149395

Класс 12 с, 2 СССР ИЗОБРЕТЕНИ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ дписная группа Лф 39 В. А. СоколовОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ И СЕРЕБРА а738332/23-4тий при Совете Министров ССС 14 июля бретений влеам тет по д изобретений1 Ч за 1965 лнковано в Бюллет Известен способ кристаллизации веществ Также известна электропечь для выращ которой нижняя греющая обмотка заменена рагмой, нагретыми до высокой температуры, дят в объеме, расположенном ниже кольца,Предлагаемый способ выращивания мон таллия и серебра отличается применением за пул, что позволяет получать монокристаллы ребра высокой степени чистоты.Выращивание монокристаллов галогенид расплава в запаянных ампулах, затемненных стеклом, вакуумированных до разрежения 10 водят в печи при температуре 170 - 190 в те нием разработанного режима кристаллизациНа чертеже показана схема установки сталлов.Печь 1 установки состоит из верхней го половин. аллия и ем асбест 0 - 5 мм р е 4 - 6 ча ра из идким произ- блюдеересст.с с сл3 чении.дл ыращиван кр л одной рячеи и нижнеи 2, которая вина печи о лла. Обе п я спиральной формь половине печи расположена мпературу вдоль печи. Нижн жит для плавного охлаждени 1 диафрагмой, на которой н одимая для создания наибол ации.и печи и диафрагму подаетсяс кристаллнзуемым веществ щи механической установки, с спираль яя поло я криста аходитс ее выгод создае богрева оловинь 3 нака изотер В верхней остоянную те е имеет и слу ечи разделень ивания, необх ы кристаллиз На спирал жение, Ампула ечи при помов вакууме.ивания монокристаллов, вузким кольцом или диафи кристаллизацию провоокристаллов галогенидов емненных запаянных амгалогенидов галлия и сестабилизированное напрям помещается в центре стоящей из держателя ам149395пулы 4, направляющего штока 5, соединенного через привод с электродвигателем 6, Температура в печи замеряется термопарой 7.При выращивании монокристаллов хлористого и бромистого таллия диаметром от 18 до 24 мм применяется скорость вытягивания 8 ммlчас.Ампулы изготовляются из пирексового стекла. Ампула, наполненная веществом, присоединяется к вакуумной системе и при вакууме 10 - з - 10 - 5 мм рт, ст, производится тщательное эвакуирование газов при температуре 170 - 190 в течение 4 - 6 час, После этого ампула за паивается при непрерывном откачивании и затемняется слоем асбеста, смешанного с жидким стеклом.Использование затемненных ампул вызывается светочувствительнос 1 ью галогенидов таллия и серебра и применением открытой спирали диафрагмы печи, которая обеспечивает необходимый теплообмен между источником тепла и расплавом и благоприятные условия для получения и поддержания в процессе выравнивания кристалла изотермы кристаллизации. Расположение источников нагрева обеспечивает градиент температуры 60 град/см вблизи границ кристаллизации. Первое выращивание кристалла из расплава в затемненной ампуле применяегся для сплавления и конечной очистки исходного сырья. После первого выращивания от кристалла отпиливают верхнюю часть, загрязненную вытесненными примесями. Оставшаяся часть кристалла служит исходным материалом для выращивания монокристаллов высокой степени чистоты.Величина выращиваемых кристаллов имитируется габаритами печи, Все работы с галоидами таллия проводятся при темно-красном освещении.Преимуществом предлагаемого способа является его простота и возможн сть получения монокристаллов любых размеров высокой степени чистоты, а также ничтожно малые потери вещества.Предмет изобретенияСпособ выращивания монокристаллов галогенидов таллия и серебра путем кристаллизации в вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов галогенидов таллия и серебра высокой чистоты,процесс кристаллизации ведут в затемненной запаянной ампуле,149395 Составитель С. В, Коко актор Н. оси 81( Объем 0,26 изд. лЦена 4 коппри Совете Министров СССРер., д, 2/6. Формат Тир иобретенийкасскии ипография ЦБТИ, Москва, Петровка, 1 Подп. к печ 16 Л 111-62 г.Зак, 8588ЦБТИ Комитета по делакМоска Техред Т. П. Курилк бум, 70 Хкк 650и открыти ректор Г, Кудрявцева