Шолохович

Номер патента: 875890

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович

МПК: C30B 9/06

Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических

...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...

Номер патента: 173881

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Мееркоп, Мельниченко, Молг, Центральный, Шолохович

МПК: A61J 3/00, G01F 11/32

Метки: жидких, лекарств, отмеривания

...хода клапанов диафрагменных кранов при перемещении захватов, головки клапанов и захваты выполнены регулируемыми по длине, 20На чертеже изображена установка в разрезе.Установка содержит основание 1 со стойкой 2, поворотные диски 3 с расположенными на них питающими сосудами 4 и бюретками 5. По следние соединены с диафрагменными кранами б, снабженными укрепленными на стойке 2 подпружиненными захватами 7 для головок 8. На основании 1 установлены клавиши 9, соединенные посредством гибких связей 10 с за- з хватами 7. При работе установки поворотные диски 8 поворачиваются таким образом, что в захватах 7 помещаются головки 8 одного из диафрагменных кранов б, соединенного с питающим сосудом , содержащим лекарство, и с бюреткой (5). При нажатии...

Номер патента: 143477

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ходаков, Шолохович

МПК: C30B 29/32

Метки: монокристаллы, сегнетоэлектрические

...характеристики и относительно пологую петлю гистерезиса. Это не позволяет использовать монокристаллы в качестве запоминающих устройств,Для увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса предлагается к титанату бария добавлять 1,2/о гафната бария.Описываемые монокристаллы имеют вид плоских прозрачных треугольных пластин с длиной ребер в среднем 0,5 сл, Толщина пластинок от 100 до 50 мк. Кристаллы не поглощают влаги, Петля гистерезиса кристалла отличается хорошей прямоугольностью. Насыщение наступает при напряженности поля в 5 кв/ся, Кристаллы обладают высокой зависимостью диэлектрической проницаемости от величины напряженности поля, Ее максимум достигается в поле напряженностью 1 кв/с,к1 и...