160829

Номер патента: 650986

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Биккулов, Сафаров

МПК: C07C 33/02

Метки: 3-диол, 4-гексен-1, гексатриена, исходного, качестве, метилциклопентадиена

...С;73,3 или 42,3; 78,8 или 90,1 2,Метилциклопентадиен получают из 4-пропенил,3-диоксана, но в присутствии х в ,ора в качестве катализатора при 65-70 С, Выход целевого продукта 82 при 100-ной конверсии 3.Известные способы получения указанных соединений являются трудоемкими,Во-первых, при использовании пропенилдиоксана в качестве сырья в реакционную массу выделяется формальдегид, который необходимо предварительно удалять перед выделением целевых продуктов, во-вторых, использование Сн -1 Н=Сн-бн-Ы -М2 2ОН ОК650986 Катализа- Темпетор ратуКонВыходуверсия,1,3,5-гексатриена етил- иклоентаиена осфат альци 250 3,ликагель 230 99,3ретенияормулыН 2-Сн ОНя полученетилцикло в качестве )сход 1,3,5-гексатриен диена,Источники инф внимание при экс нта...

Номер патента: 697517

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Монахова, Фоменко, Харченко

МПК: A61K 31/382, A61P 31/04, C07D 335/06

Метки: 1-тиабицикло, активность, антимикробную, веществ, дец-2-ена, исходных, качестве, меркаптопроизводные, продуктов, проявляющщих

...общей формулой НВ фенил, 4-метоксифе етоксифенил, и спос ркаптопроизводных О)-дец-ена общей чающимся в том, чт щей формулы % снсн 2 сос н6 97517 Формула изобретения ЯСНСН 2 СО СбН 5 Составитель Т.ЛевашоваРедактор О.Колесникова Техред М,Келемеш Корректор Ю. Мак арен ко заказ 6549/10 Тираж 513 Подписное 1 ЫИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,д.4/5Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул.Проектная,4 В колбу, снабженную механической мешалкой, термометром и трубкой дпя введения газа помещают 50 мл трифторуксусной кислоты и насьпцают ее сероо водородом в течение часа при -5 С . Продолжая пропускать сероводород и поддерживая температуру реакционнойомассы -5 С, небольшими порциями в...

Номер патента: 977457

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Двалишвили, Ельцов, Квитко, Кравченко, Рудая, Смоленкова

МПК: C07D 307/92

Метки: диангидриды, динафтилтетракарбоновых, исходных, качестве, кислот, мостиковых, полинафтоиленбисбензимидазолов

...4-5 ч при 140 - 145 С.По мере нагревания выпадает желтый осадок целевого продукта. После окончания реакции смесь охлаждают, отфильтровывают осадок, отмывают толуолом (3 раза по 10 мл)кипятят в 50 мп, уксусного ангидрида 30 мин, снова отфильтровывают, отмывают сухим бензоном, эфиром и сушат. ПолучаЮт 11,4 г (75 Ю) диангидрида 1,1,8,8-динафтилсульфидтетракарбоновой кислоты. Т. пл. выше 350 С. Найдено, Ю: 5 7,29; 7,57С Д 4 Н ОО 65Вычислено, Ю: 5 7,51П р и м е р 25 г полученного в примере 1 диангидрида 1,1.,8,8 - динафтилсульфидтетракарбоновой кислоты растворяют при нагревании (80 С) в растворе едкого калия (4 г КОН на 1000 мл воды) в течение часа. К полученному раствору доба - ляют по каплям щелочной раствор КИп 04 (15 г; 0,095 моля...

Номер патента: 1084273

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Барабаш, Безруков, Доценко, Коростылев, Курякова, Олейник, Самсонов, Скрипник

МПК: C07C 149/18

Метки: бензилмеркаптид, исходного, качестве, продукта, резисторов, рутения

...вещество, практически нерастворимое в воде, спирте, большинстве органических растворителях. При нагревании плавится с разложением"при температуре выше 120 С.Наибольшая потеря органической составляющей в соответствии с дериватограммой происходит в интервалео180-400 С. Разложение заканчиваетсяпри 450-500 С с образованием двуокиси рутения. Соединение рентгеноморфно, ИК-спектр /таблетка К йг на приборе "Регин ЕЬпег":40 Н 3444 см , 6 1680 см-290 (сн 51 и 2860 ф 1Смг4600 см "Нзгсю 1 И 5 осм 1,60 ЬМСМ 1с=С (с(ром 1 С-Н(юРом 1475 сммонозамещенное кольцо .л 1фС П р и м е р 2. Резисторы на осно"ве бензилмеркаптида рутения. 0,58 гбензилмеркаптида рутения растворяютв 50 мл смеси органических растворителей например хлороформа и изоамилацетата. В...

Номер патента: 1589077

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Коробкин, Согоконь

МПК: G01J 5/50

Метки: анизотропных, градиента, изменения, монокристаллов, процессе, температур, температуры

...прибору. При нагревании кристалла, например, излучением ИК лазера, на самопишущем приборе фиксируются шесть синусоид периодических изменений интенсивности излучения в центре коноскопической фигуры. Сравнивая между .собой каждые две синусоиды, выделяют смещение Л 1 экстремальных значений. Затем измеряют расстояние ЛХ между двумя участками монокристалла, от которых получены сравниваемые синусоиды, Предварительно измеряют температуру Т, соответствуюгцую одному периодическому изменению интенсивности излучения в центре коноскопиче1589077 Формула изобретения Составитель В. АТехред А. КравчукТираж 428комитета по изооретенисква, Ж - 35, Раушский комбинат Патент дриановКоррект Г 1 одпис Редактор Е. КопчаЗаказ 2532НИИПИ...