Патенты с меткой «поликристаллов»

Номер патента: 139842

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Банков

МПК: C30B 15/30

Метки: монокристаллов, поликристаллов, способу, чохральского

...находящийся в кассете, подходит под поднятый шток 5 затравки. Оператор вклочает медтснное опускание этой затравки так, чтобы резьбовой конец итока затравки навернулся на держатель, При этом плоскости а не дают проворачиваться держателю. В момент, когда шток затравки ввернулся в держатель, выключается опускание штока затравки. Шток, вращаясь, остается на месте, а держатель, не имея возможности вращаться, поднимается до тех пор, пока шестигранник, держагеля не выйдет из соприкосновения с плоскостью а. После того как держатель навернется на шток затрав139842ки, происходит поворот верхней кассеты 1 на следующий шаг , в эгом положении имеется возможность затравить монокристалл или поли- кристалл.По окончании процесса вытягивания...

Номер патента: 149759

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гольцман, Кун

МПК: C30B 15/34, C30B 27/02

Метки: монои, поликристаллов

...напграфитовый поплженный теплоизбой 7.Предлагаемымнаправленныесечения из полуВ 1,Те, и тройной методом были п поликристаллы ква проводникового со сплав В 1 - Те - ЯЬ. олученьдратногодинения На щаяпоясняючертеже представленаредлагаемый способ.поверхности расплава, из кается образец, расположенвок 1, в центре которогощееся кверху отверстие сного сечения, соответствующобразца 2.плав и графитовый поплам, инертным по отношениюый защищает расплав отения и служит одновременндающей среды. Для охлажд схем В качестве флюса примен сплав 40 о/с 1.1 С 1+60% КС 1 исходит взаиморастворени ваемого поликристалла, а ленпя флюса (350 С) н плавления В 1 Тех (585), ность в области кристал большой температурный гр вающий хорошую напр кристаллов. Образцы В 1...

Номер патента: 1221562

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Кадошников, Литовченко, Матяш, Мельников, Прошко

МПК: G01N 24/10

Метки: поверхности, поликристаллов, удельной

...исходного сырья - высокодисперсных материалов (с размером частиц 0,05- 5,0 мкм), в химической, бумажной промьппленности, а также дпя производства строительных материалов.Цель изобретения - повьппение экспрессности и упрощение методики измерений.Способ измерения удельной поверхности основан на зависимости относительной интенсивности сигнала ЯМР квадрупольных ядер поликристаллических образцов от величины их удельнойповерхности.Способ осуществляют следующим образом.Образец массой 1 О г с размеромчастиц не более 0,5 мм помещают вшаровую или планетарную мельницу(как установлено, метод дисгергациине влияет на конечный результат),измельчают и методом отмучиваниявыделяют высокодисперсную фракцию сизвестной плотностью О, очищают отпарамагнитных...

Номер патента: 1223105

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, камера, поликристаллов, рентгеноструктурного

...крышкой 13, Рентгеновскаяпленка 14 прижимается двумя половинками прижима 15 к вертикальным буртикам крышек кассеты, Ось поворотакассеты 16 жестко соединена с основанием через пластины 17 и 18 ивставки 19 и 20, на ней же фиксируется лимб 21 прижимом 22, стрелка.23 закреплена на верхней крышкекассеты. Диафрагмы 24 и 25, формирующие первичный пучок, установленыв горизонтальном отверстии оси поворота кассеты. В пазах плиты и основания расположена штанга 26 с цапфой27 и крестовиной 28, вертикальнаяось цапфы совпадает с осью держателя образцов, а вертикальная ось крестовины с осью поворота кассеты. 50Для контроля линейного перемещениядержателя образцов предусмотрена линейка 29, установленная на основании, нониус 30; связанный с...

Номер патента: 1318872

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Бодрова, Почта, Тихонович

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, поверхностных, поликристаллов, послойного, рентгеноструктурного, слоев

...интегральной ширины и данных, приведенных в таблице, на блюдается соответствие между В и В в , что указывает на отсутствие60,90градиента свойств поверхности эталонного образца.Предлагаемый способ рентгенострук турного анализа поверхностных слоев поликристаллов позволяет, не прибегая к аналитическим методам, определять глубину анализируемого слоя из получаемых экспериментально величин и проводить анализ поверхностного слоя образца дифференциально па конкретным подповерхностным слоям.Использование предлагаемых технических условий эксперимента зна чительна уменьшает искажение профиля дифракционной линии и ее геометрическое уширение, обусловленное дефокусировкой.572 4 ния количественной информации о структурных нарушениях...

Номер патента: 1497532

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Аристов, Шабельников

МПК: G01N 23/00

Метки: поликристаллов, рентгеновских, топограмм

...зерна от 1 до 3 мкм, При измерениях падаюций пучок пропускают через щели01Соллера (угол расходимости М,= 2,5и кварцевый коллиматор 2 полного вне шнего отражения, уменьшающего ширину падающего пучка до Ь = 20 мкм. Дифрагированное излучение, соответствующее, дебаевской линии (200) кремния с дифракционным углом В гго = 10,5 на излучении р,1 выделяют ограничивающей щелью 6 шириной Б = 50 мкм и щелью 5 Соллера К = 2,5") . Распределение интенсивности регистрируют линейным координатным детектором РКЛ(7), имеющим линейное разрешение2 = 300 мкм (для излучения М,1 с,). 1 опо раммы по - лучают при непрерывном перемещении объекта по одной из координат Х (или У) при фиксированном значении второй координаты У (соответственно Х), Пределы непрерывного...

Номер патента: 1651313

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бадиян, Тонкопряд

МПК: G09B 23/26

Метки: моделирования, поликристаллов, структуры

...одного издисков относительно другого вокругоси, перпендикулярной к плоскости диска, и; одновременная регистрацияраспределения интенсивности прошедшего через диски пучка света обеспечитрегистрацию всевозможных вариантовструктур границ зерен для полностьюсовпадающих узлов и структуру частичных совпадений, всегда, когда имеет,место совмещение отверстий; полноеили частичное.При этом обязательным условием реа лизации способа является использование параллельного пучка света, направленного перпендикулярно плоскостидиска,При использовании непараллельногопучка света, направленного не перпендикулярно к плоскости дисков, изображение каждого отверстия искаженное,что приводит к искажению распределения интенсивности прошедшего гучка 25света, а...

Номер патента: 1726182

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Друй, Ильков, Скударнов, Скурихин, Смирнов, Сорокина, Ялышев

МПК: B23K 35/30

Метки: бора, кубического, нитрида, основе, пайки, поликристаллов, припой

...успевает прореагировать с титаном припоя по приведенной реакции, в результате чего слой припоя равномерно насыщается мелкодисперсными частицами диборида и нитрида титана, идентичными по составу приконтактному слою с поликристаллом, Это делает припой изоморфно совместимым с приконтактным слоем, что уменьшает напряжения, возникающие из-за разницы в КТР стали и поликристалла,Короткая экспозиция является необходимым условием качественной пайки для предотвращения чрезмерной величины слоя новообразований на контакте припоя с поликристаллом. Поэтому использование вместо ТНБ обычного гексагонального нитрида бора с индексом графитации порядка 2,0 или тем более кубического нитрида бора нецелесообразно из-за длительности реакции их разложения...

Номер патента: 1727153

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Бадиян, Тонкопряд

МПК: G09B 23/26

Метки: моделирования, поликристаллов, структуры

...интенсивности прошедшегопучка света без искажения, что осуществляется фокусировкой. на экран поверхностикасания дисков,Под обоймой 1 с дисками 2 и 3 разме-. 25 щен блок 8, регистрирующий распределение интенсивности прошедшего через диски пучка света и его интегральную интенсивность с помощью плоского фотоэле 30 35 диаграммную ленту Устройство работает следующим образом.В обойме 1 с выточкой закрепляют неподвижно диск 2.со сквозными отверстиями, одно из которых расположено в центре диска. Сверху на закрепленный в обойме неподвижный диск 2 устанавливают другой подвижный диск 3, предварительно закреп 40 ленный на шестерне 4 Диски 2 и 3 устанавливают таким образом, чтобы имело место полное совпадение всех отверстий, О чем...

Номер патента: 1827355

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Крамаренко

МПК: B28D 5/00

Метки: монои, поликристаллов, размерной, ультразвуковой

...к детали и механически разрушает верхнюю и нижнюю перепонки, при этом ввиду УЗ колебаний инструмента в замкнутых объемах полостей происходит перемешивание абразивной суспензии до заданной концентрации. Объем абразивной суспензии выбирается достаточным для обработки одного отверстия. После обработки инструмент поднимается над использованным колпачком и перемещается к следующей зоне обработки, Приведенные на фиг.2. формы полостей обеспечивают наилучшие условия смещения абразивной суспензии, Использованные колпачки после обработки удаляются и в дальнейшем могут использоваться многократно после соответствующей подготовки (нанесения адгезионного слоя, заполнения абразивной суспенэии, герметизации перепонками).Преимущества...

Номер патента: 1251486

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Аксененков, Бланк, Голубев, Коняев, Эстрин

МПК: C01B 21/064, C01B 31/06

Метки: алмаза, бора, кубического, нитрида, поликристаллов, синтеза

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛОВ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА ИЛИ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления и сдвиговой деформации на спрессованный исходный материал с последующим снижением давления до атмосферного, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности поликристаллов за счет увеличения степени аморфизации материала, на спрессованный исходный материал с температурой 77 300 К воздействуют давлением 0,4 2,0 ГПа и сдвиговой деформацией при углах сдвига 30 - 360o.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют кристаллические модификации нитрида бора или графита.