H01J 3/04 — ионные пушки
Интенсивный ионный источник
Номер патента: 140918
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Зинченко
МПК: H01J 3/04
Метки: интенсивный, ионный, источник
...положительных ионов в объеме электроййого пучка увеличивается по мере приближения к коллектору 3 электрона(это происходит потому, что потенциалы диафрагмы 2 и коллектора 3 выбираются такими, чтобы потенциал максимальной удельнойиМизации молекул газа лежал между ними, причем существенно ближе к потенциалу коллектора 3).Вследствие нейтрализации объемного заряда в пучке движение создаваемых таким путем ионов происходит в направлении движения электронов, т. е. к коллектору 3 электронов, а затем и дальше - через центральное отверстие 4 в коллекторе 3 в . к коллектору 5 ионов, находящемуся под отрицательным потенциалом, При этом происходит необходимое разделение электронного и иончого пучков и в пространстве между коллекторами 3 и 5...
Источник ионов для инжекторов ускорителей протонов
Номер патента: 146891
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Хейнц
МПК: H01J 3/04, H05H 7/10
Метки: инжекторов, ионов, источник, протонов, ускорителей
...магнитного поля линзы, что повышает надежность работы и удобство регулировки источника.На фиг. 1 изображен предлагаемый источник; на фиг. 2 - разрез по линии А-Б.Цифрой 1 обозначен радиально намагниченный кольцевой магнит из маниперма. В магнит введено кольцо 2, с помощью которого осуществляется водяное охлаждение магнита. К этому кольцу примыкает полюсный наконечник 3,Второй полюсный наконечник 4, образующий вместе с наконечником 3 линзу, соединен магнитопроводом, лишенным воздушных зазоров с наружным полюсом постоянного магнита. Необходимая электрическая изоляция между полюсными наконечниками 3 и 4, находящимися под различными электрическими потенциалами, достигается с помощью самого постоянного магнита, удельное электрическое...
153982
Номер патента: 153982
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: H01J 27/02, H01J 3/04, H05H 5/04 ...
Метки: 153982
...из стекла, напривыступом, выходящим вкольцевой канавкой, чтоя в диафрагме диаметромки для электростатическил исте очку ческого себя кат 2 с отвер вания вь ольцевьв аружной 1 тягиваниисточни а. тягивания ного цилиатель диафрающегося гайки 7,Известные ионнь держащие систему в отверстием в центре атомарного водород вательно, малое знач В предлагаемом ля увеличение ионно менением стекляннои держателя диафрагм На чертеже прислужит держатель диафндра 8, входящего в кольрагмы закреплен на корна фиксирующую пружи153982 Внутренние размеры цилиндра д выбирают такими, чтобы при сборке диафрагма 2 в цилиндре имела люфт порядка нескольких десятых миллиметра, что необходимо для исключения радиальных напряжений при недостаточно точной склейке...
Высокочастотный ионный источник
Номер патента: 161817
Опубликовано: 01.01.1964
МПК: H01J 27/16, H01J 3/04
Метки: высокочастотный, ионный, источник
...ионного пучка. Механические усилия, возникающие при сборке и тепловых расширениях во время работы, воспринимаются компенсирующей пружиной 8, которая упирается в держатель 9 управляющего электрода. Для лучшей центровки все электроды фокусирующих линз имеют скользящую посадку.Когда в разрядной камере 10 возбужден разряд и между анодом 11 и катодом 2 приложено напряжение, ионный пучок, сформированный в ионнооптнческой системе, проходит через канал катода, как в любой зондовой системе вытягивания. Если потенциал управляющего электрода 7 равен или близок к потенциалу катода 2, тс ионный пучок проходит через управляющий электрод 7 и попадает в область системы фокусировки.При повышении потенциала управляющего электрода ионный пучок...
Система откачки для ионных источников
Номер патента: 171944
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Каретников, Шембель
МПК: H01J 3/04, H05H 7/00
Метки: ионных, источников, откачки
...корпорейшн).Отличие описываемой системы от известных заключается в том, что в ней между источником плазмы и камерой формирования 10 ионного пучка установлена помещенная в сильное продольное .магнитнсе поле вспомогательная камера с отверстиями эмиссии по направлению движения плазмь 1 с вакуумом более глубоким, чем в источнике плазмы, но 15 меньшим, чем в камере формирования ионного пучка. Таким образом увеличен коэффициент использоьанпя вещества (отногцение количества ионизированного газа к общему количеству газа, поступающему в камеру фор мирования ионного пучка) и улучшен вакуум в камере, Кроме того, в предлагаемой системе откачки применен источник с направленным потоком плазмы, например источник со значительной глубиной зоны...
Многозарядных ионов
Номер патента: 192977
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Мелешков, Ревуцкий, Технйч
МПК: H01J 3/04, H05H 9/00
Метки: ионов, многозарядных
...в линейный 0 Источник многозарядных ионов, состоящийиз цилиндрического полого анода с эмиссионным отверстием в боковой стенке, двух катодов, расположенных у торцов анода, и вытягивающего электрода, расположенного про тив эмиссионного отверстия, отличающийсчтем, что, с целью повышения эффективности и упрощения конструкции, цилиндрический анод выполнен в виде токонесущего витка, соединенного с источником импульсного тока. Для ускорения многозарядных ионов в линейных ускорителях используют циклотронпые источники щелевого типа. Для инжекции ионов из этих источников нужны поворотные магниты больших габаритов,Описываемый источник обладает высокой эффективностью использования многозарядных ионов и не требует поворотных магнитов.На...
194967
Номер патента: 194967
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: H01J 3/04
Метки: 194967
...устройства.Оно представляет собой трехэлектродную систему, образованную полым катодом, состоящим из полюсных наконечников постоян. ного магнита 1 и цилиндрического катодного электрода 2, выполненного из немагнитного материала, цилиндрическим анодом 3 и экстрактором 4. Полый катод находится в магнитном поле.При подаче на анод 3 положительного потенциала между катодом и анодом возникает затрудненный магнитным полем тлеющий разряд, Ионы из разрядного пространства под действием поля экстрактора 4 вытягиваются через отверстия в электроде 2 н движутсл к центру системы. Газ, ионы которого необходимо получить, поступает по трубчатому 5 вводу через анод непосредственно в разряд.ную полость,Данное устройство может быть использовано длл...
Многозарядных ионов лития
Номер патента: 197786
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: H01J 3/04, H05H 7/00
Метки: ионов, лития, многозарядных
...металлического лития в разрядной камере, на дне ампулы расположен водоохлаждающий змеевик, а на стенках ампулы и трубопровода расположен электронагреватель, обмотка которого уложена неравномерно с уменьшением шага намотки в направлении к разрядной камере, Разрядная камера выполнена из нержавеющей стали и углерода.На чертеже изображена схема предлагаемого источника.К полому аноду 1 из материала, стойкого к активности лития, например углерода, с тер моэмиссионными катодами 2 и 8 подсоединен паропровод 4. Место соединения расположено ближе к одному нз катодов, К паропроводу присоединена ампула 5 с металлическим ли.тием, Две ампулы охлаждаются змеевиком б с проточной водой.5 На поверхности ампулы 5 и паропровода 4расположен...
Способ получения пучка поляризованных ионов
Номер патента: 312398
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01J 3/04, H05H 7/00
Метки: ионов, поляризованных, пучка
...дрейфовой трубки для создания градиента поля в направлении вытягивания. а поляризоолкновения скоростей вионизациинитном по- асти элекиже потенособ позвоном режиме Предлагние импулпутем накои последунаправленчивает знав сгустке. етения дмет и Предлагаечок атомов теными ядрамром в магниттысяч гаусс,вают в элекной падениемке за счет обпотенциалам Способионов пут25 зованныхтронный имов в масредней чвают нижЗ 0 отличающ Изобретение от итнике,Известен способ получения пучкванных ионов путем ввода без стполяризованных атомов тепловыхэлектронный поток и последующейатомов электронным ударом в магле, при этом потенциал средней чтронного потока поддерживают нциалов оконечных частей. Этот спляет получить пучки при непрерывработы. емый способ...
Микротронного типа
Номер патента: 356825
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01J 3/04, H05H 13/10
Метки: микротронного, типа
...область. Этим обеспечивается достижение любой величины, произведения 1 т.На чертеже схематически изображены эле менты предлагаемого источника.Микротронный источник включает в себявспомогательный источник 1 однозарядных ионов рабочего вещества, анализирующий магнит 2, служащий для,выделения одноза рядных ионов данного изотопа, область ионн.356825 ставитель Н. Соловь Заказ 3939/18 Изд.1609 Тираж ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прМосква, Ж, Раушская наб д. 4 б Подписное Совете Министров СССР ипография, пр. Сапунова зации 3 и два 180-ных магнитных сепаратора 4 и 5. На траектории ионов с заданным зарядом (на чертеже этот заряд равен семи) расположено выводное устройство б, представляющее собой электростатический...
Источник ионов с поверхностной ионизацией
Номер патента: 397984
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01J 3/04
Метки: ионизацией, ионов, источник, поверхностной
...к источникам ионов и может быть использовано в масс-спектрометрии, а также в технологии электромагнитного разделения изотопов.Известен ,источник ионов с поверхностной 5 ионизацией, содержащий испаритель и ионизатор, выполненный в виде закрытой с одного конца трубки из материала с большой работой выхода. Закрытый конец трубки соединен с выводом источника питания той же полярности, что и полярность ионов, эмиттируемых источником.В этом устройстве протекающий по корпусу ионизатора ток нагревает его до рабочей температуры и создает внутри трубки однородное осевое электрическое поле, служащее для вывода ионов из источника.Наиболее существенными нелсстатками известного источника ионов являются низкий коэффициент использования пробы и большой...
Всесою
Номер патента: 370891
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01J 3/04
Метки: всесою
...Цель изобретения - увеличен ионного тока из источника и пов номичности источника отрицате Для этого выводной канал про электрода выполнен в виде двух верстий, разделенных плоской дящей перегородкой, диаметр аноде не менее чем в 2,5 раза пр рину отверстий в промежуточноНа чертеже изображен предлагаемый источник отрицательных ионов.Источник состоит из оксидного катода 1, промежуточного электрода 2, анода из маг - нитной стали 3, танталовой анодной вставки 4, вытягивающего электрода 5.Отверстия в промежуточном электроде 2 (показанные в сечении промежуточного электрода) имеют размеры 2,2 мм Х 4 мм и разделены перегородкой толщиной 0,6 лтлт. Отверстие в аноде 3 диаметром 6 лтм прикрыто танталовой вставкой 4 с центральным отверстием...
Зсесоюзная
Номер патента: 375708
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Альперт, Донец, Илющенко
МПК: H01J 3/04, H05H 7/00
Метки: зсесоюзная
...того, в чнике медленные вторичные е образуются в результате олкновений, собираются на онов и сетку, расположениафрагме электронной пушии мощности тока электрон- перегревается и,р азрушаетенять анодную диафрагму ченные электроны накаплиионизации и увеличивают бинации.ия - упрощение электроника при обеспечении мно375708 чок образуют ионный насос, который эффективно откачивает атомы остаточного газа, диффундкрующие извне в объем дрейфовой врубками, и осуществляет развязку по вакууму 5 между областью ионизации и внешним пространством. Потенциалы на оконечных секциях образуют ловушки, в которых накапливаются медленные вторичные электроны.Удаление вторичных электронов изпучка осу.10 ществля ется под действием электрическихпотенциалов на...
411542
Номер патента: 411542
Опубликовано: 15.01.1974
МПК: H01J 3/04
Метки: 411542
...частиц.В известных плазменных источниках отрицательных ионов с молекулярным рабочим веществом атомарные отрицательнье ионы образуются при диссоциативных столкновениях электронов с молекулами, Большое значение имеет и диссоциативное прилипание при столкновении электронов с положительными молекулярными ионами, Конкурирующими процессами при этом являются разрушение отрицательных ионов электронным ударом, рекомбинация с положительными ионами, отщепление электронов при столкновениях и т, д.Необходимость высокой концентрации молекул обуславливает низкую газовую экономичность плазменных источников отрицательных ионов и ограничивает интенсивность пучков из-за необратимых потерь отрицательных ионов при столкновениях с молекулами после выхода...
Источник ионовв п т ь«jtfsfjnotsiidiluilriys
Номер патента: 428477
Опубликовано: 15.05.1974
Авторы: Захаров, Никитинский, Рубежанский
МПК: H01J 3/04
Метки: ионовв, источник, ь«jtfsfjnotsiidiluilriys
...для охлажден.1 я 11.Герлетцзаци 5 между электродами источника и изоляторами 9 в виде ксрамическд 1 Х колец10 осуществляется одновременным сжатием всехуп Отицте 5 ьцых колец кожухол 10. Уплотнительныс кольца лекду электродами 2 и 5, 5 и 4являются одновременно ц изоляторами,в видунизкого напряжения между этл 1 и электрода 15 ми. Коиструкця источнпка предусматриваетзащиту изоляторов от напыления с катода.Расположение катода между полюсами электромагнита позволяет осуществить вытягивание ионов с катодной стороны суженля раз 20 ряда,Пред;ягаелы Источник раоотает слещцм образом,Г 1 рц подаче напряжения накала катода наэлектрод 4, О ц 1 юложцтельного потенциала25 относительно катода ца электроды 2, 5 зажигается вспомогательный разряд...
371836
Номер патента: 371836
Опубликовано: 15.05.1974
Автор: Голубев
МПК: H01J 3/04
Метки: 371836
...по его оси через эмиссионное отверстие в аноде. В результате область с повы 1 ненным содержанием отрицательных ионов, в данном случае внутренняя область разряда, используется более эффективно, и интенсивность полученного п рицательных ионов возрастаег, так кметр эмиссионного отверстия можночить 14 по 1 учить высокую плотностьтельных ионов в области отбора при равномерном распределении ее поэмиссионного отверстия.Оптимальный размер области разряда с повышенным содержанием отрицательных ионов и равномерное распределение плотности отрицательных ионов по радиусу эмиссионного отверстия получают регулировкой величины магнитного поля.Наличие кольцевого катода позволяет подавать рабочий гз или пар непосредственно в область отбора ионов. Это...
Устройство для импульсной подачи газа
Номер патента: 434509
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Иванников, Иванов, Объединенный, Пасюк
МПК: H01J 3/04
Метки: газа, импульсной, подачи
...того,что барабан находится непосредственно на камере источника ионов, сопротивление вытекающему из барабана газу мало и импульс давления газового потока имеет хорогпие фрон ты, достаточные для обеспечения импульснойработы источника ионов.Предлагаемое устройство схематически изображено на чертеже, разрез.Источник ионов 1 соединен с неподвижным 30 барабаном (корпус) 2, щечки 3 с отверстиями434509 етени дмет и Составитель В. Кнмактор И. Орлова Техред Н, Куклина Корректор М, Лейзерман ПодписиСССР Изд, Мо 1789сударственного комитета по делам изобретенийМосква, Ж, Раушска Тираж 760 Совета Минист открытий наб., д. 4/5019/13 ЦНИИПИ пография, пр, Сапунов 34 для прохождения газа образуют вместе сцилиндром 5 из непроводящего материала...
Источник ионов
Номер патента: 436406
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Автоматики, Бугаев, Институт, Кирова, Кошелев, Научно, Электроники
МПК: H01J 3/04
...воздействии статическим напряжением рост разрядного тока в вакууме всегда связан с появлением на катоде сгустков плазмы, образующихся в результате взрыва микроскопических выступов металла под действием джоулевого разогрева автоэмиссионным током. Появляющиеся в результате взрыва пары металла ионизуются проходящим пучком электронов и распространяются в вакууме со скоростью -10 см/сек. Величина электронного тока, протекающего между фронтом плазмы и анодом, определяется законом 3/2 для диода со сближающимися электродами. Интенсивная электронная бомбардировка анода приводит к его разогреву, испарению и образованию факела плазмы, движущегося по направлению к катоду. С фронта этого факела эмиттируются ионы и ускоряются в сторону катода. Если...
Источник отрицательных ионов
Номер патента: 439859
Опубликовано: 15.08.1974
МПК: H01J 3/04
Метки: ионов, источник, отрицательных
...Л. Цветкова Изд.1901 Гираь 760 ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Заказ 5540 Обл. тип, Костромского управления издательств, полиграфии и кпизкной торговли этом пути электроны понпзируют газ илп пар и образуют положительные ионы. Образующиеся в пространстве между электродом 4 и мишенью положительные ионы ускоряются в направлении мишени и выбивают из пленки адсорбированного на ней газа илп пара отрицательные ионы. Выбитые отрицательные ионы ускоряются в направлении электрода 4, проходят сквозь щель в нем и затем используются по назначению. Они могут быть направлены в масс-анализатор для разделения по теЧем ближе потенциал 1/, к потенциалу С...
Источник ионовв п т бiftifiun чл: п”рт(фубщ tiiuufj rtfi,
Номер патента: 453752
Опубликовано: 15.12.1974
Авторы: Изобретени, Кабаченко, Кузнецов, Тарантин
МПК: H01J 3/04
Метки: rtfi, tiiuufj, бiftifiun, ионовв, источник, п"рт(фубщ, чл
...3 изготовлен из листового тантала или вольфрама толщиною 0,2 мм. Нагрев стопора-антикатода осуществляется электрическим током, подаваемым через ввод 4, отделенный от корпуса 5 изолятором 6 из нитрида бора, Стопор-антикатод имеет окно 7 с тонкой мишенью 8 из тугоплавких материалов (например, из танталовой или вольфрамовой фольги толщиной 20 мкм) и эмиссионную щель 9 для выхода ионов. Направление облучения мишени ускоренными частицами или нейтронами показано на чертеже стрелками А. Выводы катода и анода изолированы друг от друга изоляторами 10 из ,нитрида бора, заключенным в металлическую оправку. Патрубок 11 служит для подачи газа в разрядную камеру. Ионный источник расположен в магнитном поле, силовые линии которого...
Электронно-ионный источник
Номер патента: 456322
Опубликовано: 05.01.1975
Авторы: Белюк, Груздев, Крейндель
МПК: H01J 3/04
Метки: источник, электронно-ионный
...снизить разрядное напряжение и повысить плотность плазмы на оси разряда. Однако приложение высокого извлекающего напряжения положительной полярности приводит к подавлению эффекта полого катода и фактическому погасанию сильноточного разряда.Чтобы устранить недостатки существующих источников заряженных частиц на основе отражательного разряда и обеспечить при этом возможность эффективного высоковольтного извлечения из этого разряда как электронов, так и ионов, в систему электропитания введен дополнительный источник напряжения, катоды изолированы друг от друга и присоединены к выводам этого источника напряжения, а во втором катоде выполнена полость, в которую подается рабочее вещество.На чертеже показан предложенный электронно-ионный...
Источник ионов
Номер патента: 466575
Опубликовано: 05.04.1975
Авторы: Иванов, Кабаченко, Кузнецов, Тарантин
МПК: H01J 3/04
...- танталовыЙстопор 8 выбитых продуктов ядерных реакций, приваренный к антикатоду. Этот стопор служит одновременно экраном, защищающим тонкую фольгу входного окна от разрушающего действия плазмы разряда. Мишень закреплена между двумя медными прижимами 9 и 10 с отверстиями для прохода бомбардирующих частиц и выбитых продуктов реакций, Охлаждение медных прижимов и мишени обеспечивается водой, протекающей по каналу 11. Направление бомбардирующих частиц показано стрелками.Работает ионный источник следующим образом. Продукты ядерных реакций выбиваются из мишени, проходят через тонкую фольгу входного окна и задерживаются стопором. В реакциях под действием тяжелых ионов энергией 5 - 10 Мэв на нуклон пробег отдачи продуктов легких и средних...
Устройство для юстировки ионного источника
Номер патента: 470012
Опубликовано: 05.05.1975
Автор: Малышев
МПК: H01J 3/04
Метки: ионного, источника, юстировки
...перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, Промежуточная подвижная платформа 4, имеющая одну степень свободы перемещения, связана с помощью двух упругих элементов 5, расположеццых по обе стороны от штанги, с основанием и с помощью аналогичных двух элементов - с цесуцей платформой. Упругие элементы соединены с платформами жестко (сваркой5 цлц пайкой).Регулировочные механизмы 6 и 7, служащиедля взаимно перпендикулярного независимого перемещения штанги источника, расположены: один - между опорной и промежуточцоц 10 платформамц, дру гой - между п 1 зомежуточцой ц несущей платформами.Устройство работает следующим образом.При работе регулировочного механизма 7платформа 2 перемещается относительно про межуточной платформы...
Плазменный ионный источник
Номер патента: 439232
Опубликовано: 25.07.1975
Автор: Нижегородцев
МПК: H01J 3/04
Метки: ионный, источник, плазменный
...роль дополнительного полого катода,увеличивая плотность разрядного тока у отверстия дополнительного электрода. С целью увеличения равномерности и плотности плазмы источника полость 7 антикатода имеет нулевое магнитное поле (см. фиг. 3), а повышенная напряженность магнитного поля достигается за счет введения дополнительной магнитной системы 8, выполненной встречно по отношению к магнитной системе ячейки Пеннинга. Эта магнитная система создает напряженность магнитного поля в объеме допол О нительного электрода,С целью увеличения плотности и стабильности разрядной плазмы источника введен второй дополнительный электрод 9, расположенный между антикатодом и дополнитель ным первым электродом (см. фиг, 4). Электрод имеет полость 10 с нулевым...
Способ определения длительностипроцесса установления нейтрализации
Номер патента: 508819
Опубликовано: 30.03.1976
МПК: H01J 3/04
Метки: длительностипроцесса, нейтрализации, установления
...в основном на участках с диэлектрическими напылениями. Это так называемая статическая денейтрализация. Не исключены и другие внешние воздействия на пучок, разрушающие его нейтрализацию.Наличие вторичного объемного заряда в пучке приводит к принципиальному изменению природы самих процессов нейтрализации заряда в пучках.Реальный ионный пучок пробегает свой путь в камере сепаратора через сильное поперечное магнитное поле и имеет сложную форму. Эти обстоятельства приводят к тому, что 1 практически не поддается даже идеализированному теоретическому расчету, а следовательно и применение известного способа не обеспечивает высокой точности определения 1.Целью изобретения является повышение точности определения Г,.Поставленная цель...
Источник ионов твердых веществ
Номер патента: 410700
Опубликовано: 25.05.1976
Авторы: Абдрашитова, Бабаев, Гусева
МПК: H01J 3/04
Метки: веществ, ионов, источник, твердых
...коэффициент иЬЬльэованйя распыляемого вещества,так как: нейонйзойайняе втомы преимущест, Юн 19 зоФтулащт. на .противоположную стен-ку образца. Концентрация атомов распыляемого вещества 5 йахсимальн 61 йй оси, а. не уповерхности, как в известном ионном источнике.Установка катодной спирали внутри об- Юраэца обеспечивает махсимальную степень.ионизации. Это объясняется тем, что цервичные электроны, эмиттированные катодной спиралью, длительное время удерживаютя внутри образца, совершая поперечные ко-6ебания. междубтрицательно 3 заряженными,стенками образца (электростатическими зеркалами) и продольные колебания между магнитными зеркалами в неоднорОдном магниьном поле. Неоднородное магйитное поле соэ- М.дается суперпозицией внешнего...
Источник ионов
Номер патента: 461709
Опубликовано: 25.07.1976
Авторы: Захаров, Никитинский
МПК: H01J 3/04
...а гни" кого металла, Катушка 8 со трагпруюшей ц 1 ели радиальное попе, Источник содержит также 6 и диск 7 из немагнитного материала, эмиссионный 8 и ускоряющий 9электроды. Рабочий гаэ а камеру напускаетс через отверстие в стержне 3. С катодпой стороны контрагнруюшей шелк соосно сней крепится эмиссионный электрод 8, который имеет потенциал одного из выводовкатода. Через отверстие в электроде 8 спомошъю ускоряюшегс электрода 9 произво-дится извлечение ионов, Промежуточныйэлектрод подключается к аноду через ограничительное сопротивление. При подаче напряжения накала на термокатод 1 и напряжения разряда между термо-. катодом 1 и анодом 4 на промежуточный электрод зажигается вспомогательный разряд, который вследствие ограничения тока в цепи...
Источник ионов
Номер патента: 536541
Опубликовано: 25.11.1976
Автор: Калыгин
МПК: H01J 3/04
...образующиеся на стенках ионизатора ионы, от длины ионизатора, отнесенной к его радиуоу.Предлагаемый источник (см, фиг, 1) состоит из иопарителя 1 пробы, ионизатара 2, со одинителыной трубки 3, диэлектрической шайбы 4 с формирующим электродом, вытягивающе.-о электрода б и формирователя б пучка попав. Вытягивающий электрод б введен для увеличения эффективности вывода сфокусиро. 10 ванных у входного отверстия ионов, Он помещен на небольшом расстоянии от электрода и имеет относительно ионизатора 2 такой потечциалкоторый обеспечит поле, достаточное для вытягивания,ионов в области выходного отверстия, Формирующий электрод иолизатора выполнен неэквипотенциальным из материала с высоким электричеоким сопротивлением в иьде слоя тугоплаакаго...
Источник орицательных ионов
Номер патента: 439231
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Наливайко, Саксаганский, Цепакин
МПК: H01J 3/04
Метки: ионов, источник, орицательных
...ходящегося под потено рассеивается до 10 к эмиссионного отверсти5 речное магнитное по осударствеииый комитетСовета Миииотров СССРпо делам иэооретеиийи открытий Известны пл ионов, в кото экстрагирование источники имею ника рассеивает ми которой явл вующие извлек вторых, в непос необходимо уст пучке) .Так, например, в ускна стенках источника, нациалом 1 Мв, бесполе отверстия источника, благонно обеспечивают энергосъе следующим образом. Электчка, экстрагированного из источника, попадая в попесоздаваемое полюсными439231 1 я О О Составитель В, Ким Техред Н. Андрейчук Корректор Т Чаброва Редактор Т. Орловская Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открьпий 113035, Москва, Ж - 35,...