Способ получения монои поликристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ ТВИД Зависимое от авт. свидетельс Заявлено 23.1 Х.1961 ( 74565 с присоединением заявкис, 2 д,1 риори Ксмитет пс делам изсбретений и сткрыти при Сввете Министров СССРбликовано 13,Х 1.1967. Бю. 548.55,66.065.5 Авторы зобретен Б. М, Гольцман и Куи Гуан-Лин Ваявител О- И РИСТАЛЛ ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Известен способ получения моно- и поли- кристаллов окисляющихся или летучих веществ вытягиванием из расплава с применением вакуума или атмосферы инертного газа. 5Предлагаемый способ получения моно- и поликристаллов отличается тем, что вытягивание моно- и поликристаллов производят на воздухе из расплава, залитого инертным по отношению к нему флюсом, который охлаж 10 дают в центральной части с помощью петли из тонкой платиновой трубки, по которой протекает вода. Способ позволяет упростить технологию процесса выращивания кристаллов при допустимом содержании неконтролируе мых примесей в образце порядка 0,01%. лоя, отделеннойпетля 4 из тонторой протекает рубе 3, Трубка 4 го флюса 5.вляются измене- конструкцией обв централкварцевойкой плативода, охлаобрастаетУсловиянием темпразца. ьнои части его трубой 3, помещен новой трубки, по к ждающая флюс в слоем затвердевше охлаждения упра ературы флюса и я радиальной теплоотдачи равленности зерен образца вок 1 имеет выступ б, окрулирующей кварцевой шайДля уменьшении улучшения напграфитовый поплженный теплоизбой 7.Предлагаемымнаправленныесечения из полуВ 1,Те, и тройной методом были п поликристаллы ква проводникового со сплав В 1 - Те - ЯЬ. олученьдратногодинения На щаяпоясняючертеже представленаредлагаемый способ.поверхности расплава, из кается образец, расположенвок 1, в центре которогощееся кверху отверстие сного сечения, соответствующобразца 2.плав и графитовый поплам, инертным по отношениюый защищает расплав отения и служит одновременндающей среды. Для охлажд схем В качестве флюса примен сплав 40 о/с 1.1 С 1+60% КС 1 исходит взаиморастворени ваемого поликристалла, а ленпя флюса (350 С) н плавления В 1 Тех (585), ность в области кристал большой температурный гр вающий хорошую напр кристаллов. Образцы В 1 зТ качестве отрицательной ве оторого вы графитовый меется расформой пой форме сеялся эвтектич в котором не я флюса и вь температура же темпер что дает во лизацип пол адиент, обусл авленность ез использую тви термопар ок залиты к расплаву.кисления ив качестве ения флюса 3 ращив попла ширяю переч чения Рас флюсо котор испар охладиОПИСА ИЗОБРЕТ ата опубликования описа ескийпро- пяги- плаватуры зможучить овли- полигся в ы, Их149759 Способ получения моно- и поликристалловокисляющихся или летучих веществ опреде ленной формы методом вытягивания из расплава, отличающийся тем, что, с целью улучшения тепловых условий процесса, расплав заливают инертным по отношению к нему флюсом, Который охлаждают в центральной 10 части с помощью петли из тонкой платиновой трубки, по которой протекает вода. кторы: М. П, Ромашова и Г. И. Плешакова Камышников Липатов Техред Редакт ПодписноСовете Министров ССС Тираж 535 елам изобретений и открытий п Москва, Центр, пр. Серова, д, Заказ 52/ Цг 1 И 1 ПИ ета Типография, пр. Сапунова,термоэлектрическая эффективность на 15 - 2 О 7 о превышает термоэлектрическую эффективность образцов того же состава, получаемых промышленным методом порошковой металлургии. Образцы состава В 1 - Те - ЯЬ используются для положительной ветви термопары, термоэлектрическая эффективность которых выше получаемых методом порошковой металлургии. Предмет изобретения
СмотретьЗаявка
745659
Б. М. Гольцман, Кун Гуан Линь
МПК / Метки
МПК: C30B 15/34, C30B 27/02
Метки: монои, поликристаллов
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-149759-sposob-polucheniya-monoi-polikristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монои поликристаллов</a>
Предыдущий патент: 149758
Следующий патент: Фильтр
Случайный патент: Устройство для нанесения изоляционного покрытия на наружную поверхность труб