Устройство для получения полупроводниковых соединений

Номер патента: 642091

Опубликовано: 15.01.1979

Автор: Коноплев

МПК: B23B 51/06

Метки: внутренними, инструмента, каналами, рабочей, соединения, хвостовиком, части

...расположе в каналов рабочей части.На фиг. 1 показана последовательность операций, производимых при осуществлении предлагаемого способа; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1.На дно выточки, сделанной в торце хвостовика 1, устанавливают деталь-прокладку 2. в которой выполнены отверстия, число н размеры которых соответствуют числу и размерам каналов в перьях рабочей части инструмента, Прокладка может быть любой формы, На эту деталь устанавливают рабочую часть сверла 3 с готовыми стружечными канавками с внутренними каналами в перьях и пространство заливают наполнителем 4,Если обработку центрального канала в хвостовике выполняют после охлаждения на. полнителя, то прокладку ставят иЗ хрупкого материала, например из чугуна, чтобы при сверлении...

Номер патента: 706796

Опубликовано: 30.12.1979

Автор: Бартанов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, контактных, полупроводниковых, приборов, силовых, соединений

...постепенно увеличивая их амплитуду до тех пор, пока величина термочувствительного параметра, измеряемого каждый раз после окончания очередного импульса тока, не .достигнет первоначального значения, и фиксируют при этом амплитуду мощности. При наличии деФектов в области контакта во втором случае (длительность импульса тока больше тепловой постоянной кристалла) требуется меньшая величина мощности для достижения кристаллом одной и той же температуры по сравнениюс бесдефектным прибором, Поэтому большая разность амплитуд мощности, соответствующих различным по длительности импульсам тока, будет 55 соответствовать большей дефехтности контактных соединений, Длительность импульсов тбка выбирают для каждого типа приборов индивидуально,...

Номер патента: 1584017

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Калитейн, Корж

МПК: H02G 5/06

Метки: высокого, соединения, токопроводов

...в цилиндрической полости переходного эг 18 мента 5,неразъемно закрепленного на конце другого токопровода 6, либо на ином, соединяемом с токопроводом 4, элементе электроустановки, например на розетке 7, Наконце переходного элемента 5 установленцилиндрический стакан 8, внутренний диаметр которого соответствует наружному диаметру цанговой втулки 1. Для обеспечениянадежного контакта с распорным конусом 3и внутренней поверхностью цилиндриче.ского стакана 8 продольные вырезы 9 в цанговой втулке 1 выполнены с чередованиемто От ООНОГО 88 конца, то От друГОГО, а длясниж 8 ния Г 18 р 8 уоднОГО сопротивления цанГовай втулка изГОтовлена из материала смалым удельным электрическим сопротивЛ 8 НИем.Для обеспечения необходимого контактного нажатия...

Номер патента: 1652483

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Зорин

МПК: E04B 1/61

Метки: внутренней, наружных, панелей, соединение, стеновых, стыковое

...4 металлический стержень 6,Закладные детали выполнены в виде Лобразных профилей с расположенными в ихвершинах овальными отверстиями 7, по периметру которых образованы отогнутыевнутрь деталей 3 бортики 8,Связевые элементы 4 выполнены в видепластин с овальными отверстиями 9 на свободных концах. Металлический стержень 6 30изогнут и пропущен через овальные отверстия 9 и 7 соответственно связевых элементов 4 и закладных деталей 3 и прикреплен кпоследним гайками 10 с выравнивающимишайбами 11. 35Монтаж предлагаемого стыкового соединения осуществляется в следующей последовательности,После монтажа панелей 2, внутреннейстены и панелей 1 наружных стен на металлический стержень 6 надеваются черезовальные отверстия 9 связевые элементы 4,которые...

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...