
...пучков Й фокальноиплоскости дает сложную интерференционную картину в виде коноскоиическойфигуры, которую через скрещенный анализатор с помощью линзы .Бертрана проектируют в увеличенном виде в фокальную плоскость окуляр-микрометра, Спомощью последнего наблюдают исследуемую копоскопическую фигуру пучковсвета, прошедших через соседние участки кристалла, Центрируют шкалу-перекрестие окуляр-микрометра параллельносветовым колебаниям одного из поляризаторов, совмещая одну пз изогир атемная полоса, все точки которой соответствуют тем направлениям в кристалле,по которым распространяотся лучи сколебаниями, параллельюми плоскостямпропускания в скрещенных поляризаторах) с оцной из нитей шкалы-перекрестия окуляр-микрометра афиг, 1 а),...
Способ определения температурной зависимости оптической активности анизотропных кристаллов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1835504
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Аудзионис, Бальненис, Левитас, Липавичюс, Марцинкявичюс, Рубиш, Стасюкинас
МПК: G01N 21/21
Метки: активности, анизотропных, зависимости, кристаллов, оптической, температурной
...детектора 9, детектирующий сигнал второй гармоники соединен с выходом фотодетектора 7, Входы делителя 10 напряжений соединены с входом синхронного детектора 8 и с выходом синхронного детектора 9. Выходы задающего генератора 11 соединены с поляриэационным модулятором 3 и с входами опорных сигналов синхронных детекторов 8 и 9. Механизм 12 с блоком управления поворота поляризатора 2 и анализатора 6 механически соединен с поляризатором 2 и анализатором 6. Вход блока 13 выборки-хранения сигнала, пропорционального 4 с выходом делителя 10 напряжений и вход управления блока 13 соединен с одним из выходов блока 12 управления с механизмом поворота поляризатора и анализатора, Вход блока 14 выборки-х 2 оанения сигнала пропорционального(6 з 1 п С...
Предыдущий патент: Крыльчато-роторный ветродвижитель “эквидистант ювенала”
Следующий патент: Способ поверхностного упрочнения стальных деталей
Случайный патент: Способ определения степени кольматации бурового раствора