ZIP архив

Текст

152741 Класс С 22; 404, 1 ССР ОПИСАНИЕ ИЗОБР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ одпиская группа1 Г,А, Кур. Г, Косаганова Василь ПОСОБ ВЪРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Заявлено 9 ноября 1961 г. за750908/22 омитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Опубликовано в Бюллетене изобретений2 за 1963 г.Известные способы выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов, например, вытягиванием из расплава, зонной пере- кристаллизацией, выращиванием дендритов, не позволяют получать монокристаллы в виде тонкого слоя, прочно сцепленного сподложкой из инородного материала.Предлагаемый способ дает возможность получать монокристаллы, например, германия в виде тонких пленок путем испарения в вакууме исходного материала через сетку на подложку с последующей рекристаллизацией.Сущность способа заключается в следующем. Исходный полупроводниковый материал испаряют в высоком вакууме на подложку через сетку. В результате этого материал конденсируется из молекулярного пучка на подложке в виде множества отдельных поликристаллических образований (островков) слоя. Размер, форма и положение каждого островка соответствуют определенной ячейке сетки. Так как при собирательной рекристаллизации (в частности в тонких слоях) рост кристаллов прекращается практически при достижении определенного размера кристалла, зависящего в основном от условий проведения опыта (температуры отжига, чистоты материалов и пр.), диаметр ячейки сетки должен быть меньше указанного предельного размера кристалла, а также достаточно малым, чтобы поперечные размеры кристаллов в островке позволяли сохранить высокую скорость роста.Полученный образец подвергался затем длительному отжигу в высоком вакууме (или в атмосфере инертного газа) при температуре, обеспечивающей требуемую скорость роста кристалла. Для германия такая температура лежит в интервале 900 в 9. В результате процесса152741 Предмет изобретения Способ выращивания монокристаллов, например германия, о тл ич а ю щийс я тем, что, с целью получения их в виде тонких пленок, осуществляют испарение исходного материала в вакууме через сетку на подложку с последующей рекристаллизацией. Составитель С. Портер Редактор Н. Л. Корченко Техред А. А. Камышникова Корректор Л, М. КомароваФормат бум. ОХ 108/и Тираж 726 ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРТипография, пр. Сапунова, 2. собирательной рекристаллизации в пределах каждого островка за счет поглощения мелких кристаллов вырастает один монокристалл, занимающий всю площадь островка.Материал подложки может быть аморфным или кристаллическим и должен быть достаточно жаропрочным в условиях отжига. В случае кристаллической подложки желательно использовать монокристалл. Если подложка поликристаллическая, то расположение ячеек сетки должно находиться в полном соответствии с размером и расположением граней зерен на поверхности подложки, чтобы каждый островок слоя помещался целиком на одном зерне.

Смотреть

Заявка

750908

МПК / Метки

МПК: C23C 14/14, C30B 7/00

Метки: 152741

Опубликовано: 01.01.1963

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-152741-152741.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">152741</a>

Похожие патенты