Миргаловская

Номер патента: 429758

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Миргаловская, Стрельникова, Юнович

МПК: H05B 33/18

Метки: излучения, полупроводниковый, электролюминесцентныйисточник

...в объеме полупроводника. Оно относится, в частности, к устройствам 5 с р - а-переходом, созданным из сплавов соединений типа Апт В, которые при приложении прямого напряжения создают эффективное излучение в инфракрасной области электромагнитного спектра. 10Известны источники, изготовленные из йаР, СаАз, СтаЗЬ, 1 пАз, тройных твердых растворов на их основе - СтаА 12 Аз, баАз,Рба,-1 п,Р - и некоторых других.Однако известные источники - электролю минесцентные диоды не дают излучения в практически важной спектральной области 1,9 - 2,6 мкм, соответствующей окну прозрачности атмосферы.Предложенный полупроводниковый электро люминесцентный источник излучения с р - а- переходом создан, подобно известным, на основе соединений АптВ и их твердых...

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 126269

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Кокошкин, Миргаловская, Скуднова, Шэнь

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: алюминия, антимоната, проводимости, типа, электросопротивления

...Нелегироваттньтй антимонид алюминиэт обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена И тентлучра несколько увеличивает сопротивлентте антимонида алюминия.В описываемом способе предлагается регулировать сопротивление и тип проводимости антимонида алпомигтття, применяемого в качестве точечных диодов, путем легирования его серой, которую вводят в определенном количестве в качестве донорнотт примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антимонид адтюмиттхтя жи-типа.Введением серы в антимонид алюминия тхтожно регулировать его сопротивление в интервале 1+1 О 4 ом. см. причем материал гт-ТиПа имеет высокое сопротивление в Широком интервале концентрации серы.На образцах, полученных из расплава с содержанием серы, 0,5...