Патенты с меткой «дендритах»

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 973676

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Кибизов

МПК: C30B 33/00

Метки: алмаза, веществ, двойникования, дендритах, плоскостей, структурой, четности, числа

...(111) дендрита 1 делаютцарапину перпендикулярно направлениюроста С 211 ) и затем растягивающимусилием производят разлом, обеспечим вающий качественный скол, При рассмотрении сколов либо невооруженнымглазом, либо.в лупу обнаружено, чтово всех случаях получаются сколыдвух типов: либо в виде двух взаимно наклонных плоскостей 2, пересекающихся в плоскостях двойникованияВ и образующих с одной стороны скола впадину, а с другой - выступ; либо в виде двух параллельных плоскосЗ 5 тей 3, образующих одну общую наклонную плоскость. Если скол представляет собой одну наклонную к.направлению роста плоскость, как показанона дендрите 4, то число плоскостей40 двойникования Д четное. Если жескол образуется в виде впадины -выступа, как показано на...