ZIP архив

Текст

ОПИСАиИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советских Социалистических Республиктений и оовете МивСССР Лвторизобретени С" Ь " О, Ц;л Заявитель в, растущихствбров с посто, с заяанным профилем иой грани кристалла безкличен и длителен.пособ отличается тем, чт в Одном направл яя, Одн ННОИ питкой Одн О этот спОСОб Ци Предлагае створ непрепо мерв рост рывно прокачив оль одной рис талл трезаит блоки нужной вел делать процесс выращива ристалла от нег ивы. Это позния монокристалла оля корить и епрерыв осуществленииопределяет пос оба выращивания монокристаллов ФОРМ формой кристаллизационноляет выращивать крист тру я которой и рост боковых астей кристалла огранич пересыщенного непрерывн Ы в Йщи вани едут кулир кристалла раств ПОС ОБ ИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТИШОВИВЯНОГО ПРОФИЛЯ ИЗ РАСТВОРОВ естен способ выращивания монокрис ой камеры, коналл в одном напр н стенками камПо Мере роста кристалл вытягивается из камеры и отнего отрезают блоки нужной величины без прекращения процесса выращивания. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ Способ выращивания монокристаллов заданного профиля из растворов, растущих в одном направлении,с дальнейпим отрезанием от кристаллов биоков нужной величины, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью ускорение процесса выращивания монокристалла, раствор непрерывно прокачиваютв направлении, перпендикулярном оси роста кристалле. Тираж и 60 Э 1 СПодписное Заказ ЯЯ ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий. при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова д. 4Предприятие Патент",Москва Г, Бережковская наб., 24 Регулировку скорости вытягивания кристалла осуцествляют при помощи фотоэлектрической, следящей схемы,

Смотреть

Заявка

744783

МПК / Метки

МПК: C30B 15/34

Метки: 151299

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-151299-151299.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">151299</a>

Похожие патенты