Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1775491

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бирковый, Ван-Чин, Гаврилив, Гутор, Кочубей, Цьолковский

МПК: C23C 16/18

Метки: окиси, пленок, цинка

...60 - 80 мм рт,ст,Существенными отличительными признаками способа являются проведением 20процесса при низких температурах 20 -50 С, что предотвращает термическуюдеформацию подложек, уменьшает термодиффузию примесей в слой получаемойпленки окиси цинка; использование в качестве окислителя водород-кислородной смеси при низком давлении. Реакцию проводят в горизонтальной кварцевой трубе с внешним обогревом. Ис пользуют предварительно приготовленную смесь алкилпроизводных цинка с водородом и кислород, Давление в реакторе составляет 60 - 80 мм рт.ст, С помощью генератора искрового разряда зажигают ре акционную смесь внутри реактора. Вследствие прохождения реакции окисления на поверхности пластин осаждается слой окиси цинка. Время реакции...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 521620

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Козлова, Ольховикова, Приходько, Хашимов

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирующий, раствор

...обра521620Ф 4 Формула изобретения Составитель В, МальцевТехред Е. Подурушина Редактор И. Шубина Корректор А. Дзесова Заказ 1793/1 О Изд.1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 5 К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 зом, пригодны для исследования методом трансмиссионной электронной микроскопии.Предлагаемым методом возможно исследование микроструктуры материала, в частности дефектов кристаллического строения. Особое значение метод трансмиссионной электронной микроскопии преобретает при исследовании структурного совершенства тонких эпитаксильных слоев.П р и м е р 1. Подготовку образцов к утоньшпию производят следующим...

Номер патента: 550061

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Гаврилов, Качурин, Придачин, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниках, р-п-переходов, сложных, создания

...глубиной залегания р-п-перехода. Так, р-баАв предварительно облучают ионами Ав энергией 100 кэВ дозой 10 о см.2Сущность способа заключается в том, что предварительно, до контакта с диффуэантом, сложный полупроводник бомбардируют ионами одного из компонентов, входящих в соединение, после чего полупроводник отжигают в присутствии диффуэанта, мигрирующего по вакансиям в предрешетке другого компонента.Температура отжига при этом значительно снижается, Это объясняется тем, что возникают дополнительные вакансии, связанные с избытком одного из компонентов соединения.55 О 061-Формула изобретения Составитель А. ЧернявскийРедактор Е. Месропова Техред М, Петко Корректор В. Синицкая Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам...