C30B 29/64 — плоские кристаллы, например пластины, ленты, диски

Номер патента: 147576

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Багдасаров, Беляев, Добржанский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: большого, диаметра, дисков, монокристаллических

...другая - для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе, После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации, агля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на - 100 для шелочногалоидньх) и на 15 дляЛ 1 47576 органических кристаллов 1 типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне...

Номер патента: 157785

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: 157785

...работы аппарата и уменьшить потери гисходного м атер и ал а.На фиг. 1 изображен вакуумный аппарат; на фпг. 2 - устройстводля резки дендритных лент.157785Предлагаемый аппарат представляет собой камеру 1, присоеди. ненную к вакуумной системе 2, Внутри камеры установлен тигель 3 с расплавом, имеющий графитовый нагреватель 4 и механический привод 5 для вращения и перемещения по вертикали как самого тигля, так и штока 6 затравки,Для складирования отрезанных дендритных лент 7 установлен контейнер 8, укрепленный на штоке 9, который позволяет поворачивать контейнер в горизонтальной плоскости, Для резки дендритных лент в рабочий объем аппарата введено устройство 10, состоящее из спектрально чистых графитовых электродов 11, кварцевого изолятора...

Номер патента: 161127

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 15/06, C30B 29/64

Метки: 161127

...излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электро- печь 5.Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преи.щественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве, После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на 8 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты...