C30B 15/06 — невертикальное вытягивание
Способ получения монокристаллов в виде полых тел вращения
Номер патента: 144153
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Волынец, Губенко, Козлов, Никитичев, Черневская
МПК: C30B 15/06
Метки: виде, вращения, монокристаллов, полых, тел
...со скоростью кристаллизации г оставитель В. М. Крол актор С, А. Барсуков А. Кудрявицкая Корректор П А. Евдокимо Поди: к печ 6.11-62 гЗак. 1242 Формат бум 7 Тираж 1250 рп Комитете по делампри Совете Министр сква, Центр, М. Черкас8 изд л а 4 коп м О зобрстенииов СССРкий пер.,и открытий 2/6 ипограФия ЦБТИ Комитета пр. Советс Министров о делам изобрстений и откры ий СР, Москва, Петровка, 4. 1) Выращенный монокристалл заданной формы исключает необходимость выращивания крупных монокристаллов-блоков,2) Значительно упрощается последующая холодная обработка кристалла и получение заданного изделия.3) Способ допускает одновременное выращивание из одной ванны нескольких заготовок.Схема установки для выращивания из расплава кристаллов заданной формы...
161127
Номер патента: 161127
Опубликовано: 01.01.1964
МПК: C30B 15/06, C30B 29/64
Метки: 161127
...излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электро- печь 5.Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преи.щественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве, После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на 8 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты...