Патенты с меткой «tlva99+»
Способ создания лазерноактивных центров окраски tlva99+ в кристаллах kcl-tl
Номер патента: 1271155
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская
МПК: C30B 29/12, C30B 33/00
Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.