Способ выращивания монокристаллов йодноватокислого калия

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Номер патента: 403235

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Катрич, Тиман

МПК: B01J 17/24

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...и скорости ия монокристаладан изменения толцины слоя р роста в процессе вырашив р тен их монокСпособ вырешиванияристаллов в вакууме путеца затравки и подачи насырья, отличаюшчто, с целью повышения туг оплавм расп авпения торрошкового тем,к онечн ог о чистот юдут мм пр 01 с асплародукта, кристаллизациюа толшиной не более 5 скорост а, не превышают ок Изобретение может найти применение врадиотехнике, лазерной технике и т.д,Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торцазатравки и подачи на него порошкового сы- арья. Такой способ исключает возможностьполучения особо чистых монокристаллов изсырья технической чистоты,Цель изобретения состоит в повышениичистоты конечного продукта, Это достигается тем, что...

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 148017

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гулевич, Фаивусович, Циглер

МПК: C30B 11/10

Метки: аппаратам, веществ, выращивания, монокристаллов, печь, тугоплавких

...обмазкой 3, наружным цилиндром 4 и снизу ограничена фигурным кольцом 5, а сверху крышкой б. Через отверстия в фигурном кольце 5 горячие газы и избыточный водород, необходимый по технологии выращивания монокристаллов, поступают в кольцевую камеру. Отверстия в днище 7 служат для подсоса воздуха, необходимого для сгорания избыточного водорода. Вверху над камерой находится кольцевой сборник 8 для отработанных газов. Снизу печь имеет шлюз, закрывающийся съемной втулкой 9,Таким образом, при выращивании монокристаллов в предлагаемой печи в кольцевой камере образуется тепловой барьер, препятствующий отдаче тепла от муфеля 1 печи в окружающую среду.Предлагаемая конструкция печи более инерциогна по сравнению с известными и снижает температурные...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...